【課題】大きな基板上に形成された薄膜を下側にして上側からレーザ加工する際に、基板が撓んでいても加工途中に焦点位置を制御せずに高い加工精度での加工を可能とする。
【解決手段】ガラス基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射して加工するビーム加工装置である。ビーム照射手段５０の対物光学装置５１は、ベッセルビームを照射するための軸状集光用光学素子５２として円錐形状レンズを備える。ベッセルビームは、軸状集光ビームであり、ビームの径、特に、中心の強度のピークとなる部分の径が円錐形状レンズからの距離が近い範囲では大きく変化しない。したがって、対物光学装置５１に対するビーム照射位置が基板の撓みにより変化しても、それをベッセルビームの焦点深度の範囲内として、加工中に焦点位置を変更するような制御しなくても、高い精度での加工を可能とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】開閉部材の操作によって対応するガス流出口を開閉させ、エピ厚傾きの変化の傾向をモデル化し、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、半導体ウェーハにエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層について半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置においてエピタキシャル層の実厚みを測定する実厚み測定工程Ｓ３と、複数の測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みに基づいて実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する実エピ厚傾き算出工程Ｓ４と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて開閉部材を操作することにより実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程Ｓ１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定した成膜を行うことができ、かつ高品位のルテニウム膜を得ることができる化学気相成長方法の提供。
【解決手段】テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物を気化せしめ、当該気化したルテニウム化合物を反応室に供給して基体上に析出させる工程と、気化したルテニウム化合物の反応室への供給を停止して、前記反応室内に残留している気化したルテニウム化合物を除去する工程と、基体上に析出したルテニウム化合物を分解せしめルテニウム膜を形成する工程と、を含む化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】銅配線の電気抵抗を低減し、安定化するとともに、不純物を除去することにより、銅配線の信頼性を向上させることが出来る銅膜のアニール方法を提供する。
【解決手段】バリア層が形成されたシリコン基板上にめっき法あるいは気相堆積法により銅膜を成膜する。これを２００℃〜３００℃、２〜３０ＭＰａの高温高圧の二酸化炭素、または不活性元素の気体中で、ないしは超臨界二酸化炭素中で、あるいはさらにこれらに水素を含有させた気体、流体中で処理する。 （もっと読む）

【課題】プリ・メタル層間絶縁膜の構成法としては、オゾンＴＥＯＳによる酸化シリコン膜の埋め込み特性の良好なＣＶＤ酸化シリコン系絶縁膜を成膜後、高温リフローさせて平坦化した後、ＣＭＰスクラッチ耐性が良好なプラズマＴＥＯＳによる酸化シリコン膜を積層し、更にＣＭＰで平坦化することが考えられる。しかし、コンタクト・ホール形成プロセスにおいて、プリ・メタル層間絶縁膜中のクラックがコンタクト・ホール内に露出し、そこにバリア・メタルが入り込み、ショート不良の原因となることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明はプリ・メタル工程において、エッチ・ストップ膜上にオゾンＴＥＯＳ膜を形成後、一旦、ゲート構造上のエッチ・ストップ膜が露出するようにオゾンＴＥＯＳ膜をエッチバックし、その後、残存オゾンＴＥＯＳ膜上にプラズマＴＥＯＳ膜を成膜し、このプラズマＴＥＯＳ膜をＣＭＰにより、平坦化するものである。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴチャンネルのオーバーエッチングされる程度が低下され、液晶表示装置の表示機能が確保できる液晶表示装置のアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置のアレイ基板の製造方法において、ソースドレイン金属層の上部に、スリートーンマスクによりフォトレジストパターン層を形成する工程と、フォトレジストパターン層が露出されたソースドレイン金属層及び第１の透明導電層に対してウェットエッチングを行う工程と、フォトレジストパターン層に対して第１回目のアッシングプロセスを行い、露出されたソースドレイン金属層、第１の透明導電層及び活性層パターンに対してドライエッチングを行う工程と、フォトレジストパターン層に対して第２回目のアッシングプロセスを行い、露出されたソースドレイン金属層に対してウェットエッチングを行う工程と、残されたフォトレジストパターン層を除去する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】トレンチゲート形成において、ペアスペースパターンの位置ずれの生じないパターン形成方法を提供する。
【解決手段】被加工層１上に、第３〜第１マスク層１３，１２，１１を順次積層する。第１マスク層上に第４マスク層を形成し、第４マスク層をマスクにして第１マスク層をラインパターン形状に成形する。第１マスク層のライン幅方向両側に、サイドウオール層２１ａを形成してから第１マスク層を除去する。一対のサイドウオール層をマスクにして第２マスク層を一対のラインパターン形状に成形する。第３マスク層上に第５マスク層を形成し、第５マスク層をマスクにして一対の開口部を第３マスク層に設ける。第３マスク層をマスクにして被加工層に一対の溝部を設ける。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜破壊が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極給電用シリコンピラー５の表面を覆うゲート電極８と重なる位置に設けられたコンタクトホール１３を備え、コンタクトホール１３には、コンタクトホール１３の底部から少なくともゲート電極８の上面よりも上方まで充填されたゲートリフトポリシリコン１４と、ゲートリフトポリシリコン１４上に配置されたゲートコンタクト１５とが設けられていることを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系下地膜との密着性やバリア性に優れた配線膜を形成するための酸素を含有したＣｕ合金ターゲットに関して、ターゲット中に存在する酸素を均一に分散させたスパッタリングターゲットの製造方法およびその製造方法で作製されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 酸素含有雰囲気中で加熱処理して酸素導入したＣｕ粉末と、Ｃｕよりも酸化物形成自由エネルギーが小さい元素から選ばれる少なくとも1種類以上の添加元素粉末とを混合した後に加圧焼結し、Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素を０．０５〜１０原子％含有するとともに、酸素を５．０原子％以上かつＣｕと添加元素が形成する酸化物の化学量論量以下含有するスパッタリングターゲット素材を得るスパッタリングターゲットの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】銅、銅／モリブデンまたは銅／モリブデン合金の食刻組成物を提供する。
【解決手段】組成物の総重量を基準に、１２〜３５重量％の過酸化水素、０．５〜５重量％の硫酸塩、０．５〜５重量％のリン酸塩、０．０００１〜０．５重量％のフルオロイオンを提供できるフッ化物、０．１〜５重量％の第１水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のキレート剤、０．１〜５重量％の第２水溶性環状アミン、０．１〜５重量％のグリコール、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする脱イオン水を含む銅膜、銅／モリブデン膜または銅／モリブデン合金膜の食刻組成物。 （もっと読む）