【課題】 耐震対応縦型炉及びその稼働方法に関し、小規模な機構により大きな振動に対する耐震性を向上させる。
【解決手段】 ヒーターユニット受けに振動時にヒーターユニットを浮上させるガス浮上機構を設け、ボートユニット受けに振動時にボートユニットを浮上させるガス浮上機構を設けるとともに、ヒーターユニットの上部に、ヒーターユニットの横方向の揺れを制御する磁気的揺れ制御機構を備える。 （もっと読む）

【課題】 間隙部内を排気する排気装置が停止した場合であっても、反応容器と蓋体と間の気密性を維持する。
【解決手段】 少なくとも一端に開口部を有し、反応容器の開口部を蓋する蓋体と、反応容器と蓋体との間に設けられる密閉部材と、反応容器と蓋体と密閉部材とで取り囲まれ、内部を減圧状態に維持可能に構成される間隙部と、間隙部に接続される第１排気管と、第１排気管に接続され、内部を減圧状態に維持可能に構成されるタンクと、タンクに接続される第２排気管と、第２排気管に設けられる第１バルブと、第２排気管に第１バルブを介して接続される排気装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。
【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅを拡散した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハの製造方法を提供する。特性を向上できる半導体装置の製造方法およびセンサアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハの製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＳｂ基板１２上にＧａＳｂを含む層を成長することにより、エピタキシャルウエハを形成する。Ｓｂ元素とＴｅ元素とを有する化合物を用いて、エピタキシャルウエハの表面側からＴｅを拡散する。半導体装置の製造方法は、上記半導体ウエハの製造方法により半導体ウエハを製造する工程と、半導体ウエハにおいてＴｅが拡散された領域に電極を形成する工程とを備える。半導体装置は、フォトダイオードであることが好ましい。センサアレイ３０の製造方法は、フォトダイオード２０を複数形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】石英チューブ内の全域に亘り、半導体素子基板に均一な不純物拡散を行なうことができる不純物拡散装置を得ること。
【解決手段】外周部に配置されたヒータにより加熱される石英チューブと、複数枚の半導体素子基板を、板面を前記石英チューブの中心軸に平行にして、前記中心軸に直交する方向に等間隔に整列させて縦置きすると共に、ダミー基板を前記整列させた複数枚の半導体素子基板の基板表面側の最外側に等間隔に縦置きする複数の籠状の子ボートと、前記複数の子ボートを前記中心軸方向に所定の間隔で一列に整列させて載置し、前記石英チューブ内に移送する親ボートと、前記半導体素子基板に不純物を拡散する拡散用ガスを発生する拡散用ガス発生装置と、前記拡散用ガス発生装置に接続し前記石英チューブ内に延長され、前記中心軸方向に一列に整列して配置された複数の子ボートの夫々の軸方向位置に開口部を有する拡散用ガス導入管と、を備える。 （もっと読む）

【課題】発熱体端部のペスト現象による寿命の低下を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ１０５を処理する処理室と、処理室内のウエハ１０５を加熱する加熱装置とを備えており、加熱装置は処理室を覆う断熱体１０７と、断熱体１０７の内周面に設けられた二珪化モリブデンからなる発熱体１０８と、断熱体１０７外に引き出された発熱体１０８の端部を囲繞するカバー８４と、カバー８４内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給装置８７とを有し、断熱体１０７には不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン１２２が接続されている。カバー内に不活性ガスを供給することにより、発熱体の端部における低温領域のペストによる寿命の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理を促進させる方向を制御する。
【解決手段】インピーダンス調整部のインピーダンスを制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも垂直成分の強度を調整しつつ、プラズマ生成部による電力を制御することで、基板の処理面に加わる電界の少なくとも水平成分の強度を調整して、プラズマ処理を促進させる方向の電界を強くする。 （もっと読む）

【課題】温度センサを用いて熱処理を制御する際の不具合を抑制する基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板２００を収容する処理室２０１を加熱する加熱手段２０６と、第１の熱電対２６３により基板の近傍の温度を検出する第１の温度検出手段と、第２の熱電対２６４により加熱手段の近傍の温度を検出する第２の温度検出手段と、第１の温度検出手段により検出された温度、及び第２の温度検出手段により検出された温度に基づき制御する第１の制御手段と、第２の熱電対により検出された温度に基づき制御する第２の制御手段と、検出された温度に従って、第１の制御手段と第２の制御手段による制御とを切り替える制御切り替え手段を有し、第１の熱電対２６３は第２の熱電対２６４に比べて耐熱性に優れた特性を有し、第２の熱電対２６４は第１の熱電対２６３と比べて温度検出性能が優れた特性を有する。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理の均一性を確保しつつ基板保持具の搭載枚数を従来よりも増やす基板保持具を提供する。
【解決手段】被処理基板ｗに所定の熱処理を施す熱処理方法において、基板保持具１１に裏面を上面にした被処理基板ｗを上下方向に所定の間隔で保持し、表面を上面にした被処理基板の周縁部を支持環３４で支持した単板ユニット３５を構成し、上記基板保持具１１は、被処理基板ｗの周囲を取り囲むように配置された複数本の支柱２７と、該支柱２７に被処理基板ｗを保持する爪部３６と、上記単板ユニット３５の支持環３４の外周に適宜間隔で突設された突片を介して単板ユニット３５を支持するユニット支持部３７とを有することにより、上記被処理基板ｗの裏面同士の間隔を表面同士の間隔よりも狭くしている。 （もっと読む）