【課題】高耐電圧のダイヤモンド電子素子及び高耐電圧のダイヤモンド電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明のダイヤモンド電子素子２は、第２ダイヤモンドエピタキシャル層２２を有する本体部と、本体部に設けられた電極２４とを備えたダイヤモンド電子素子であって、第２ダイヤモンドエピタキシャル層２２は、３×１０^４ｃｍ^−２以下の面密度の複合転移を有する所定の電圧印加領域Ｅ１を含み、電極２４は、電圧印加領域Ｅ１上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭにおいてＮＭＯＳ及びＰＭＯＳトランジスタのバランスを確保して、ＰＭＯＳトランジスタの閾値電圧を高くできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メモリ領域において、基板の第１半導体領域（１２，１３）の第１チャネル形成領域上に第１ゲート絶縁膜（２０，２１）を介して第１ゲート電極が形成され、第１半導体領域に第１ソースドレイン領域（１６，１７）が形成されて第１トランジスタが形成され、ロジック領域において、基板の第２半導体領域（１４，１５）の第２チャネル形成領域上に第２ゲート絶縁膜（２２，２３）を介して第２ゲート電極が形成され、第２半導体領域に第２ソースドレイン領域（１８，１９）が形成されて第２トランジスタが形成され、第１ゲート電極の第１ゲート絶縁膜に接する部分が金属（４０，４１）からなり、第２ゲート電極の第２ゲート絶縁膜に接する部分が半導体（２６，２７）からなる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置への出し入れ回数を減らした表示装置の製造方法および表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる表示装置の製造方法は、絶縁基板上に第１の電極膜と第２の電極膜とを含む導電層、第１の絶縁層、半導体膜、第２の絶縁層および保護層を形成する工程と、半導体膜の上方の第１の領域に配置される所定の厚さの第１のレジスト膜と、第２の電極膜の上方の第２の領域に配置される開口部と、それら以外の領域に配置される厚い第２のレジスト膜と、を保護層上に形成する工程と、第２の領域下をエッチングする工程と、第１のレジスト膜をアッシングにより除去する工程と、第１の領域下に半導体膜に達する第１の孔を形成し、かつ第２の領域下に第２の電極膜に達する第２の孔を形成する工程と、第２のレジスト膜を除去する工程と、半導体膜および第２の電極膜と接続される配線を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換効率が高く高温高湿環境下でも太陽電池特性の劣化が抑制された太陽電池および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、ｐｎ接合を有する基板上の線状の受光面電極が、下地電極層および前記下地電極層上のメッキ電極層を備え、前記メッキ電極層が、前記下地電極層の線幅と同じ線幅、又は前記下地電極層の線幅より狭い線幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サリサイドプロセスで金属シリサイド層を形成した半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２、ソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂ及びｐ^＋型半導体領域８ｂを形成してから、半導体基板１上にＮｉ_１−ｘＰｔ_ｘ合金膜を形成し、第１の熱処理を行って合金膜とゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２、ｎ^＋型半導体領域７ｂ及びｐ^＋型半導体領域８ｂとを反応させることで、（Ｎｉ_１−ｙＰｔ_ｙ）_２Ｓｉ相の金属シリサイド層４１ａを形成する。この際、Ｎｉの拡散係数よりもＰｔの拡散係数の方が大きくなる熱処理温度で第１の熱処理を行ない、かつ、金属シリサイド層４１ａ上に合金膜の未反応部分が残存するように、第１の熱処理を行なう。これにより、ｙ＞ｘとなる。その後、未反応の合金膜を除去してから、第２の熱処理を行って金属シリサイド層４１ａを更に反応させることで、Ｎｉ_１−ｙＰｔ_ｙＳｉ相の金属シリサイド層４１ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンへのオーミック接合が得られると共に、シリコン中への元素の拡散を抑制できる配線構造及び配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線構造１ａは、シリコン層１０と、シリコン層１０上に設けられ、マンガン（Ｍｎ）が添加された銅合金からなる下地層２０と、下地層２０上に設けられる銅層３０とを備え、シリコン層１０と下地層２０との界面を含む領域でＭｎが濃化することにより、電気導電性を有する拡散バリア層２５が形成される。 （もっと読む）

【課題】比表面積の大きな多孔質体であって、良好な電気化学特性が期待できる導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜及び導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜は、導電性ダイヤモンドの中空ファイバーが三次元的に絡み合って形成されているため、大きな比表面積を有し、また、貫通した中空体である中空ファイバーにより構成されるので、電解液等の流体の通過も容易であるため、高い電気化学的特性を得ることができる。かかる本発明の導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜は、耐熱性のある繊維が三次元的に絡み合って形成される多孔質基材に導電性ダイヤモンドナノ粒子分散溶液を塗布し、多孔質基材にダイヤモンドナノ粒子を固定し、化学気相成長法により、多孔質基材の表層部（表面及びその内部）に導電性ダイヤモンド膜を合成した後、導電性ダイヤモンド膜から多孔質基材を除去することにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられるパッド部として適した構造を提供することを目的の一とする。酸化物半導体の他、絶縁膜及び導電膜を積層して作製される各種用途の表示装置において、薄膜の剥がれに起因する不良を防止することを目的の一とする。
【解決手段】走査線と信号線が交差し、マトリクス状に配列する画素電極層と、該画素電極層に対応して設けられた画素部を有し、該画素部に酸素の含有量が異なる少なくとも二種類の酸化物半導体層とを組み合わせて構成され、ゲート電極層と重なるチャネル形成領域となる半導体層上にチャネル保護層が設けられた逆スタガ型薄膜トランジスタが設けられた表示装置である。この表示装置において画素部の外側領域には、走査線、信号線を構成する同じ材質の導電層によって、画素電極層と対向する共通電極層と電気的に接続するパッド部が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ゲートラストプロセスで作製するトランジスタにおいて、活性領域と素子分離領域の高さばらつきのためゲートのポリシリコンを抜くことができないことにより、ゲートの抵抗にばらつきが生じるのを防ぐことを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１のゲート部３０及び第２のゲート部３１の上面が共に露出するように、酸化膜１６、ＰＭＤ１９、及び第１のゲート部３０又は第２のゲート部３１の一部を研磨除去する工程、露出された部分より、ポリシリコン１２を抜く工程、第１のゲート部３０及び第２のゲート部３１を覆うメタルを形成する工程を備える。また、第１のゲート部３０及び第２のゲート部３１の上面が共に露出するようにメタルを研磨除去し、第１のゲート部３０と第２のゲート部３１で厚みの異なるメタルを残す工程を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられる共通接続部として適した構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素部の外側領域に設けられる共通接続部は、ゲート絶縁層と同じ層で形成された絶縁層上に、第２酸化物半導体層と同じ層で形成された酸化物半導体層と、導電層と同じ層で形成された導電層（共通電位線とも呼ぶ）とが積層された構成を有し、第１酸化物半導体層上に設けられた層間絶縁層の開口部を介して導電層（共通電位線とも呼ぶ）が共通電極と接続しており、画素電極と対向する電極が導電性粒子を介して共通電極と電気的に接続する。 （もっと読む）