【課題】有機電子装置のための電極処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）にける電極の処理方法と、そのような方法によって調製される装置と、そのような方法において使用される材料および配合物とに関する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素半導体装置を、表面構造形成工程を前に、裏面構造形成工程を後に実施する製造方法によって製造し、かつ、炭化ケイ素半導体装置の特性を確保する。
【解決手段】表面電極と、裏面電極とを備えた炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、表面電極の材料となる表面電極材料層を半導体基板に接して成膜する表面電極材料層の成膜工程と、表面電極材料層をアニール処理する第１アニール工程と、を含む表面構造形成工程と、裏面電極層の材料となる裏面電極材料層を半導体基板に接して成膜する裏面電極材料層の成膜工程と、裏面電極材料層にレーザ照射を行って、裏面電極材料層と半導体基板とをオーミック接合させる第２アニール工程と、を含み、表面構造形成工程の後に行われる裏面構造形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性の優れたシリコン膜を形成する成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第１温度で第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記基体及び前記第１膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第１温度から、前記第１温度よりも高い第２温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第１膜の上に、シランを用いて前記第２温度で第２膜を形成する第２膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの膜厚を抑制しながらメタルゲートの拡散性材料が高誘電率誘電体に拡散することを防ぐ。
【解決手段】半導体装置がゲート積層体構造を含む。ゲート積層体構造は、半導体基板５の上に形成された界面層４と、界面層４の上に形成された高誘電率誘電体３と、拡散性材料と不純物金属を含み、高誘電率誘電体の上方に形成されたシリサイドゲート１と、拡散性材料に対するバリア効果を持ち、高誘電率誘電体３とシリサイドゲート１の間に形成されたバリアメタル２とを備えている。不純物金属は、シリサイドゲート１の拡散性材料が高誘電率誘電体に導入されることを防ぐことができるような、拡散性材料に対するバリア効果を有している。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極及びドレイン電極は、第１の導電層と、第１の導電層の端部よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】薄膜光電変換装置において、大面積化に適した技術により歩留まりの低下を引き起こさずに高生産性を維持し、かつ、酸化亜鉛からなる透明電極層と光電変換ユニットとの間に良好な接合界面を形成することにより光電変換装置の変換効率を改善する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも酸化亜鉛層と、ｐ型半導体層と、光電変換層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、酸化亜鉛層とｐ型半導体層からなる界面近傍における酸化亜鉛の化学量論組成比をＺｎ：Ｏ＝１＋Ｎ：１（ただし、Ｎ＞０）としたことを特徴とする、光電変換装置。 （もっと読む）

【課題】マイクロローディング効果を防止しながら、上層配線となる金属配線のレイアウト制約のない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１上に形成されたゲート絶縁膜３と、ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４と、半導体基板１に形成された拡散層５と、半導体基板１の上に形成された絶縁膜７及び絶縁膜８と、絶縁膜及び絶縁膜８を貫通するホール９Ｄに埋め込まれ、側面を絶縁膜１１で覆われた金属材料からなるプラグ１２と、絶縁膜８を貫通しないホール１０Ｂに埋め込まれ、絶縁膜１１からなる絶縁体１０Ｃと、絶縁膜８の上に形成され、プラグ１２と電気的に接続する金属配線１３Ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、金属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。
【解決手段】本発明のコンタクトプラグ１０は、半導体装置の絶縁膜４に設けられたコンタクトホール５に形成され、コンタクトホール５の底部に形成された金属シリサイド膜３と、コンタクトホール５内で金属シリサイド膜３上に形成され、非晶質でシリコンを含む第１の酸化マンガン膜６ａと、その第１の酸化マンガン膜６ａ上に形成され、微結晶を含む非晶質の第２の酸化マンガン膜６ｂと、その第２の酸化マンガン膜６ｂ上に、コンタクトホール５を埋め込むように形成された銅プラグ層７と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来の電界効果型トランジスタでは、ソース領域およびドレイン領域に形成する高濃度不純物のイオン注入工程により半導体基板表面がアモルファス化されるため、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、活性化熱処理により結晶欠陥を誘発し、電界効果型トランジスタの信頼性を低下させる問題があった。
【解決手段】本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に高濃度不純物を含有する導電性膜を設ける。高濃度不純物のイオン注入を行う必要がないことから、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することがない。これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、表示装置の高画質化を図りつつ、消費電力を低減すること及び表示の劣化（表示品質の低下）を抑制することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層がゲート絶縁層を介してゲート電極と重畳するように設けられたトランジスタと、トランジスタのソース側又はドレイン側に接続された液晶を駆動する画素電極と、画素電極と対向するように設けられた対向電極と、画素電極と対向電極との間に設けられた液晶層とを有するサブユニットを複数有するユニットが、一又は複数設けられたピクセルがマトリクス状に配置されて画像を表示する表示パネルにおいて、オフ電流が、室温にてチャネル幅１μｍ当たり１０ｚＡ／μｍ未満、８５℃にて１００ｚＡ／μｍ未満であるトランジスタを用いる。 （もっと読む）