説明

熱処理装置およびその制御方法

【課題】温度安定時に温度を均一に維持することができ、昇降温時に容易に制御することができる。
【解決手段】制御装置51は個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモデル72aと、制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモデル72bをとることができる。昇降温時に少制御ゾーンモデル72bをとって少ない数の制御ゾーンC、…Cの温度センサ50からの信号に基づいて、各制御ゾーンC、…Cに設置されたヒータ18Aを個別に制御する。温度安定時に多制御ゾーンモデル72aをとって、多い数の制御ゾーンC、…C10の温度センサ50からの信号に基づいて、各制御ゾーンC、…C10に設置されたヒータ18Aを個別に制御する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、熱処理装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体ディバイスの製造においては、被処理体例えば半導体ウエハに、酸化、拡散、CVD、アニール等の熱処理を施すために各種の熱処理装置が用いられている。その一つとして、一度に多数枚の熱処理が可能な縦型熱処理装置が知られている。この縦型熱処理装置は、下部に開口部を有する石英製の処理容器と、該処理容器の開口部を開閉する蓋体と、該蓋体上に設けられ、複数枚の被処理体を上下方向に所定の間隔で保持する保持具と、前記処理容器の周囲に設けられ、処理容器内に搬入された前記被処理体を加熱するヒータが取付けられた炉本体とを備えている。
【0003】
ところで、従来より炉本体内の温度を精度良く制御するため、炉本体内の空間を複数の制御ゾーンに区画し、各制御ゾーンに炉内温度センサを設置するとともに、ヒータを各制御ゾーン毎に分割し、各制御ゾーンの温度を細かく制御する技術も開発されている。
【0004】
しかしながら炉本体内を複数の制御ゾーンに区画して各制御ゾーン毎に細かく制御すると、温度安定時において温度の均一性は向上するが、昇降温時に制御がむずかしくなり、制御パラメータのチューニングに時間がかかるという問題もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2002−305189号公報
【特許文献2】特開2005−188869号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、温度安定時において炉本体内の温度の均一性を向上させるようにすることができ、かつ昇降温時において炉本体内の温度制御を容易に行なうことができる熱処理装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本実施の形態は、炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に複数の単位領域を含む空間を形成するとともに、内部に複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、空間の各単位領域に対応して設けられた炉内温度センサと、各単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有し、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御し、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御することを特徴とする熱処理装置である。
【0008】
上記熱処理装置において、多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御する。
【0009】
上記熱処理装置において、制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御する。
【0010】
上記熱処理装置において、炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、制御装置は各単位領域の炉内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【0011】
上記熱処理装置において、制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【0012】
本実施の形態は、炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に空間を形成するとともに、内部に複数の単位領域を形成しかつ複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、処理容器の各単位領域に対応して設けられた処理容器内温度センサと、各単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有し、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御し、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御することを特徴とする熱処理装置である。
【0013】
上記熱処理装置において、多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御する。
【0014】
上記熱処理装置において、制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御する。
【0015】
上記熱処理装置において、炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、制御装置は各単位領域の処理容器内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【0016】
