【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置な
らびに半導体装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低
減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。
【解決手段】 基板上に逆スタガ型のＴＦＴ上に無機材料から成る第１の層間絶
縁層と、第１の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第２の層間絶縁層と
、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部
に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲ
ート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第２の層
とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フ
ォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を５枚とすることができる
。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属ゲート電極表面を低温で金属絶縁膜に変え、デバイスの、すなわち、回路・システムの信頼性を向上するデバイス構造、および、その製作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、ＭＯＳデバイスのゲート電極を金属を用いて形成し、その側壁を金属絶縁膜に改質し、デバイスの信頼性を向上したことを特徴とする。また、良質な金属絶縁膜を、低温で形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気的特性が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子１００は、支持基板１と、支持基板１上に形成されたｐ側オーミック電極１５と、ｐ側オーミック電極１５上に形成され、活性層１２を含む半導体層１０ａとを備え、ｐ側オーミック電極１５は、Ａｇを主成分とし、約０．６質量％のＰｄと、約０．９質量％のＣｕとを含有するＡｇ合金材料からなるＡｇ合金層１５ｂを含む。 （もっと読む）

【課題】電極幅の更なる細線化及び低抵抗化が可能な導電性インク組成物及び該組成物を用いて電極又は電気配線が形成された太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】導電性粒子と、加熱硬化性樹脂組成物、硬化剤及び溶剤とを含む有機系ビヒクルからなる導電性インク組成物において、導電性粒子が平均粒径１ｎｍ以上１００ｎｍ未満のナノ銀粒子と平均フレーク径が０．１μｍ以上３μｍ未満であるフレーク状導電性粒子とを含有し、導電性粒子が前記フレーク状導電性粒子を前記ナノ銀粒子より質量割合でより多く含有することを特徴とする。導電性粒子は平均粒径０．１〜３μｍの球状導電性粒子を更に含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系の配線材料として用いた場合でも、十分な耐ヒロック性に備えるとともに、ドライエッチングを適用でき、さらに、レジストマスクを剥離する際に用いる剥離液によって、配線がエッチングされることのない電気的固体装置、電気光学装置、および電気的固体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、素子基板１０上に走査線３ａなどの配線を形成するにあたって、ネオジウムを２ａｔｍ％未満含有するアルミニウム合金膜を用いるとともに、走査線３ａの上面および側面を酸化して表面保護膜３１ａを形成する。このため、走査線３ａは、耐ヒロック性が高いとともに、表面保護膜３１ａ、３１ｅによってアルカリ性の剥離液から保護される。 （もっと読む）

【課題】熱酸化シリコン膜、非ドープＣＶＤ酸化シリコン膜、多結晶シリコン膜、窒化シリコン膜を含む積層膜に対して、常温において洗浄時の各種膜に対するエッチング量差を低減し、また、各種膜に対するエッチング速度を適度に制御することを可能とする。
【解決手段】半導体基板の主面上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に導電層を堆積する工程と、前記導電層の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記絶縁層および前記導電層をエッチングすることによってゲート素子を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去した前記半導体基板の主面を半導体洗浄用組成物によって洗浄する工程と、前記半導体洗浄用組成物のリンス処理および乾燥処理を行う工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体洗浄用組成物は、フッ化アンモニウムと、フッ化水素酸と、過酸化水素と、脂肪族第１級アミンとを含む２０℃〜２８℃の混合水溶液からなる。 （もっと読む）

【課題】コーティング層の下地パターンとなる層を形成する際にプロセスを複雑化させること無くコーティング層の剥離耐性の改善するパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも一種類の無機物からなる超微粒子を含むコロイド材料を基板に接触して配置し、前記コロイド材料と前記基板の接触面近傍にエネルギービームを照射することで前記基板上に前記無機物を含む層を固定化してパターンを形成するパターン形成方法であって、前記コロイド材料によってパターン形成する際のエネルギーより大きい前記エネルギービームを前記コロイド材料に照射することで、前記パターン表面にパターン上方にさらに形成されるコーティング層と機械的な結合を得るためのアンカーポイントをパターンと同時に形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に設けられる金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板上に形成され、Ｓを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する界面層と、界面層上に形成され、略全域にＳを１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上含有する金属半導体化合物層と、金属半導体化合物層上の金属電極を有することを特徴とする半導体装置。半導体基板上に金属膜を堆積し、第１の熱処理により、金属膜を半導体基板と反応させて、金属半導体化合物層を形成し、金属半導体化合物層に、飛程が金属半導体化合物層の膜厚未満となる条件でＳをイオン注入し、第２の熱処理により、Ｓを再配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】追従性が高く良好なステップ・カバレージ及び低い抵抗率を有する窒化チタン障壁層を形成する方法を提供する。
【解決手段】部分的に製作された電子デバイスに窒化チタン障壁層を形成する方法であって、前記部分的に製作された電子デバイスの上に第１の温度で、第１の抵抗率を有する第１の窒化チタンサブレーヤ４０を堆積させる工程と、前記第１の窒化チタンサブレーヤの上に第２の温度で、第２の抵抗率を有する第２の窒化チタンサブレーヤ４２を堆積させる工程とを備えており、前記第２の温度は前記第１の温度よりも高く、第２の抵抗率は第１の抵抗率よりも低いことを特徴とする窒化チタン障壁層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】高いスイッチング速度と低いオン抵抗とを両立させたＩＧＢＴを得る。
【解決手段】このＩＧＢＴ１０においては、結晶欠陥層２５が、活性領域２０においてはｎ層１０２中に、非活性領域４０においてはｐ型基板１０１中に形成されている。すなわち、活性領域２０における結晶欠陥層２５は、非活性領域４０における結晶欠陥層２５よりも表面からみて浅い位置に形成されている。このＩＧＢＴ１０においては、上記の構成により、正孔注入量が非活性領域４０において少なくされることにより、スイッチング速度が高くなる。一方、活性領域２０における正孔注入量の減少は非活性領域４０よりも小さくなる。従って、この際のオン抵抗の増大は抑制される。 （もっと読む）