【課題】デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、これと接触するゲート誘電体層１０４を形成する工程と、ゲート誘電体層の上に、これと接触する金属層１０５を形成する工程と、金属層の上に、これと接触するゲート充填材料の層１０６を形成する工程と、ゲート誘電体層、金属層、およびゲート充填層をパターニングして、第１ゲートスタックと第２ゲートスタックとを形成する工程と、半導体基板中に、ソースおよびドレイン領域１０９を形成する工程と、第１および第２ゲートスタックの少なくとも片側の第１および第２領域中に誘電体層を形成する工程と、その後に第２ゲートスタックのみからゲート充填材料を除去し、下層の金属層を露出させる工程と、露出した金属層を金属酸化物層１０５１に変える工程と、第２ゲートスタックを他のゲート充填材料１１５を用いて再形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによりＴｉ膜を成膜する際に、より低抵抗でかつ抵抗のばらつきが小さいＴｉ膜を成膜することができ、プラズマダメージを小さくすることができるＴｉ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内にシリコンウエハを配置し、ＴｉＣｌ_４ガスおよびＨ_２ガスを含む処理ガスを導入しつつチャンバ内にプラズマを生成し、そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してシリコンウエハ上にＴｉ膜を成膜するにあたり、チャンバ内にシリコンウエハが配置された状態でＴｉＣｌ_４ガスを導入した後、チャンバ内にプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】配線のエッチング特性を良好に維持することができるエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、リン酸４０乃至６５重量％、硝酸２乃至５重量％、酢酸２乃至２０重量％、リン酸塩を含む化合物０．１乃至２重量％、アミノ基とカルボキシル基を同時に含有する化合物０．１乃至２重量％、及び全体組成物の総重量が１００重量％となるようにする水を含むエッチング液組成物、これを用いた金属パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 サリサイドオフセット領域の形成により、ベース側の空乏層が十分に広がり、リーク電流や接合耐圧低下の問題を防ぐサリサイド処理を行った縦型バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 縦型バイポーラトランジスタは、半導体基板１に形成された第一導電型（Ｎ型）のコレクタ領域２と、コレクタ領域２内に形成された第二導電型（Ｐ型）のベース領域５と、ベース領域５内に形成された第一導電型のエミッタ領域６と、ベース領域５を囲むようにコレクタ領域２の表面部に形成されたフィールド酸化膜４と、ベース領域５上に形成されたサリサイド層１４とを具備する。ベース領域５の表面は、サリサイド層１４が形成されたサリサイド領域と、フィールド酸化膜４の端部とサリサイド領域の端部との間にサリサイド層が形成されていないサリサイドオフセット領域１５とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置な
らびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低
減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】 基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶
縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と
、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部
に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲ
ート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層
とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フ
ォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる
。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低いままで、高温での相安定性、及び高温でのモルホロジーに関する膜安定性の両方を有する、シリコンを含む基板からニッケルモノシリサイドを含む層を製造するための方法を提供する。
【解決手段】ａ）シリコンを含む前記基板の厚さの一部に、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ及びこれらの混合物から選択される元素を組み込む工程；ｂ）工程ａ）にて得られた基板上に、ニッケル層並びにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びこれらの混合物から選択される元素の層、又はニッケルとＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びこれらの混合物から選択される元素との両方を含む層を堆積させる工程；ｃ）任意にニッケルモノシリサイドＮｉＳｉの形態でニッケルシリサイドを含む層を形成させるために加熱する工程；ｄ）ｃ）にて得られた前記層にフッ素を組み込む工程；及びｅ）任意に、ｄ）にて記載された層を、全体がニッケルモノシリサイドの含む層に転化するために加熱する工程。からなる。 （もっと読む）

【課題】コスト高を招くことなく、簡単な構成で高密度化プラズマを発生させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内で基板Ｓを保持するステージ７と、ステージ７に対向配置されたターゲット２と、真空チャンバ１内にスパッタガスを導入するガス導入手段とを備えたスパッタリング装置Ｍにおいて、ターゲット２に直流電力を投入する第１のスパッタ電源５と、基板Ｓに高周波電力を投入する第２のスパッタ電源８とを更に備え、両スパッタ電源５、８から電力投入すると、ターゲット２側の直流プラズマと、基板Ｓ側の高周波バイアスプラズマとが重畳されたプラズマがターゲット２と基板Ｓとの間に発生するように、ターゲット２及び基板Ｓを近接配置する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの電気特性や信頼性はチャネル領域に不純物元素が拡散することで損なわれてしまう。アルミニウム原子が酸化物半導体層へ拡散し難い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、及び亜鉛を含む酸化物半導体層を有した薄膜トランジスタ１５０がアルミニウムを第１成分とする第１導電層（１１４ａ、１１４ｂ）と高融点金属材料からなる第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）を積層したソース電極層及びドレイン電極層（１１７ａ、１１７ｂ）を有し、酸化物半導体層１１３が、前記第２導電層（１１５ａ、１１５ｂ）および酸化アルミニウムを第１成分とするバリア層（１１６ａ、１１６ｂ）と接することで、アルミニウム原子の酸化物半導体層１１３への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】金属層にノッチ形状が形成されず、多結晶シリコン層から金属層へのシリコンの拡散を防止したＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ＭＩＰＳゲート構造を有する半導体装置の製造方法において、ＭＩＰＳゲートの作製工程は、半導体基板上に、ゲート絶縁膜、メタル層、および多結晶シリコン層を順次堆積する工程と、多結晶シリコン層の上に形成したエッチングマスクを用いて、多結晶シリコン層をエッチングする工程と、メタル層を選択的にエッチングして、下方に向かって側壁がテーパ状に張り出したメタル層を残す工程と、多結晶シリコン層の側壁を含む平面から外方に突出したメッキ層のテーパ部を酸化して、酸化テーパ部とする酸化工程と、酸化テーパ部をエッチングで除去する除去工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】表示デバイスに用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、Ａｌ合金膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液に対する腐食性を改善できるＡｌ合金膜を開発し、それを備えた表示デバイスを提供する。
【解決手段】Ｇｅを０．２〜２．０原子％、および元素群Ｘ（Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ）より選択される少なくとも１種の元素を含むと共に、希土類元素と高融点金属群（Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｈｆ）からなる元素群Ｑより選択される少なくとも１種の元素を０．０２〜１原子％含み、かつ、粒径が１００ｎｍを超える析出物が１０^−６ｃｍ^２あたり１個以下であるところに特徴を有するＡｌ合金膜と、該Ａｌ合金膜を備えた表示装置。 （もっと読む）