上記熱処理装置において、制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【0017】
本実施の形態は、炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に複数の単位領域を含む空間を形成するとともに、内部に複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、空間の各単位領域に対応して設けられた炉内温度センサと、各単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有する熱処理装置の制御方法において、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程と、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程とを備えたことを特徴とする熱処理装置の制御方法である。
【0018】
上記制御方法において、多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御する。
【0019】
上記制御方法において、制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御する。
【0020】
上記制御方法において、炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、制御装置は各単位領域の炉内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【0021】
上記制御方法において、制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【0022】
本実施の形態は、炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に空間を形成するとともに、内部に複数の単位領域を形成しかつ複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、処理容器の各単位領域に対応して設けられた処理容器内温度センサと、各単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有する熱処理装置の制御方法において、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程と、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程とを備えたことを特徴とする熱処理装置の制御方法である。
【0023】
上記制御方法において、多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御する。
【0024】
上記制御方法において、制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御する。
【0025】
上記制御方法において、炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、制御装置は各単位領域の処理容器内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【0026】
上記制御方法において、制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御する。
【発明の効果】
【0027】
以上のように本発明によれば、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンのヒータを制御することにより炉本体内の温度制御を容易に行なうことができる。また温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンのヒータを制御することにより、炉本体内の温度の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】図1は本発明による熱処理装置およびその制御方法の実施の形態を概略的に示す縦断面図。
【図2】図2は熱処理装置の制御装置を示す概略図。
【図3】図3(a)は少制御ゾーンモデル制御を示す図であり、図3(b)は多制御ゾーンモデル制御を示す図。
【図4】図4は炉本体内の温度変化を時間の経過とともに示す図。
【図5】図5は炉本体の単位領域毎の温度を示す概略図。
【図6】図6は本発明の変形例による熱処理装置を概略的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【0029】
発明の実施の形態
以下に、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【0030】
図1において、縦型の熱処理装置1は、被処理体、例えば半導体ウエハwを一度に多数枚収容して酸化、拡散、減圧CVD等の熱処理を施すことができる縦型の熱処理炉2を備えている。この熱処理炉2は、内周面に加熱部として機能する発熱抵抗体(ヒータ)18Aが設けられた炉本体5と、炉本体5内に配置され、炉本体5との間に空間33を形成するとともに、ウエハwを収容して熱処理するための処理容器3とを備えている。
【0031】
また炉本体5の処理容器3との間の空間33は、縦方向に沿って複数の単位領域(単に領域ともいう)、例えば10の単位領域A、A、A、A、A、A、A、A、A、A10に区画されている。そしてヒータ18Aは、この10の単位領域A、…A10に対応して各々設けられており、さらに各単位領域A、…A10毎に、当該単位領域A、…A10の温度を測定する後述のように炉内温度センサ50が設けられている。そして各炉内温度センサ50は、信号ライン50aを介して後述する制御装置51に接続されている。
