【課題】ドレイン電極からのホールリークが防止された横型のＦＥＴを提供することを課題とする。
【解決手段】基板の表面上に形成された第１導電型のチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを備え、前記ソース電極及びドレイン電極を前記チャネル層とオーミックコンタクトさせて電界効果型トランジスタを構成し、前記ドレイン電極の下部の前記チャネル層に第１導電型の拡散領域を備え、前記拡散領域が、式（１）Ｎｓ≧ε×Ｖｍａｘ／（ｑ×ｔ）（式中、εは前記チャネル層の誘電率［Ｆ／ｍ］、Ｖｍａｘは前記電界効果型トランジスタの仕様最大電圧［Ｖ］、ｑは電荷量（１．６０９×１０^-19）［Ｃ］、ｔは前記基板の表面から前記拡散領域の底面までの距離［ｍ］である）で表されるシート不純物濃度Ｎｓ［ｃｍ^-2］を有していることを特徴とする電界効果型トランジスタにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】熱的安定性がある一方、密着性が悪くならない程度の仕事関数を有する金属膜または金属化合物よりなる膜をゲート電極として使用した場合に、しきい値電圧を低く抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ型ＭＩＳ素子とｐ型ＭＩＳ素子を備えるＣＭＩＳ素子において、ｎ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１０を形成する。一方、ｐ型ＭＩＳ素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜９上に、酸化アルミニウム膜よりなるしきい値調整膜７を形成する。そして、このしきい値調整膜７上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応でき、Ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、ｐ型層１０３上に設けられた第１のゲート絶縁膜１１５、ＴｉＮからなる第１のゲート電極１１６と、及び不純物を含む半導体からなる第１の上部ゲート電極１１７を有するＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０６と、ｎ型層１０２上に設けられた第２のゲート絶縁膜１０９、ＴｉＮ結晶からなり、（１１１）配向／（２００）配向が１．５以上となるＴｉＮ層を少なくとも一部に含む第２のゲート電極１１０、及び不純物を含む半導体からなる第２の上部ゲート電極１１１を有するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数回の露光処理によりゲート加工を行う半導体装置の製造方法に関し、工程数の増加等の問題を抑制する。
【解決手段】端部同士が隙間を挟んで対向する少なくとも一対のゲート電極を形成する半導体装置の製造方法であって、当該方法では、基板（１１１）上に、ゲート絶縁膜（１１２）とゲート電極層（１１３Ｘ）とを形成し、前記ゲート電極層上に形成された第１のレジスト（２０２）又は第１の反射防止膜（２０１）をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層を、前記隙間が形成される領域から除去して、前記ゲート電極層に穴（１２１）を形成し、前記穴が形成された前記ゲート電極層上に形成された第２のレジスト（３０２）又は第２の反射防止膜（３０１）をマスクとして、前記ゲート電極層を加工することにより、前記ゲート電極層から、前記端部同士が前記隙間を挟んで対向する前記少なくとも一対のゲート電極（１１３）を形成する。 （もっと読む）

導電物質を選択的に形成する方法及び金属導電構造を形成する方法を開示する。下部に横たわる物質領域を露出するように有機物質をパターン化することができる。下部に横たわる物質の上に位置する有機物質の残留部分と反応することなく下部に横たわる物質と反応するプラチナ前駆ガス等の前駆ガスに、下部に横たわる物質を晒してもよい。前駆ガスを原子層蒸着処理に用いてもよく、その間、前駆ガスは導電構造を形成するように下部に横たわる物質と選択的に反応して有機物質とは反応しない。導電構造は、例えば、半導体デバイス製造の様々な段階においてパターニング用マスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】
コンデンサ等への適用を考慮し、耐熱性の向上した導電体を形成可能な導電性組成物を提供することを目的とする。
