【課題】 カーボンナノチューブを電極に接点接触させる方法では、実装後に、半導体チップの位置ずれが生じやすい。また、金属結合によって電気的接続を確保する場合に比べて、電気抵抗が高くなり易い。
【解決手段】 第１の基板(10)の表面に第１の電極(12)が形成されている。第１の基板の表面上に、第１の電極の位置に第１の開口(20a)が形成されている絶縁膜(20)が配置されている。第１の開口内に、第１の電極に電気的に接続された金属部材(21)が形成されている。複数のカーボンナノチューブ(55)の一方の端部が金属部材内に埋め込まれ、金属部材に固定されている。 （もっと読む）

【課題】ローカルインタコネクトを備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】ローカルインタコネクトを備えた半導体装置であって、基板上に配置され、実質的に同一線上にある第１ゲート線構造と第２ゲート線構造、前記第１ゲート線構造の両側の前記基板に形成された第１対ソース／ドレイン領域と前記第２ゲート線構造の両側の前記基板に形成された第２対ソース／ドレイン領域、及び前記第１ゲート線構造と前記第２ゲート線構造の両側の前記基板上に配置され、それらが前記第１対ソース／ドレイン領域のうちの１つと前記第２対ソース／ドレイン領域のうちの１つに接続された一対の導電線を含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れた薄膜トランジスター用配線膜およびこの配線膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒ：０．１〜２０原子％、ＭｎおよびＡｌのうちの１種または２種の合計：０．１〜２０原子％を、ＣｒとＭｎとＡｌの合計が５超〜２５原子％の範囲内にあるように含有し、さらに、必要に応じてＭｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる薄膜トランジスター用配線膜および配線下地膜、並びにこれら配線膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜上の電流チャネルにおけるスムーズなキャリアの移動を可能とし、高いキャリア移動度を実現する。
【解決手段】 絶縁性基板１０と、絶縁性基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極１１上に形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に積層され、ゲート絶縁膜１２に接する界面近傍に電流チャネル１６を有する有機電子材料膜１３と、有機電子材料膜の電流チャネル１６に電流を流すためのソース電極１５およびドレイン電極１４と、を備え、電流チャネル１６に流れる電流を制御するゲート電極１２が、アモルファス金属よりなることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 金属ワイヤとの密着性が高く、かつ透明導電膜との界面における接触抵抗を低減させた、導電接続部としての金属複合膜を有する電極膜およびその製造方法、ならびに、この半導体素子用電極膜を具える発光素子を提供する。
【解決手段】 被成膜体上にチタンドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を形成する工程と、該透明導電膜上に、外部との導電接続部としてＮｉ含有膜およびＡｕ含有膜を有する金属複合膜を形成する工程とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ側電極として透明導電層膜材料からなる透光性の電極を用いた窒化物半導体発光素子における光取り出し効率を改善し、発光効率が向上された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層とで発光層を挟んだｐｎ接合ダイオード構造を、上記ｐ型窒化物半導体層が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記透光性の電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

ルテニウム(Ru)金属の堆積を半導体デバイスの製造に統合することで、銅(Cu)金属のエレクトロマイグレーション及びストレスマイグレーションを改善する方法が供される。本発明の実施例は、NH_x（x≦3）ラジカル及びHラジカルによって、金属層及びlow-k誘電材料を含むパターニングされた基板を処理することで、前記low-k誘電材料に対する前記金属層上でのRu金属キャップ層の選択形成を改善する方法を有する。
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【課題】安定した大きなオーバーハングを形成することによって十分な厚さの金属薄膜を基板の上に形成する薄膜パターンの形成方法を提供しようとするものである。
【解決手段】基板１の上のフォトレジスト層３を露光させ、その後１次現像によってフォトレジスト層３とリフトオフレジスト層２の一部を除去し、フォトレジスト層３を現像液に対する耐性処理を行い、２次現像によってリフトオフ層２の一部を除去することによってフォトレジスト層３にオーバーハングを形成し、その後に金属薄膜５の形成を行い、その後フォトレジスト層３をリフトオフレジスト層２とともに除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＩＴＯ透明電極（又はＩＺＯ透明電極）とＺＡＯ透明電極を同一液でエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 臭化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物と、フッ化水素酸及びその塩からなる群より選ばれる一種又は二種以上の化合物とを含有する水溶液を透明電極用のエッチング液として用いる。 （もっと読む）