【0032】
同様に処理容器3内も縦方向に沿って複数の単位領域(単に領域ともいう)、例えば10の単位領域A、A、A、A、A、A、A、A、A、A10に区画され、さらに各単位領域A、…A10毎に当該単位領域A、…A10の温度を測定する処理容器内温度センサ55が設けられている。各処理容器内温度センサ55は、処理容器内温度センサ支持具56により支持されるとともに、信号ライン55aを介して制御装置51に接続されている。
【0033】
また炉本体5はベースプレート6により支持され、このベースプレート6には処理容器3を下方から上方に挿入するための開口部7が形成されている。またベースプレート6の開口部7にはベースプレート6と処理容器3との間の隙間を覆うように図示しない断熱材が設けられている。
【0034】
処理容器3は、石英製からなり、上端が閉塞され、下端が炉口3aとして開口された縦長の円筒状形状を有する。処理容器3の下端には外向きのフランジ3bが形成され、フランジ3bは図示しないフランジ押えを介して上記ベースプレート6に支持されている。また処理容器3には、下側部に処理ガスや不活性ガス等を処理容器3内に導入する導入ポート(導入口)8及び処理容器3内のガスを排気するための図示しない排気ポート(排気口)が設けられている。導入ポート8にはガス供給源(図示せず)が接続され、排気ポートには例えば133×600Pa〜133×10−2Pa程度に減圧制御が可能な真空ポンプを備えた排気系(図示せず)が接続されている。また導入ポート8には処理容器3内に延びるガス供給管8aが接続され、このガス供給管8aにはガス供給孔8bが形成されている。
【0035】
処理容器3の下方には、処理容器3の炉口3aを閉塞する蓋体10が図示しない昇降機構により昇降移動可能に設けられている。この蓋体10の上部には、炉口の保温手段である保温筒11が載置され、該保温筒11の上部には、直径が300mmのウエハwを多数枚、例えば100〜150枚程度上下方向に所定の間隔で搭載する保持具である石英製のボート12が載置されている。蓋体10には、ボート12をその軸心回りに回転する回転機構13が設けられている。ボート12は、蓋体10の下降移動により処理容器3内から下方のローディングエリア(図示しない)内に搬出(アンロード)され、ウエハwの移替え後、蓋体10の上昇移動により処理容器3内に搬入(ロード)される。
【0036】
上記炉本体5は、円筒状の断熱材16と、該断熱材16の内周面に軸方向(図示例では上下方向)に多段に形成された溝状の棚部17とを有し、各棚部17に沿って各単位領域A、…A10毎に設けられたヒータ18Aを構成するヒータエレメント(ヒータ線、発熱抵抗体)18が配置されている。断熱材16は、例えばシリカ、アルミナあるいは珪酸アルミナを含む無機質繊維からなっている。
【0037】
上記円筒状の断熱材16の内周面にはこれと同心の環状の溝部21が軸方向に所定ピッチで多段に形成され、隣り合う上部の溝部21と下部の溝部21との間に周方向に連続した環状の上記棚部17が形成されている。上記溝部21におけるヒータエレメント18の上部と下部、及び溝部21の奥壁とヒータエレメント18との間にはヒータエレメント18の熱膨張収縮及び径方向の移動を許容し得る十分な隙間が設けられており、またこれらの隙間により強制冷却時に炉本体5の冷却媒体導入部40から空間33内に流れる冷却媒体がヒータエレメント18の背面に回り込み、ヒータエレメント18を効果的に冷却できるようになっている。なお、このような冷却媒体としては、空気、窒素ガスが考えられ、冷却媒体は後述するインバータ出力部53aにより駆動される冷却媒体供給ブロア(図示せず)によって冷却媒体導入部40へ送られる。
【0038】
各単位領域A、…A10毎に設けられたヒータ18Aにおいて、このヒータ18Aを構成するヒータエレメント18には端子板22a,22bが接合され、断熱材16を径方向に貫通するように設けられた端子板22a,22bを介して外部のヒータ出力部18Bに接続されている。
【0039】
炉本体5の断熱材16の形状を保持すると共に断熱材16を補強するために、図1に示すように、断熱材16の外周面は金属製例えばステンレス製の外皮(アウターシェル)30で覆われている。断熱材16の頂部にはこれを覆う上部断熱材31が設けられ、この上部断熱材31の上部には外皮30の頂部(上端部)を覆うステンレス製の天板32が設けられている。
【0040】
ところでヒータエレメント18として帯状の発熱抵抗体を用い、棚部17内に収納した例を示したが、ヒータエレメント18としてはこのような構造のものに限られず、他の種々の構造のヒートエレメントを用いることができる。
【0041】
また、上述のように炉本体5と処理容器3との間に形成された空間33は、10の単位領域A、…A10に区画され、各単位領域A、…A10毎に、当該単位領域A、…A10内の温度を検知する温度センサ(炉内温度センサ)50が設置され、この温度センサ50からの検知信号は信号ライン50aを介して後述する制御装置51に送られる。
【0042】
ところで各単位領域A、…A10毎に設置された温度センサ50は、制御装置51に接続されている。この制御装置51について詳述する。
【0043】
温度センサ50は上述のように空間33の各単位領域A、…A10毎に設置されて単位領域A、…A10内の温度を検出するものである。
【0044】
各単位領域A、…A10の温度センサ50で検出された検知信号は、信号ライン50aを介して制御装置51に送られる。この制御装置51は例えば100℃〜500℃の低温領域での昇温過程、降温過程あるいは温度安定時において、所定の目標温度に対する収束時間を短縮させ、かつ精度良く目標温度に近づけるものである(図2)。
【0045】
