【課題】低コストで量産性の高い不純物拡散を実現する。
【解決手段】基板１０に不純物を拡散する不純物拡散方法では、まず、基板１０において不純物を拡散すべき領域１８に、不純物の拡散を防止するマスク材料を含む溶液を塗布する。次に、基板１０を乾燥して、溶液に含まれる溶媒の一部を蒸発させた半乾きマスク１４を形成する。次に、基板１０に対し不純物の気相拡散を行う。これにより、半乾きマスク１４に形成された拡散領域１８は、半乾きマスク１４を形成しなかった拡散領域１６に比べて、不純物の濃度が高くなる。 （もっと読む）

【課題】横型拡散炉が煩雑化することなく、中心部と外周部を含むウェーハ面内の拡散層深さの面内均一性が高い拡散ウェーハを製造することができる横型拡散炉、半導体ウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る横型拡散炉１は、炉本体１０と、炉口１０ｂを閉塞する閉塞体１５と、炉本体１０内を加熱する加熱体２０と、半導体ウェーハＷを立ててプロセスガスの導入方向と平行な方向に複数平行保持させる横型ボート３０と、プロセスガス導入口１０ａから導入されるプロセスガスの前記半導体ウェーハＷへの直接的な接触を遮蔽すると共に、半導体ウェーハＷを横型ボート３０に平行保持させた際、横型ボート３０より上方に位置する半導体ウェーハＷの外周部近傍を通過するプロセスガスのガス流速を前記外周部近傍の特定領域毎に変化させるプロセスガス整流板４０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一に電磁波を照射させて、基板面内に均一に不純物を拡散させることができる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の側面を覆う筒状体と、前記基板保持部に保持された基板よりも上方に設けられ、電磁波が導入される電磁波導入部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板において不純物が拡散する領域のばらつきを抑えることができるレーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】レーザ加工装置は、被加工物６００に照射されるレーザ光Ｂを発振するレーザ発振器４００と、レーザ加工装置の動作を全体的に制御する制御システム１００を含む。制御システム１００は、被加工物６００表面がレーザ光Ｂのフォーカス位置に位置するように、被加工物６００の表面の位置を調整する。また、制御システム１００は、必要とされる拡散深さまたは拡散幅に応じて、レーザ発振器４００が発振するレーザ光Ｂの強度を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板を誘導加熱する際に、放射温度計を用いて正確な温度測定が可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容して処理する反応管と、該反応管の内部に設けられ、複数の基板を加熱する積層された複数の被誘導加熱体と、前記複数の被誘導加熱体からの光を同時に集光する集光部を備え、該集光部が同時に集光した被誘導加熱体からの光に基づき、前記複数の被誘導加熱体の温度を測定する放射温度計と、前記反応管の外部に設けられ、前記放射温度計が測定した温度情報に基づき、前記被誘導加熱体を誘導加熱する誘導加熱体と、を有するように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】真空断熱層形成体の外側シェルの座屈強度を向上させた熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は筒状の反応管３と、ウエハＷを装填して保持するボート５と、反応管３の外周に設けられたヒータ２と、ヒータ２の外周に設けられた真空断熱層形成体１０とを備えている。真空断熱層形成体１０は、内側シェル１１と、内側シェル１１との間で真空断熱層を形成する外側シェル１２とを有している。外側シェル１２は薄板からなり、塑性加工が施されて、その断面が波状となっている。 （もっと読む）

【課題】 基板が処理室内に搬入される前にヒータの断線を検知し、ヒータの断線を検知したら基板処理工程を開始することを防止する。
【解決手段】 基板処理装置の各部の搬送動作を制御する搬送制御部と、基板処理装置の各部の処理動作を制御する処理制御部と、搬送制御部及び処理制御部を制御する主制御部と、を備え、主制御部は、所定のエラー処理を実施するエラー処理部を備え、処理制御部は、待機状態からレシピを実行可能な状態へ遷移させる指示を搬送制御部から受けると、断線検知処理を実施し、断線検知処理の結果、断線エラーを受信しなかったら、レシピを実行可能な状態へ移行し、レシピの実行指示を待ち、断線エラーを受信したら、レシピを実行可能な状態へ移行することなく、主制御部へ断線エラーを通知してエラー処理を実施させる。 （もっと読む）

【課題】サセプタに対して水平磁束を与えつつ誘導加熱コイルを垂直方向に複数配置した場合であっても、誘導加熱コイル間における相互誘導の影響を抑制し、良好な加熱制御を可能とすることのできる半導体基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】水平配置されたサセプタ５２上に載置されたウエハ５４を間接加熱する熱処理装置１０であって、サセプタ５２の外周側に配置され、サセプタ５２におけるウエハ５４の載置面と平行な方向に交流磁束を形成する誘導加熱コイルを有し、前記誘導加熱コイルは、少なくとも１つの主加熱コイル３０と、主加熱コイル３０に電磁的に結合する従属加熱コイル３２，３４とから成り、主加熱コイル３０には、従属加熱コイル３２，３４に対して電磁的に逆結合する逆結合コイル３６，３８が備えられ、隣接して配置される主加熱コイル３０と従属加熱コイル３２，３４に投入する電流の周波数、電流波形を同期させつつ電力割合を個別に制御するゾーンコントロール手段２２を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のＩＧＢＴの製造方法によって製造されるＩＧＢＴよりもオン抵抗の低いＩＧＢＴを、安価な製造コストで製造することが可能なＩＧＢＴの製造方法を提供する。
【解決手段】パンチスルー型のＩＧＢＴを製造するためのＩＧＢＴの製造方法。ｎ⁻型シリコン基板１１２を準備する第１工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第１主面側表面にＭＯＳ構造１２０を形成する第２工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２を研削・研磨してｎ⁻型シリコン基板１１２を薄くする第３工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からｎ⁻型シリコン基板１１２の内部にｎ型不純物を導入する第４工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側の表面上にｐ型不純物を含有する多結晶シリコン層１１６”を形成する第５工程と、ｎ⁻型シリコン基板１１２の第２主面側からレーザー光を照射して多結晶シリコン層１１６”を溶融させる第６工程とをこの順序で含む。 （もっと読む）