【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】任意の方向に傾斜した開口部を形成可能な基板の製造方法、半導体装置の製造方法、およびこれを適用した半導体装置を備えた電気光学装置を提供すること。
【解決手段】本適用例の素子基板１０１の製造方法は、素子基板１０１上に設けられた半導体装置としてのＴＦＴ１１０を覆うと共に第１開口部としての孔１０４ａが設けられた第２絶縁膜としての層間絶縁膜１０４をマスクとして、素子基板１０１の面法線１０１ａと交差する一の方向からドライエッチングを第１絶縁膜としてのゲート絶縁膜１０３に施して、孔１０４ａに連通すると共にＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０ｄに開口する第２開口部としての孔１０３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】デュアルゲート構造を有する半導体装置の製造技術において、ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧の上昇を抑制することができる製造技術を提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜ＰＦ１上にレジスト膜ＦＲ２を形成する。そして、レジスト膜ＦＲ２に対して露光・現像処理を施すことにより、レジスト膜ＦＲ２をパターニングする。その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。このアルゴン注入工程により、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１はアモルファス化する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に接し、且つソース電極及びドレイン電極を覆う帯電防止機能を有する金属酸化膜を形成し、加熱処理を行う。この加熱工程によって、水素、水分、水酸基又は水素化物などの不純物を酸化物半導体膜より意図的に排除し、酸化物半導体膜を高純度化する。また、金属酸化膜を設けることで、トランジスタにおいて酸化物半導体膜のバックチャネル側に寄生チャネルが発生するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の金属電極と半導体基板の界面に、現像残渣のない半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に、金属電極が設けられた半導体装置であって、金属電極は、半導体基板の上面視において、細線部と、細線部の電極の長手方向の両端に太線部と、細線部から太線部へ向けて線幅が漸増する線幅漸増部とからなり、細線部の側面と線幅漸増部の側面の境界領域に、曲率を有す円弧が付けられた形状であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性が良好であり、しかも面内均一性等も良好な薄膜電界効果型トランジスタを低コストで提供すること。
【解決手段】基板上に、少なくともゲート電極、絶縁膜、活性層、ソース電極およびドレイン電極が形成され、活性層上にソース電極およびドレイン電極が設けられた薄膜電界効果型トランジスタの製造方法である。本発明の製造方法は、エッチング液として、りん酸、酢酸および硝酸を含む混酸水溶液を用いて、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程を有する。この活性層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつＺｎ濃度が２０％未満であり、Ｉｎ濃度が４０％以上であり、Ｇａ濃度が３７％以上である。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも小さい熱エネルギーで、ＳｉＣ基板上に低抵抗のオーミック電極を形成することができ、熱処理における半導体装置の素子部の損傷および特性の劣化を防止することができる熱処理方法および熱処理装置、ならびに前記熱処理方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】熱処理装置１の電源部２１によって、複数のパルスを含むパルス列で構成される複数パルス電流を発生させ、導線２２および電流端子部２３を介して、ＳｉＣ基板１１上の電極金属膜１２に供給する。これによって電極金属膜１２にジュール熱を発生させ、発生したジュール熱によって電極金属膜１２を加熱する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴにおいて、Ｐ型コレクタ層におけるキャリア濃度の変化を抑制し、オン電圧のばらつきを低減可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、表面側にＭＯＳＦＥＴ構造１が形成されたＮ型半導体基板２と、Ｎ型半導体基板２の裏面に形成されたＰ型コレクタ層４とを備える。そして、Ｐ型コレクタ層４上にストライプ状に互いに離間して形成された、ＡｌとＳｉとのＡｌ合金からなるＡｌＳｉ電極７ａを含む積層構造の裏面電極７を備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極の形成工程におけるフォトレジスト層を露光した際に、露光不良によりレジスト残渣が発生しないようにすること。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタ１００は、半導体基板１上にゲート電極を備えた電界効果トランジスタで、半導体基板１上に設けられた誘電体膜２と、この誘電体膜２の開口部に設けられたフット部８と、このフット部８上及び誘電体膜２上に設けられたヘッド部９とを備え、誘電体膜の膜厚ｔ１が、０．９ｋ×λ／２｜ｎ１−ｎ２｜＜ｔ１＜１．１ｋ×λ／２｜ｎ１−ｎ２｜（ただしｋは自然数であり、屈折率ｎ１は所定の波長λを有する露光光に対する誘電体膜の屈折率ｎ１（＞２．１）、屈折率ｎ２はフォトレジスト層の屈折率）である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、プラスチック基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは、炭素含有酸化シリコンを含む材料からなり、下部層１２ａの炭素濃度が、１５atm％以上４０atm％以下となるように真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）