すなわち制御装置51は、図3(a)(b)に示すように、個別に制御される制御ゾーンC、C、C、C、C、C、C、C、C、C10の数が多い多制御ゾーンモード72aと、個別に制御される制御ゾーンC、C、C、C、Cの数が少ない少制御ゾーンモード72bとを有し、多制御ゾーンモード72aおよび少制御ゾーンモード72bのいずれか一方のモードをとることができる。
【0046】
制御装置51が多制御ゾーンモード72aをとる場合、個別に制御される制御ゾーンC、…C10は、炉本体5と処理容器3との間の空間33を構成する10個の単位領域A、…A10の一つ一つに各々一致し、各単位領域A、…A10に対応する制御ゾーンC、…C10を個別に制御する。
【0047】
制御装置51が少制御ゾーンモード72bをとる場合、個別に制御される制御ゾーンCは、隣り合う単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは、隣り合う単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは、隣り合う単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは、隣り合う単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは、隣り合う単位領域A、A10に対応し、制御装置51はこれら制御ゾーンC、…C10を個別に制御する。なお、少制御ゾーンモード72bをとる場合、少なくとも一つの制御ゾーンが隣り合う複数の単位領域からなり、他の制御ゾーンが各単位領域からなっていてもよい。
【0048】
具体的には制御装置51が多制御ゾーンモード72aをとる場合、制御装置51は各単位領域A、…A10のすべての温度センサ50からの信号に基づいて、対応する単位領域A、…A10のヒータ18Aを個別に制御する。この場合、制御装置51は空間33の出口側に設けられた排気温度センサ80からの信号を考慮して各単位領域A、…A10のヒータ18Aを制御してもよい。
【0049】
また制御装置51が少制御ゾーンモード72bをとる場合、制御装置51は例えば一つ置きの単位領域A、A、A、A、Aの温度センサ50からの信号に基づいて、ヒータ18Aを制御する。具体的には制御装置51は、単位領域Aの温度センサ50からの信号に基づいて単位領域A、Aのヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域Aの温度センサ50からの信号に基づいて単位領域A、Aのヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域Aの温度センサ50からの信号に基づいて単位領域A、Aのヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域Aの温度センサ50からの信号に基づいて単位領域A、Aのヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域Aの温度センサ50からの信号に基づいて単位領域A、A10のヒータ18Aをまとめて制御する。この場合、制御装置51は温度センサ80からの信号を考慮して各単位領域A、…A10のヒータ18Aを制御してもよい。
【0050】
また、制御装置51は、予め定められたヒータ出力とブロア出力に関する数値モデル71と、この数値モデル71と温度センサ50からの炉内温度に基づいてヒータ出力を求めるヒータ出力演算部51aと、数値モデル71と温度センサ50からの炉内温度に基づいてブロア出力を求めるブロア出力演算部51bとを有している。
【0051】
このうち、数値モデル71は多制御ゾーンモード72aをとったとき用いられる多制御ゾーン用数値モデル71aと、少制御ゾーンモード72bをとったとき用いられる少制御ゾーン用数値モデル71bと、ブロア出力用数値モデル73とを有している。
【0052】
ヒータ出力演算部51aは多制御ゾーン用数値モデル71a、または少制御ゾーン用数値モデル71bのいずれかと、各単位領域A、…A10の温度センサ50からの信号に基づいて、各単位領域A、…A10のヒータ18Aの出力を求める。次にヒータ出力演算部51aで求められたヒータ18Aの出力に基づいて、ヒータ出力部18Bにより単位領域A、…A10のヒータ18Aを制御する。例えば制御装置51が多制御ゾーンモード72aをとる場合、多制御ゾーン用数値モデル71aと、すべての単位領域A、…A10の温度センサ50からの信号に基づいて、ヒータ出力演算部51aですべての単位領域A、…A10の18Aの出力が求められ、このヒータ18の出力に基づいて、ヒータ出力部18Bはすべての単位領域A、…A10のヒータ18Aを個別に駆動制御する。
【0053】
またブロア出力演算部51bはブロア出力用数値モデル73と、いずれかの単位領域A、…A10の温度センサ50からの信号に基づいてブロア出力を求め、このブロア出力に基づいてインバータ出力部53aを制御する。
【0054】
ここで数値モデル71のうち、ヒータを制御する多制御ゾーン用数値モデル71aについて説明する。
【0055】
多制御ゾーン用数値モデル71aは、温度センサ50およびヒータ出力部18Bから、予め半導体ウエハwの温度を推測し、さらに、推測した温度を全体として目的温度に近接させるために、ヒータ18に供給する電力を特定可能な数学モデルであり、任意のモデル(多変数、多次元、多出力関数)を利用可能である。このような多制御ゾーン用数値モデル71aとしては、例えば、米国特許第5,517,594号公報に開示されたモデルを使用することができる。
【0056】
このようにして、ウエハの処理枚数及びその配置に応じて、ウエハの温度推定及びウエハ温度を目標温度とするための出力を定義する多制御ゾーン用数値モデル71aが得られる。なお、推測したウエハ温度を制御対象とする例を示したが、観測温度そのものを制御対象とするモデルとしてもよい。また少制御ゾーン用数値モデル71bも多制御ゾーン用数値モデル71aと同様にして求められる。この場合、多制御ゾーン用数値モデル71aは、多制御ゾーンモード72aをとった場合における、各制御ゾーン毎に設定された時間と設定温度の関係を有している。また少制御ゾーン用数値モデル71bは、少制御ゾーンモード72bをとった場合における、各制御ゾーン毎に設定された時間と設定温度との関係を有している。
