【課題】不良を抑制しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。または、良好な特性を維持しつつ微細化を達成した半導体装置の提供を目的の一とする。
【解決手段】平坦な表面に第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に第１のマスクを形成し、第１のマスクにスリミング処理を行うことにより、第２のマスクを形成し、第２のマスクを用いて第１の絶縁膜にエッチング処理を行うことにより、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜を覆うように第１の導電膜を形成し、第１の導電膜および第２の絶縁膜に研磨処理を行うことにより、等しい厚さの第３の絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極を形成し、第３の絶縁膜、ソース電極およびドレイン電極上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上の第３の絶縁膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いＳｉ又はＳｉＧｅを基板表面上に堆積する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なＳｉ含有薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物は、フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物（Ａ）、及びフッ素樹脂である活性水素化合物（Ｂ）を含有する。 （もっと読む）

【課題】閾値電圧の絶対値及びヒステリシスが小さい有機薄膜トランジスタを製造しうる有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）フッ素原子を含む基を有する繰り返し単位を有する高分子化合物、及び（Ｂ）溶媒としてフッ素原子を有する有機化合物、を含む有機薄膜トランジスタ絶縁層用組成物。 （もっと読む）

【課題】吸湿性の高い絶縁膜を使用してもコンタクト又は配線の劣化を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板１０上に第１の絶縁膜１５を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜１５にホール２４を形成する工程（ｂ）と、ホール２４の側壁上に、第１の絶縁膜１５よりも水分を通しにくい第２の絶縁膜１７を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、ホール２４に導電体３０を埋め込むことにより、プラグ１９を形成する工程（ｄ）とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、面積利用効率を向上しつつ、トランジスタＴの特性を維持し、更に整流素子Ｄの低順方向電圧化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は整流素子ＤとトランジスタＴとを備える。整流素子Ｄは、電流経路４３と、その一端に配設され整流作用を持つ第１の主電極１１と、その他端に配設された第２の主電極１２と、その第１の主電極１１と第２の主電極１２との間に配設され、第１の主電極１１に比べて順方向電圧が大きい第１の補助電極１５とを有する。トランジスタＴは、電流経路４３と、その一端において電流経路４３と交差する方向に配設された第３の主電極１３と、第３の主電極１３を取り囲んで配設された制御電極１４と、第２の主電極１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】透明性、導電性且つ生産後のロール状態での保存性が良好な有機電子デバイス用電極の提供。
【解決手段】透明基材上に、導電性の金属細線パターンと、導電性ポリマー層を設けた有機電子デバイス用電極において、該金属細線パターンの金属細線の厚みをａとし、開口部における該導電性ポリマー層の厚みをｂとしたとき、以下式１〜式３で表される条件を満たし、且つ、導電性ポリマー層がπ共役系導電性高分子とポリアニオンとを含んでなる導電性ポリマーおよび下記ポリマー（Ａ）を有する有機電子デバイス用電極。０．２≦ａ≦２．０（式１）０．２≦ｂ≦２．０（式２）−０．２≦ｂ−ａ≦１．８（式３）
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【課題】酸化物半導体層を用い、電気特性の優れた薄膜トランジスタを備えた半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、同一基板上に複数種類の薄膜トランジスタの構
造を作製して複数種類の回路を構成し、増加する工程数が少ない半導体装置の作製方法を
提供することを課題の一とする。
【解決手段】絶縁表面上に金属薄膜を成膜した後、酸化物半導体層を積層し、その後、加
熱処理などの酸化処理を行うことで金属薄膜の一部または全部を酸化させる。また、論理
回路などの高速動作を優先する回路と、マトリクス回路とで異なる構造の薄膜トランジス
タを配置する。 （もっと読む）

【課題】プレーナＭＯＳＦＥＴ、および中抜きゲート型ＭＯＳＦＥＴにおいて、リーク電流を低減する技術を提供する。
【解決手段】プレーナＭＯＳＦＥＴ（および中抜きゲート型プレーナＭＯＳＦＥＴ）において、ｎ型ソース領域のチャネルに近い領域は浅く（浅いｎ型ソース領域４）、チャネルから遠い領域は深い（深いｎ型ソース領域５）ことを特徴とする。さらに、ｐ型ウェル領域の横方向の凸部が基板表面より内部にあることを特徴とする。これにより、リーク電流の小さいプレーナＭＯＳＦＥＴ（および中抜きゲート型プレーナＭＯＳＦＥＴ）が実現できるため、これを用いた電源装置の損失低減に効果がある。 （もっと読む）

【課題】充填時の溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保することができ、しかも、作業操作性に優れた充填用基材及びそれを用いた充填方法を提供すること。
【解決手段】充填用基材５は、第１金属層２１と第２金属層２２とを含む金属層２を支持基体１の一面上に設けた構造になっている。第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。充填用基材５の一面側を、微細空間３０の開口する基板３の一面上に重ねる。そして、充填用基材５を加熱し、かつ、加圧Ｆ１して、金属層２の溶融物を微細空間３０内に充填する。 （もっと読む）