【課題】 長波長領域の光の透過性に優れ、これを効率よく活用できる光電変換素子および光検出素子を提供する。
【解決手段】 第一の電極層、光電変換層および第二の電極層が順に配置され、前記第二の電極層側から入射する光によって光起電力を発生させる光電変換素子においては少なくとも前記第二の電極層が、もしくは、一対の電極と該電極間に挟まれた光検知材料層とを有する光検出素子においては一対の電極のうち少なくとも一方が、（Ａ）チタン化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物と（Ｂ）ニオブ化合物またはタンタル化合物に過酸化水素を反応させた反応生成物とを含む前駆体液を塗布し、焼成した後、還元雰囲気下にて加熱によるアニール処理を施すことにより形成された酸化チタン系透明導電性膜である。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタにおいて、バンク層をガイドとして半導体溶液を塗布する方法を用いて、精度良く確実にチャネル部に半導体を形成するための電界効果型トランジスタ構造を提供することを目的とする。また、その構造を用いた電界効果型トランジスタの製造方法、及びそれを用いた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】ゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、ソース電極と、下部画素電極と、前記下部画素電極に接続されたドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に形成された半導体と、半導体を挟むように形成されたバンク層より構成された電界効果型トランジスタにおいて、前記バンク層がストライプ状に形成されていることを特徴とする電界効果型トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】 簡便で安価な塗布法によりルテニウム膜を形成するための組成物およびこの組成物を用いて塗布によりルテニウム膜を形成する方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含むことを特徴とするルテニウム膜形成用組成物、ならびに基体上に、該ルテニウム膜形成用組成物を塗布し、次いで加熱及び／又は光照射することにより、前記基体上にルテニウム膜を形成することを特徴とする、ルテニウム膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部５１６と、側壁５１４と、上側開口５２６とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、ａ）基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第１の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、ｂ）前記銅シード層の第２の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第１の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】積層された各層に平面的に電極が形成された、III族窒化物系化合物半導体素子
【解決手段】ｐｎｐトランジスタ１００は、基板１０の上に、図示しないバッファ層を介して、ｐ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＧａＮ層１２、ｐ型ＧａＮ層１３を順に形成した後、ケミカルポリシングにより露出部である傾斜面１１ｔ、１２ｔ及び１３ｔを形成し、そこに各々、コレクタ電極Ｃ、ベース電極Ｂ、エミッタ電極Ｅを形成して構成したものである。図１のｐｎｐ型トランジスタ１００は、水平形状が１辺が５００μｍの矩形状で、その外周の１辺に水平面と１０度の角度を成す傾斜面が形成されている。ｐ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＧａＮ層１２及びｐ型ＧａＮ層１３の膜厚はいずれも１μｍであり、ｐ型ＧａＮ層１１の傾斜面１１ｔ、ｎ型ＧａＮ層１２の傾斜面１２ｔ及びｐ型ＧａＮ層１３の傾斜面１３ｔの幅はいずれも約５．８μｍである。 （もっと読む）

【解決手段】
コンタクト要素がハードマスク（２３３）に基いて形成されてよく、ハードマスク（２３３）は、第１のレジストマスク（２１０）に基いて及び第２のレジストマスク（２１１）に基いて、コンタクト要素の最終的な設計寸法を代表し得る適切な交差区域（２３４）を画定するようにパターニングされてよい。その結果、横方向寸法の少なくとも一方は２つのレジストマスクの各々における非臨界的寸法として選択され得るので、それほど制限的ではない制約を伴うフォトリソグラフィプロセスに基いてレジストマスクの各々を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】大きな基板上に形成された薄膜を下側にして上側からレーザ加工する際に、基板が撓んでいても加工途中に焦点位置を制御せずに高い加工精度での加工を可能とする。
【解決手段】ガラス基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射して加工するビーム加工装置である。ビーム照射手段５０の対物光学装置５１は、ベッセルビームを照射するための軸状集光用光学素子５２として円錐形状レンズを備える。ベッセルビームは、軸状集光ビームであり、ビームの径、特に、中心の強度のピークとなる部分の径が円錐形状レンズからの距離が近い範囲では大きく変化しない。したがって、対物光学装置５１に対するビーム照射位置が基板の撓みにより変化しても、それをベッセルビームの焦点深度の範囲内として、加工中に焦点位置を変更するような制御しなくても、高い精度での加工を可能とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の厚みの面内方向の均一性を向上できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】開閉部材の操作によって対応するガス流出口を開閉させ、エピ厚傾きの変化の傾向をモデル化し、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成するモデル作成工程Ｓ１と、半導体ウェーハにエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程Ｓ２と、エピタキシャル層について半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置においてエピタキシャル層の実厚みを測定する実厚み測定工程Ｓ３と、複数の測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みに基づいて実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する実エピ厚傾き算出工程Ｓ４と、モデル作成工程Ｓ１により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて開閉部材を操作することにより実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程Ｓ１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】銅配線の電気抵抗を低減し、安定化するとともに、不純物を除去することにより、銅配線の信頼性を向上させることが出来る銅膜のアニール方法を提供する。
【解決手段】バリア層が形成されたシリコン基板上にめっき法あるいは気相堆積法により銅膜を成膜する。これを２００℃〜３００℃、２〜３０ＭＰａの高温高圧の二酸化炭素、または不活性元素の気体中で、ないしは超臨界二酸化炭素中で、あるいはさらにこれらに水素を含有させた気体、流体中で処理する。 （もっと読む）

【課題】安定した成膜を行うことができ、かつ高品位のルテニウム膜を得ることができる化学気相成長方法の提供。
【解決手段】テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物を気化せしめ、当該気化したルテニウム化合物を反応室に供給して基体上に析出させる工程と、気化したルテニウム化合物の反応室への供給を停止して、前記反応室内に残留している気化したルテニウム化合物を除去する工程と、基体上に析出したルテニウム化合物を分解せしめルテニウム膜を形成する工程と、を含む化学気相成長方法。 （もっと読む）