【0057】
さらにブロア出力用数値モデル73は、多制御ゾーン用数値モデル71a、少制御ゾーン用数値モデル71bを求める方法と同様に、ヒータ18Aを動作させながら、冷却媒体供給ブロアを実際に動作させ、半導体ウエハwの温度を実測することにより、取得可能である。
【0058】
なお、数値モデル71が多制御ゾーン用数値モデル71a、少制御ゾーン用数値モデル71b、およびブロア出力用数値モデル73を有する例を示したが、単一の数値モデル71内に多制御ゾーン用数値モデル、少制御ゾーン用数値モデル、およびブロア出力用数値モデルを含ませてもよい。
【0059】
またヒータ出力演算部51aにより求められたヒータ出力は、ヒータ出力部18Bに送られ、このヒータ出力部18Bにより、ヒータ出力演算部51により求められたヒータ出力に基づいて、各単位領域A、…A10内のヒータ18Aのヒータエレメント18が駆動制御される。
【0060】
他方、ブロア出力演算部51bにより求められたブロア出力はインバータ駆動部53aに送られ、これらインバータ駆動部53により冷却媒体供給ブロアが駆動制御される。
【0061】
このようにして、冷却媒体供給ブロアによって、炉本体5と処理容器3との間の空間33内に冷却媒体が供給される。
【0062】
次にこのような構成からなる熱処理装置の作用について説明する。
【0063】
まず、ボート12内にウエハwが搭載され、ウエハwが搭載されたボート12が蓋体10の保温筒11上に載置される。その後蓋体10の上昇移動によりボート12が処理容器3内へ搬入される。
【0064】
次に制御装置51はヒータ出力部18Bを制御して各単位領域A、…A10内のヒータ18Aを出力制御し、炉本体5と処理容器3との間の空間33を加熱し、処理容器3内のボート12に搭載されたウエハwに対して必要な熱処理を施す。
【0065】
具体的には、制御装置51は昇降時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモード72bをとる。この場合、炉本体5と処理容器3との間の空間33内は、例えば5つの制御ゾーンC、…Cに区画され、制御ゾーンCは単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは、単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは単位領域A、Aに対応し、制御ゾーンCは単位領域A、A10に対応する(図3(a))。
【0066】
このとき制御装置51は少制御ゾーン用数値モデル71bを用い、この少制御ゾーン用数値モデル71bと、一つ置きの単位領域A、A、A、A、Aの温度センサ50からの信号に基づいて、ヒータ出力演算部51aにおいて、各々対応する単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18A、単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18A、単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18A、単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18Aおよび単位領域A、A10(制御ゾーンC)のヒータ18Aの出力を求める。
【0067】
次にヒータ出力部18Bは、ヒータ出力演算部51aで求めたヒータ出力に基づいて、単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域A、A(制御ゾーンC)のヒータ18Aをまとめて制御し、単位領域A、A10(制御ゾーンC)のヒータ18Aをまとめて制御する。
【0068】
温度安定時において、制御装置51は制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモード72aをとる。この場合、制御ゾーンC、C、C、C…C10は、各々単位領域A、A、A、A…A10に対応する(図3(b))。
【0069】
このとき、制御装置51は制御ゾーン用数値モデル71aを用い、この多制御ゾーン用数値モデル71aと、各単位領域A、…A10の温度センサ50からの信号に基づいてヒータ出力演算部51aにおいて、各単位領域A、…A10のヒータ18Aの出力を求める。
【0070】
次にヒータ出力部18Bはヒータ出力演算部51aで求めたヒータ出力に基づいて、各々の単位領域A、…A10のヒータ18Aを個別に駆動制御する。
【0071】
図4に示すように、制御装置51が昇降温時Tに少制御ゾーンモード71bをとり、温度安定時Tに多制御ゾーンモード72aをとって単位領域A、…A10のヒータ18Aを制御することにより、昇降温時Tにおいて制御ゾーンの数を少なくして制御パラメータのチューニングを容易に行なうことができる。また図5に示すように温度安定時Tは単位領域A、…A10をきめ細かく均一に制御することができる。Tの少制御ゾーンモード時は制御対象になった温度センサ50からの検知温度は設定温度に十分に追従するが制御対象としていない温度センサ(対象外としての図示)は多少外れる。その後のTの多制御ゾーンモード時では全ての温度センサ50からの検知温度を設定温度に対して±1℃以内に制御することができる。
【0072】
この間、後述のように、必要に応じて熱処理作業の効率化を図るため、炉本体5と処理容器3との間の空間33内を強制的に冷却する。
【0073】
この場合、まず制御装置51によって冷却媒体供給ブロアが作動する。このとき冷却媒体(20〜30℃)が冷却媒体導入部40から炉本体5と処理容器3との間の空間33内に吹出されて、この空間33内を強制的に冷却する。
