【課題】配線抵抗を低下させて、均一かつ確実に動作させる透明薄膜トランジスタ及び画像表示装置を提供すること。
【解決手段】実質的に透明な基板と、基板上に実質的に透明な導電材料の第１の薄膜と金属材料の第２の薄膜とを２層以上積層して形成されたゲート配線と、ゲート配線上に形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体活性層と、実質的に透明な半導体活性層を挟んで離間して形成された実質的に透明な導電材料の第５の薄膜と金属材料の第６の薄膜とを２層以上積層して形成されたソース配線と、実質的に透明な半導体活性層を挟み、ソース配線に離間して実質的に透明な導電材料の第７の薄膜で形成されたドレイン電極と、を備えることを特徴とする透明薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられる共通接続部として適した構造を提供することを目的の一とする。
【解決手段】画素部の外側領域に設けられる共通接続部は、ゲート絶縁層と同じ層で形成された絶縁層上に、第２酸化物半導体層と同じ層で形成された酸化物半導体層と、導電層と同じ層で形成された導電層（共通電位線とも呼ぶ）とが積層された構成を有し、第１酸化物半導体層上に設けられた層間絶縁層の開口部を介して導電層（共通電位線とも呼ぶ）が共通電極と接続しており、画素電極と対向する電極が導電性粒子を介して共通電極と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、自己整合シリサイドプロセスを用いた、ポリ抵抗を有する半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０に素子分離層２０を形成する工程と、素子分離層の上方に抵抗層１１０を形成する工程と、抵抗層を覆う第１絶縁層１２０を形成する工程と、半導体基板の上方であって、素子分離層で区画された領域に、ゲート酸化膜２２０を形成する工程と、ゲート酸化膜の上方にゲート電極２１０を形成する工程と、ゲート電極の側壁にサイドウォール２４０を形成する工程と、半導体基板の露出した領域に不純物を注入して、ソースおよびドレイン領域を形成する工程と、第１絶縁層をパターニングすることによって、抵抗層を露出する工程と、抵抗層の露出した領域と、ゲート電極の上と、ソースおよびドレイン領域の上と、にシリサイド層３０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く良好な特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成され、チャネル領域とチャネル領域を挟むソース／ドレイン・エクステンション領域１０８の少なくとも一部とを含むＳｉＧｅ膜１０４ａと、半導体基板の表面領域に形成され、ソース／ドレイン・エクステンション領域に接するソース／ドレイン・コンタクト領域１１０と、ＳｉＧｅ膜上に形成されたゲート絶縁膜１０５およびゲート電極１０６を有するゲート構造と、ＳｉＧｅ膜上に形成され、且つゲート構造の側面に形成された第１の側壁膜１０７と、ＳｉＧｅ膜上に形成され、且つ第１の側壁膜上に形成された第２の側壁膜１０９と、ソース／ドレイン・コンタクト領域上に形成され、且つＳｉＧｅ膜の側面および第２の側壁膜上に形成された第３の側壁膜１１１と、ソース／ドレイン・コンタクト領域上に形成されたシリサイド膜１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、マイクロ波加熱を用いることによって、塗布膜から形成される酸化物半導体の前駆体の酸化膜への変換を容易として、酸化物半導体膜を活性層とする薄膜トランジスタ素子の生産効率を向上させることにある。
【解決手段】酸化物半導体の前駆体薄膜を加熱して酸化物半導体膜に転化させる薄膜トランジスタの製造方法において、マイクロ波を吸収し発熱する材料を前駆体薄膜の内部、又は前駆体薄膜に接して配置し、この材料にマイクロ波を照射することにより、酸化物半導体膜への転化を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の使用時において熱による反りを抑制し、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】縦型ＭＯＳトランジスタを構成する半導体基板１０の表面上に、ソース領域と接続したソースパッド電極１８が形成されている。ソースパッド電極１８には、メッキ法により形成された表面電極２３が形成されている。表面電極２３にはバンプ電極３１が接続されており、表面電極２３は、バンプ電極３１を露出する保護膜２６に覆われている。一方、半導体基板１０の裏面上には、ドレイン領域と接続した裏面電極３０が形成されている。表面電極２３と裏面電極３０は、同じ線膨張係数を有した金属、好ましくは銅からなる。また、表面電極２３と裏面電極３０は、好ましくは同じ厚さ、あるいは略同じ厚さを有している。 （もっと読む）

【課題】 塗布技術や印刷技術を用いて形成した薄膜トランジスタを微細に形成し、さらに、ホトコンを低減することにより、高性能な薄膜トランジスタ、及びそれを用いた半導体装置を安価に提供すること。
【解決手段】 絶縁基板上に、ソース・ドレイン電極、ゲート絶縁膜、有機半導体層、ゲート電極の各部材が積層された薄膜トランジスタ、およびそのトランジスタを含む表示装置、ＩＣタグ装置、センサー装置において、有機半導体層は塗布法もしくは印刷法で形成されており、ソース・ドレイン電極上の有機半導体層の概略パターン平面形状の少なくとも一部（少なくともチャネル長方向の端部）がソース・ドレイン電極上のパターン形状と自己整合的な形状である構成とした。 （もっと読む）

【課題】本願発明者らによると、ＶＬＳＩ（Ｖｅｒｙ Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）のウエハ・プロセスにおいて、以下のような問題があることが明らかとなった。すなわち、プリ・メタル（Ｐｒｅｍｅｔａｌ）工程のタングステン・プラグ形成の準備工程としてのバリア・メタル・スパッタリング成膜時や第１層メタル配線層のスパッタリング成膜時に、ウエハからの脱ガスによる水分に起因する異物の発生がみられる。
【解決手段】本願発明は半導体集積回路装置の製造工程におけるプラズマ・プロセスで、プロセス・チャンバ外に設けられたアンテナにより、プラズマから発生する電磁波を受信することで、同チャンバ内の水分をインサイチュー・モニタ（Ｉｎ Ｓｉｔｕ Ｍｏｎｉｔｏｒ）するものである。 （もっと読む）

【課題】複数の物質層間の溶解度差を利用してダブルパターニングを具現する半導体素子の微細パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細パターンの形成方法は、基板１００上に、空間を介して相互に離隔されている複数の第１マスクパターン１２０を、基板１００の主面と平行方向に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度を有する第１物質からなる複数のキャッピング層１３０を、複数の第１マスクパターン１２０のそれぞれの側壁及び上面に形成するステップと、溶解剤に対して第１溶解度より低い第２溶解度を有する第２物質からなる第２マスク層を、空間内に形成するステップと、溶解剤を利用してキャッピング層１３０を除去し、かつ、第２マスク層の一部を除去した後、空間に残った第２マスク層の残留部分を、複数の第２マスクパターン１４０Ａとして形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）