【課題】高電力で高性能なデバイスによって生成される熱応力に耐えることができる金属相互接続システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス構造であって、炭化ケイ素およびＩＩＩ族窒化物からなる群から選択される広バンドギャップの半導体部分と、該半導体部分に対する相互接続構造であって、それぞれ２つの高導電性層と互い違いに、少なくとも２つの拡散バリア層を含む、相互接続構造とを備え、該拡散バリア層は、該高導電性層とは異なる熱膨張係数を有し、該高導電性層よりも低い熱膨張係数を有し、該それぞれの熱膨張係数の差異は、該高導電性層の膨張を抑えるために十分な大きさであるが、層間の接着強度を超える歪みを隣接層間に生じさせる差異よりも小さい、半導体デバイス構造。 （もっと読む）

【課題】基板上にチャネルを画定するための方法を提供する。
【解決手段】表面改質剤を含む第１の液体組成物を基板１１０上に付着させて第１の形体１２０を形成し、表面改質剤が第１の形体の周囲に改質された領域を作り出す。次に、第２の液体組成物を前記第１の形体の周囲の前記改質された領域の上にまたはそれに隣接して付着させ改質された領域によってはじき第２の形体２２０を形成することにより、第１の形体１２０と前記第２の形体２２０との間にチャネル長さ２５５を有すチャネル２５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】４００℃程度の耐熱性を有するＮｄ添加量２ａｔ％のＡｌＮｄ層をプラズマエッチングにおいてフェンスと呼ばれる反応生成物の堆積を抑制できるエッチング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを行うエッチングガスとして塩素ガスを用い、エッチング速度を２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度でエッチングが行われるよう塩素ガスを供給する。ネオジム塩化物は蒸気圧がアルミニウム塩化物に比べて低いが、２５０ｎｍ／分以下のエッチング速度となるようプラズマエッチングすることで、アルミニウム塩化物と同時に蒸発させることができるため、フェンスの発生を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化が進んでも半導体装置の信頼性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の技術的思想は、積層形成される窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３のそれぞれの膜厚を一定値ではなく、トータルの総膜厚を一定に保ちながら、上層の窒化シリコン膜ＳＮ３から下層の窒化シリコン膜ＳＮ１にしたがって膜厚を薄くするように構成している点にある。これにより、歪シリコン技術を実効あらしめる窒化シリコン膜ＳＮ１〜ＳＮ３の引張応力を確保しながら、特に、最上層の窒化シリコン膜ＳＮ３の埋め込み特性を改善できる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の配線を形成するための積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、高表面エネルギー領域と低表面エネルギー領域が形成されている濡れ性変化層を形成する工程と、高表面エネルギー領域を覆うように、濡れ性変化層から所定の間隔を隔て対向基板を設置する工程と、高表面エネルギー領域上に導電性材料を含む溶液を供給する工程と、導電性材料を含む溶液を乾燥または硬化させることにより、高表面エネルギー領域上に導電層を形成する工程を有することを特徴とする積層構造体の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】加熱による不具合の発生を回避した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１の製造方法は、表面に酸化膜、ゲートパターンおよび不純物イオン注入部を有し所定の深さに水素イオン注入部４１が形成されているＳｉ基板を用いてＳｉ薄膜トランジスタを形成しており、水素イオン注入部４１にマイクロ波Ｍ１を照射して水素イオン注入部４１を熱処理する照射工程と、照射工程の後、水素イオン注入部４１においてＳｉ基板を劈開剥離して、酸化膜、ゲートパターンおよび不純物イオン注入部を有するＳｉ薄膜を分離する剥離工程と、Ｓｉ薄膜を絶縁基板上に接合する接合工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗の小さいＤＭＯＳトランジスタを含む半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＣＭＯＳトランジスタ１は、ゲート電極９と、Ｎ＋型のソース領域３と、Ｎ＋型のドレイン領域４を備える。ＤＭＯＳトランジスタ２１は、ゲート電極２９と、Ｎ＋型のソース領域２３と、Ｎ―型のドリフト領域３０と、ドレイン領域２４と、シリサイド層３２ａを備える。ゲート電極９のソース領域３側とドレイン領域４側の側部にはサイドウォール８Ｂが設けられ、ゲート電極２９のソース領域２３側とドレイン領域２４側の側部にはサイドウォール２８Ｃ、２８Ｄが設けられている。ドレイン領域２４側のサイドウォール２８Ｃは、ソース領域２３側のサイドウォール２８Ｄ、及びサイドウォール２Ｂよりもチャネル方向に沿う厚さが厚い。さらに、シリサイド層３２ａがゲート電極９上面のドレイン領域２４側端まで形成されている。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの集積化を妨げることなく、トランジスタの駆動力を向上させる半導体装置を提供する。
【解決手段】所定の結晶からなる半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート幅方向に凸部を有して前記半導体基板内に形成され、前記所定の結晶とは異なる格子定数を有するエピタキシャル結晶が埋め込まれたソース・ドレイン領域と、を具備するトランジスタと、前記凸部以外の前記ソース・ドレイン領域に接続されたコンタクトプラグと、を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】拡散抵抗領域の長手方向の端部と該拡散抵抗領域の長手方向にある絶縁分離用トレンチ内の（ドープド）ポリシリコン膜との電気的接続に要する表面面積を少なくすることのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】前記拡散抵抗領域７はトレンチ３ａより相互に絶縁分離され、前記トレンチ３ａの側壁にゲート絶縁膜４ａを介して設けられているポリシリコン５ａが、前記拡散抵抗領域３のいずれか一方の端部のｐ^＋コンタクト領域７ｂのみに接続され、短絡されている半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】裏面を平坦化できる太陽電池及びその裏面金属被覆の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板４１と、裏側表面の第１部分に設けられ、裏側表面から離れた側に面する平面状第１表面部４６−１１、および平面状第１表面部４６−１１から裏側表面に向かって延びる第１端部４６−１２を有する裏面電界金属化層４６と、裏側表面の第２部分に設けられ、裏側表面から離れた側に面する平面状第２表面部４８−１１、および平面状第２表面部４８−１１から裏側表面に向かって延びる第２端部４８−１２を有するはんだパッド金属化層４８と、を含む太陽電池において、第１端部４６−１２が重畳しない方式で第２端部４８−１２に当接することによって、平面状第１表面部４６−１１が平面状第２表面部４８−１１と実質的に同一平面になるように裏面電界金属化層４６およびはんだパッド金属化層４８を配置する。 （もっと読む）