【0074】
この場合、ブロア出力演算部51bはブロア出力用数値モデル73といずれかの単位領域A、…A10に設置された温度センサ50からの炉内温度に基づいてブロア出力を定め、このブロア出力に基づいてインバータ駆動部53aが冷却媒体供給ブロアを駆動制御する。
【0075】
本発明による熱処理装置の変形例
次に本発明による熱処理装置の変形例について述べる。
【0076】
上述した実施の形態において、炉本体5と処理容器3との間に形成された空間33の各単位領域A、…A10に設置された炉内温度センサ50からの信号に基づいて、制御装置51により熱処理装置を制御する例を示したが、これに限らず処理容器3内の各単位領域A、…A10に設置された処理容器内温度センサ55からの信号に基づいて温度演算部50Aにより熱処理装置を制御してもよい。
【0077】
すなわち上述のように処理容器3内は、10の単位領域A、…A10に区画され、各単位領域A、…A10毎に、当該単位領域A、…A10内の温度を検知する処理容器内温度センサ55が設置され、この処理容器内温度センサ55からの検知信号は信号ライン55aを介して制御装置(制御部)51へ送られる。なお各単位領域A、…A10毎に設置された処理容器内温度センサ55は、処理容器内温度センサ支持具56により支持されている。
【0078】
次に図6による本発明の変形例による熱処理装置について説明する。図6は本発明の変形例による熱処理装置を概略的に示す図である。
【0079】
図6に示す熱処理装置は、処理容器3の構造が異なるのみであり、他の構成は図1乃至図5に示す熱処理装置と略同一である。
【0080】
すなわち図1において処理容器3が一重管からなる構成を示したが、これに限らず処理容器3は外筒3Aと、外筒3A内に配置された内筒3Bとからなる二重管構造をもっていてもよい。
【0081】
図6に示す熱処理装置において、図1乃至図5に示す熱処理装置と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【0082】
また上記実施の形態において、炉本体5と処理容器3との間の空間33、および処理容器3内を10の単位領域A、…A10に区画した例を示したが、これに限らず3つ以上の任意の数の単位領域に区画してもよい。この場合、単位領域の数が多ければ、本発明の効果はより向上する。
【0083】
また上記空間33および処理容器3内を均等に区画した例を示したが、これに限らず装置の使用状態に応じて、単位領域の幅や位置形状を種々変化させても、本発明の効果に差異はない。
【符号の説明】
【0084】
w 半導体ウエハ(被処理体)
1 熱処理装置
3 処理容器
3A 内筒
3B 外筒
3a 炉口
5 炉本体
16 断熱材
18 ヒータエレメント(発熱抵抗体)
18A ヒータ
18B ヒータ出力部
33 空間
40 冷却媒体導入部
50 炉内温度センサ
51 制御装置
51a ヒータ出力演算部
51b ブロア出力演算部
55 処理容器内温度センサ
56 処理容器内温度センサ支持具
71 数値モデル
71a 多制御ゾーン用数値モデル
71b 少制御ゾーン用数値モデル
72a 多制御ゾーンモード
72b 少制御ゾーンモード
73 ブロア出力用数値モデル
80 排気温度センサ
、…A10 単位領域
、…C10 制御ゾーン

【特許請求の範囲】
【請求項1】
炉本体と、
炉本体内に配置され、炉本体との間に複数の単位領域を含む空間を形成するとともに、内部に複数の被処理体を収納する処理容器と、
炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、
空間の各単位領域に対応して設けられた炉内温度センサと、
各単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有し、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御し、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御することを特徴とする熱処理装置。
【請求項2】
多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
【請求項3】
制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
【請求項4】
炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の炉内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
【請求項5】
制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項4記載の熱処理装置。
【請求項6】
炉本体と、
炉本体内に配置され、炉本体との間に空間を形成するとともに、内部に複数の単位領域を形成しかつ複数の被処理体を収納する処理容器と、
炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、
処理容器の各単位領域に対応して設けられた処理容器内温度センサと、
各単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有し、昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御し、温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御することを特徴とする熱処理装置。
【請求項7】
多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。
【請求項8】
制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。
