【課題】生産性が高く、信頼性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体層の上に、前記半導体層に添加される不純物元素を有する被膜を形成する工程と、第１希ガス原子を含むプラズマ状態の第１ガスと、前記第１希ガス原子よりも原子質量が小さい第２希ガス原子もしくは水素（Ｈ）を含むプラズマ状態の第２ガスと、を前記被膜に向かって照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な工程でアクセプタ濃度の異なる領域を一度に形成することが可能な、ｐ型拡散層の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に、パターニングされた平均厚み０．０１μｍ以上２μｍ以下のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜を形成したシリコン基板上に、アクセプタ元素を含む組成物層を形成する工程と、組成物層を形成した後に、熱拡散処理を施す工程と、前記熱拡散処理の後に、前記シリコン酸化膜および前記組成物層を除去する工程と、を有するｐ型拡散層の製造方法。 （もっと読む）

【課題】抵抗発熱体の熱膨張収縮に伴う径方向の移動を許容しつつ抵抗発熱体が下方に移動するのを防止でき、抵抗発熱体の耐久性の向上が図れる熱処理炉及び熱処理炉用支持体を提供する。
【解決手段】被処理体を収容して熱処理するための処理容器３を囲繞する筒状の断熱材と、断熱材の内周面に沿って配置される螺旋状の抵抗発熱体と、断熱材の内周面に軸方向に所定のピッチで設けられ、抵抗発熱体を径方向に熱膨張収縮可能に支持する支持体１３とを備えた熱処理炉において、支持体１３は、先端が断熱材に埋設され、上面で抵抗発熱体を摺動可能に支持する水平部１３ａを有すると共に、水平部１３ａの後端から立ち上がった垂直部１３ｂとを有し、水平部１３ａの下面には、支持体１３の熱容量を小さくするための溝１８が長手方向に沿って形成される。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】断熱材の断熱性能を向上させるとともに断熱材の厚みの増加を抑える。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６の内周面に設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。断熱材１６は通常の断熱材料からなる内側断熱材１６ａと、圧縮された微粉シリカ材からなる外側断熱材１６ｂとを有し、外側断熱材１６ｂの外面は飛散防止材１６ｃにより覆われている。 （もっと読む）

【課題】ウエハを均一に加熱することができ、かつヒータエレメントの寿命を伸ばすこと。
【解決手段】熱処理炉２は被処理体Ｗを収容して熱処理するための処理容器３と、該処理容器３の周囲を覆う断熱材１６と、断熱材１６内周面１６ａに設けられ被処理体Ｗを加熱するヒータ５とを備えている。上記ヒータ５は、円筒状の断熱材１６の内周面１６ａに沿ってスパイラル状に配置されたヒータエレメント１８を有している。ヒータエレメント１８は帯状のものを波形に曲げ加工してなり、外側に突出する谷部１８ａと内側へ突出する山部１８ｂとを有するコルゲート型のヒータエレメントからなる。谷部１８ａは谷部支持ピン部材２０ａにより支持され、山部１８ｂは山部支持ピン部材２０ｂにより支持されている。 （もっと読む）

【課題】不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、不純物を含む基板Ｗの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部１３を備える。プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。設定部１３は、要求される注入深さから主パラメタを設定する第１設定処理と、副パラメタを設定する第２設定処理と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制しつつ、開口部の閉口時の密閉性の低下を抑制することができる開閉ダンパー装置を提供する。
【解決手段】開閉ダンパー装置は、開口部２５２が形成された枠体２５０と、開口部２５２を開閉する弁体２６６と、枠体２５０の開口部２５２周辺に設けられ、弁体２６６が閉じられた場合、弁体２６６が密着するシール部材２５６と、枠体２５０に設けられた開閉軸２６２と、開閉軸２６２を中心として回転するように設けられ、弁体２６６を移動自在に支持する支持体と、弁体２６６の開閉軸２６２が設けられた側よりも反対側がシール部材２５６に近づくように弁体２６６を付勢する付勢部材２７２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼動状態を監視し、エコ運転状態への切り替え損ねを防ぐことが可能な稼動状態監視方法、及び稼動状態監視装置を提供すること。
【解決手段】
エコ運転であるか否かの判定対象となるデータ種別に対応するデータ値と、前記データ種別に対応するデータがとりうる境界を示す境界値と、を予め設定された所定の判定条件に基づいて比較し、前記データ値と前記境界値とを前記判定条件に基づいて比較した結果に応じて所定の動作を実行するようにした。 （もっと読む）

【課題】被処理体の所定領域に注入された、Ｎ型領域を形成する元素のイオンを、アニール処理の前後において被処理体の内部に維持し、所望のキャリア濃度のＮ型領域を形成することを可能とする、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした真空チャンバ内に、シリコンからなる被処理体１０１を配して、該真空チャンバ内に導入した、Ｎ型領域１０６Ｎを形成する元素Ｘを含むガスをプラズマ励起し、励起された該元素Ｘのイオンを、被処理体１０１の所定領域に注入する前工程と、該元素Ｘが注入された被処理体１０１をアニール処理する後工程と、を含み、該前工程と該後工程との間に、該真空チャンバ内に導入した酸素元素を含むガスをプラズマ励起し、励起された該酸素元素のラジカルに、該被処理体１０１の所定領域を曝露する工程を、さらに備えてなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）