本発明のコンデンサ電極用導電性組成物を用いれば、耐熱性に優れたコンデンサが得られる。
【解決手段】
スルホン酸基および／またはカルボキシ基を有する水溶性導電性ポリマー（Ａ）、塩基性化合物（Ｂ）および溶剤（Ｃ）を含むコンデンサ電極用導電性組成物。成分（Ｂ）は、酸性基置換アニリン等、成分（Ａ）の原料となる単量体を溶液中で酸化重合する際に用いられたものが残存して導電性組成物に含有されてもよいし、それ以外に、それと同種または異種の塩基性化合物が導電性組成物に添加されても良い。耐熱性の点では成分（Ａ）の重合時に用いられた成分（Ｂ）に加えて、さらにそれと同種または異種の塩基性化合物が導電性組成物に添加されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性の向上とオン抵抗の低減とが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＩＳ型ＨＥＭＴ１は、支持基板１０上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体よりなるキャリア走行層１２と、キャリア走行層１２上に形成されたＩＩＩ族窒化物半導体よりなるキャリア供給層１３と、キャリア供給層１３上に形成されたソース電極２２ｓおよびドレイン電極２２ｄと、キャリア供給層１３上に形成された絶縁膜（１４、１５）と、絶縁膜（１４、１５）上に形成されたゲート電極２１と、を備え、絶縁膜（１４、１５）は、ソース電極２２ｓとドレイン電極２２ｄとで挟まれた領域に形成され、溝ｔ１５の断面形状は、上部開口が底面よりも幅広な断面形状が逆台形状の部分を有しており、ゲート電極２１は、少なくとも溝ｔ１５の底面からドレイン電極２２ｄ側の絶縁膜（１４、１５）上にかけて形成されている。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、半導体基板を処理する装置及び方法に関するものである。具体的には、本発明の実施形態は、トレンチ及びビアの断面形状を、トレンチ及びビアへの充填を行なう前に変形させる方法及び装置に関するものである。本発明の一実施形態では、トレンチ構造をエッチング液に曝すことにより、犠牲層を形成してトレンチ構造の上部開口部を閉塞する。一実施形態では、エッチング液は、第１材料と反応して犠牲層を形成する副生成物を生成することにより、第１材料を除去するように調製される。
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【課題】製造プロセスにおいてフォトレジスト構造等の追加工程を必要としない、非対称なＤＳＳ構造の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２上にゲート絶縁膜２１を介して形成されたゲート電極２２と、ゲート電極２２の側面に形成されたオフセットスペーサ１３、２３と、一方のオフセットスペーサ２３の側面に形成されたゲート側壁２７と、半導体基板２中のゲート絶縁膜２１下に形成されたチャネル領域２５と、半導体基板２内のチャネル領域２５を挟む領域に形成され、チャネル領域２５側に導電型不純物が偏析して形成されたエクステンション領域２４ａを有するソース・ドレイン領域２４と、ソース・ドレイン領域２４上にオフセットスペーサ１３に接して形成されたシリサイド層１６、及び、ゲート側壁２７に接して形成されたシリサイド層２６と、を有した半導体装置１とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層の厚さを大きくすることが容易であり、ゲート絶縁層の影響によるチャネル層の半導体特性の劣化が防止された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上にソース電極５及びドレイン電極６を間隔をあけて形成し、次いでこれらソース電極５、ドレイン電極６及び基板１の上に、酸化物半導体層よりなる半導体層４を形成する。この半導体層４の上に有機絶縁層よりなる絶縁層３を形成し、次いでこの絶縁層３上にゲート電極２を形成して、トップゲート構造の薄膜トランジスタ１０を得る。酸化物半導体層を形成した後に有機絶縁層を形成するため、酸化物半導体層の形成時に有機絶縁層中の有機物が酸化物半導体層に混入して半導体特性が劣化することが防止される。有機絶縁層は、金属酸化物絶縁層と比べて、厚さを大きくして耐電圧特性を向上させることが非常に容易である。 （もっと読む）