【課題】ゲート絶縁膜破壊が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極給電用シリコンピラー５の表面を覆うゲート電極８と重なる位置に設けられたコンタクトホール１３を備え、コンタクトホール１３には、コンタクトホール１３の底部から少なくともゲート電極８の上面よりも上方まで充填されたゲートリフトポリシリコン１４と、ゲートリフトポリシリコン１４上に配置されたゲートコンタクト１５とが設けられていることを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスター中間体および薄膜トランジスターを提供する。
【解決手段】ｎ⁻アモルファスＳｉ半導体膜４の上に形成されたｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´と、ｎ^＋アモルファスＳｉオーミック膜４´の上に形成されたバリア膜１１と、バリア膜１１の上に形成されたドレイン電極膜５およびソース電極膜６を有する薄膜トランジスター中間体であって、ドレイン電極膜およびソース電極膜は、バリア膜１１に接して形成されているＣａ：０．２〜１０モル％、Ａｌ、ＳｎおよびＳｂの内の１種または２種以上を合計で０．０５〜２モル％、酸素：１〜２０モル％を含有し、残部がＣｕからなる酸素−Ｃａ（Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ）銅合金中間体下地層１２と、この酸素−Ｃａ（Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ）銅合金中間体下地層１２の上に形成されたＣｕ合金層１３とからなる複合銅合金膜１４が形成されている薄膜トランジスター中間体、並びに薄膜トランジスター。 （もっと読む）

【課題】不純物が少ない金属膜を低温でかつ良好なステップカバレッジで成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板１上に気相状態の所定の金属元素を含む金属原料ガスを吸着させ吸着層２とする工程と、吸着層２に蟻酸を供給し、基板１上に所定の金属元素の蟻酸塩膜３を生成させる工程と、生成された蟻酸塩膜３に対し、還元雰囲気中でエネルギーを与え、蟻酸塩を分解して金属膜４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、アモルファス酸化物半導体を用いた薄膜電界効果型トランジスタの高精細化が容易で生産性にすぐれた製造方法を提供することにある。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたアモルファス酸化物半導体層と、前記アモルファス酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタの製造方法であって、前記ソース電極及びドレイン電極が電気化学的に酸化され得る金属より形成され、該金属の前記ソース電極とドレイン電極との間にあってチャネル部を形成する領域を電気化学反応により金属酸化物に変質させ、該金属酸化物をエッチングにより除去することにより前記ソース電極及びドレイン電極をパターニングするパターニング工程を有する薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴ等のＮＭＯS及びＰＭＯSを有する半導体装置において、ゲート電極の実効仕事関数を、Ｓｉバンドギャップのmid-gap付近の値に安定的に設定することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】素子分離膜によって分離されてなる、ｐ型拡散層及びｎ型拡散層を有する半導体基板と、前記半導体基板の、前記ｐ型拡散層及びｎ型拡散層それぞれの上に形成されてなるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属膜を含むゲート電極と、前記ゲート絶縁膜と前記金属膜との界面に形成されたＧｅ介在物と、前記金属膜上に形成されたシリコン含有層と、を具えるようにして半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】特定のプラスチック基板と特定の樹脂製の絶縁体層とを組み合せることにより、可撓性を有し、簡易なプロセスにより低コストに製造可能な有機電界効果トランジスタであって、高性能な有機電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁体層３と、この絶縁体層３により隔離されたゲート電極２及び有機半導体層４と、この有機半導体層４に接するように設けられたソース電極５及びドレイン電極６を、絶縁性支持基板上１に有する電界効果トランジスタ。絶縁性支持基板１がポリエチレンテレフタレートからなり、絶縁体層３がポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、（メタ）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シアノ基を有する炭化水素樹脂及びフェノール樹脂の１種又は２種以上からなる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを電極に接点接触させる方法では、実装後に、半導体チップの位置ずれが生じやすい。また、金属結合によって電気的接続を確保する場合に比べて、電気抵抗が高くなり易い。
【解決手段】 第１の基板(10)の表面に第１の電極(12)が形成されている。第１の基板の表面上に、第１の電極の位置に第１の開口(20a)が形成されている絶縁膜(20)が配置されている。第１の開口内に、第１の電極に電気的に接続された金属部材(21)が形成されている。複数のカーボンナノチューブ(55)の一方の端部が金属部材内に埋め込まれ、金属部材に固定されている。 （もっと読む）

【課題】ローカルインタコネクトを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】ローカルインタコネクトを備えた半導体装置であって、基板上に配置され、実質的に同一線上にある第１ゲート線構造と第２ゲート線構造、前記第１ゲート線構造の両側の前記基板に形成された第１対ソース／ドレイン領域と前記第２ゲート線構造の両側の前記基板に形成された第２対ソース／ドレイン領域、及び前記第１ゲート線構造と前記第２ゲート線構造の両側の前記基板上に配置され、それらが前記第１対ソース／ドレイン領域のうちの１つと前記第２対ソース／ドレイン領域のうちの１つに接続された一対の導電線を含む半導体装置。 （もっと読む）