【請求項9】
炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の処理容器内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項6記載の熱処理装置。
【請求項10】
制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項9記載の熱処理装置。
【請求項11】
炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に複数の単位領域を含む空間を形成するとともに、内部に複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、空間の各単位領域に対応して設けられた炉内温度センサと、各単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有する熱処理装置の制御方法において、
昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程と、
温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程とを備えたことを特徴とする熱処理装置の制御方法。
【請求項12】
多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の炉内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項11記載の熱処理装置の制御方法。
【請求項13】
制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項11記載の熱処理装置の制御方法。
【請求項14】
炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の炉内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項11記載の熱処理装置の制御方法。
【請求項15】
制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項14記載の熱処理装置の制御方法。
【請求項16】
炉本体と、炉本体内に配置され、炉本体との間に空間を形成するとともに、内部に複数の単位領域を形成しかつ複数の被処理体を収納する処理容器と、炉本体内面に、空間の各単位領域に対応して設けられた加熱部と、処理容器の各単位領域に対応して設けられた処理容器内温度センサと、各単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御する制御装置とを備え、制御装置は単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードと、単位領域からなり個別に制御される制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードとを有する熱処理装置の制御方法において、
昇降温時に制御ゾーンの数が少ない少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程と、
温度安定時に制御ゾーンの数が多い多制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御する工程とを備えたことを特徴とする熱処理装置の制御方法。
【請求項17】
多制御ゾーンモードにおいて各制御ゾーンは一つの単位領域からなり、制御装置は当該単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて単位領域の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて少なくとも1つの制御ゾーンは隣り合う複数の単位領域からなり、制御装置は複数の単位領域のうち所望の単位領域の処理容器内温度センサからの信号に基づいて複数の単位領域の加熱部を制御することを特徴とする請求項16記載の熱処理装置の制御方法。
【請求項18】
制御装置は多制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された多制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御し、少制御ゾーンモードにおいて予め内蔵された少制御ゾーン用数値モデルに基づいて各制御ゾーン内の加熱部を制御することを特徴とする請求項16記載の熱処理装置の制御方法。
【請求項19】
炉本体に冷却媒体供給ラインを介して、炉本体と処理空間との間の空間に冷却媒体を供給するブロアを接続するとともに、炉本体に排気管を設け、
制御装置は各単位領域の処理容器内センサからの信号に基づいて、当該単位領域の加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項16記載の熱処理装置の制御方法。
【請求項20】
制御装置は昇降温時に少制御ゾーンモードをとって各制御ゾーンの加熱部を制御するとともに、ブロアを制御することを特徴とする請求項19記載の熱処理装置の制御方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【公開番号】特開2012−182310(P2012−182310A)
【公開日】平成24年9月20日(2012.9.20)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−44197(P2011−44197)
【出願日】平成23年3月1日(2011.3.1)
【出願人】(000219967)東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Fターム(参考)】