【課題】本発明は、高い信頼性を有するオーミック電極を備えた化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体層と、この窒化物半導体層上に設けられたオーミック電極と、を備え、前記オーミック電極は、前記窒化物半導体層との間で金属窒化物を形成する金属を含む第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２電極層と、前記第２電極層の外面を被覆し、かつタングステン（Ｗ）を含む第３電極層と、前記第３電極層の外面を被覆し、かつ金（Ａｕ）を含む第４電極層と、を有することを特徴とする化合物半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の高い良好なノーマリオフ特性を有する化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】キャリア走行層２１とキャリア供給層２２を有し、二次元キャリアガス層２１１が形成される化合物半導体層２と、化合物半導体層２上に互いに離間して配置され、二次元キャリアガス層２１１とオーミック接続する第１の主電極３及び第２の主電極４と、第１の主電極３と第２の主電極４間で、化合物半導体層２上に配置された金属酸化物半導体膜８と、金属酸化物半導体膜８上に配置された、金属酸化物半導体膜８に接するチタン膜又はチタンを含む化合物膜を有する制御電極５とを備える。 （もっと読む）

【課題】鉛を含まず、アルミニウム（Ａｌ）の仕事関数より電極配線としての見かけの仕事関数が小さくなるアルミニウム電極配線用のガラス組成物を提供する。
【解決手段】アルミニウムより仕事関数が小さい元素の酸化物から構成される。この酸化物は、バナジウム（Ｖ）の酸化物と、アルカリ土類金属の酸化物と、アルカリ金属の酸化物とから構成され、アルカリ土類金属の元素としてはカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）及びバリウム（Ｂａ）の元素の内少なくともバリウムを含む１種以上の元素がなり、アルカリ金属の元素としてはナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）及びセシウム（Ｃｓ）の元素の内少なくとも１種以上の元素がなる。バナジウムの元素が五酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）として含まれているとした場合に、五酸化バナジウムを４０〜７０重量％含む。 （もっと読む）

本願は、半導体デバイス及びその製造方法に関するものである。本発明の半導体デバイスの製造方法は、半導体基板を提供する工程と、半導体基板に、該半導体基板に形成されたゲート絶縁層及び該ゲート絶縁層に形成された犠牲ゲートを含むゲート領域と、ソース／ドレイン領域とを含むトランジスタ構造を形成する工程と、第１の層間絶縁層を堆積し、犠牲ゲートを露出させるように該第１の層間絶縁層に対して平坦化を行う工程と、犠牲ゲートを除去して、リプレースメントゲートホールを形成する工程と、第１の層間絶縁層におけるソース／ドレイン領域に対応する位置に、第１のコンタクトホールを形成する工程と、第１のコンタクトホール及びリプレースメントゲートホールに第１の導電材料を充填して、ソース／ドレイン領域に接触する第１のコンタクト部と、リプレースメントゲートとを形成する工程とを含む。本発明によれば、リプレースメントゲートと第１のコンタクト部は、同一の工程で同じ材料を堆積して形成することができるため、製造プロセスを簡単化できた。
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【課題】所望の実効仕事関数（例えば、高い実効仕事関数）を実現し、かつ、ＥＯＴが変化しない、またはＥＯＴの変化を低減した金属窒化膜、金属窒化膜を用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る金属窒化膜は、ＴｉとＡｌとＮを含有し、該金属窒化膜のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｎ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．５３以上であり、かつ、上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ｔｉ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．３２以下であり、かつ上記金属窒化物層のＴｉとＡｌとＮのモル比率（Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ＋Ｎ））が０．１５以下である。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と第１のコンタクトプラグとが接触する接触幅を充分に確保する。
【解決手段】半導体基板１０の上に、エッチングストッパー膜１７、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜１９を順次形成する。次に、第１，第２の層間絶縁膜１８，１９を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜１７を露出する第１のホール２３を形成する。次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。次に、第１の変質層２５を除去して、第２のホール２７を形成する。次に、エッチングストッパー膜１７における第２のホール２７に露出する部分を除去して、第１のコンタクトホール２９を形成する。次に、第１のコンタクトホール２９に、第１のコンタクトプラグ３２Ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン抵抗体の上に急速熱酸化処理により形成され、シリサイド化ブロック用酸化膜の一部として用いる熱酸化膜の膜厚が多種のポリシリコン抵抗体間でばらつくことにより、ポリシリコン抵抗体が部分的にシリサイド化されることを回避する。
【解決手段】多種のポリシリコン抵抗体全てにおいて、急速熱酸化処理によりポリシリコン抵抗体上に生成される熱酸化膜の膜厚と、ポリシリコン抵抗体を含む非シリサイド化領域に形成された保護酸化膜の膜厚との和が、シリサイド化ブロック用酸化膜としてのブロック性能を確保するために必要な膜厚以上となるように、保護酸化膜の膜厚を決定する。多種のポリシリコン抵抗体間で急速熱酸化処理により生成される熱酸化膜の膜厚に差が生じる場合でも、熱酸化膜と保護酸化膜とをシリサイド化ブロック用酸化膜として用いることにより、充分なブロック性能を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を回避し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】低濃度ドレイン領域２８ｈを形成するためのドーパント不純物が導入される所定領域を除く領域に、所定領域から離間するようにチャネルドープ層２２ｄを形成する工程と、半導体基板１０上にゲート絶縁膜２４を介してゲート電極２６ｄを形成する工程と、ゲート電極の一方の側の半導体基板内に低濃度ソース領域２８ｇを形成し、ゲート電極の他方の側の半導体基板の所定領域に低濃度ドレイン領域２８ｈを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】一般に、トレンチ内に真性ゲート電極と埋め込みフィールドプレート電極を有するトレンチ内ダブルゲート型バーティカルパワーＭＯＳＦＥＴにおいては、そのゲートピッチを２マイクロメートル程度以下の領域にまで縮小して行くと、微細化によるオン抵抗低減効果が薄れてしまう。しかし、本願発明者ら検討及び検証によると、埋め込みフィールドプレート電極をゲート電位に接続したゲート接続型のトレンチ内ダブルゲート型バーティカルパワーＭＯＳＦＥＴにおいては、ゲートピッチの微細化による総ゲート幅の増加により、低オン抵抗と高ソースドレイン耐圧を両立させることができる可能性があることが明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、トレンチ内ダブルゲート型パワーＭＯＳＦＥＴにおいて、トレンチ間隔を１．５マイクロメートル以下で、且つ、０．１マイクロメートル以上としたものである。 （もっと読む）