【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタにおいて、ソースドレイン間のリーク電流を低減する。
【解決手段】ゲート絶縁膜１１２に接する第１のゲート膜１１４として、インジウムと窒素を有し、バンドギャップが２．８電子ボルト未満の化合物導電体を用いる。この化合物導電体は、仕事関数が５電子ボルト以上、好ましくは５．５電子ボルト以上であるので、酸化物半導体膜１０６の電子濃度を極めて低く維持でき、その結果、ソースドレイン間のリーク電流が低減する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ半導体層および／または透明導電膜との間のバリアメタル層を省略しても、低抵抗のオーミック特性を有する電気的接触を確保でき、更に十分な耐熱性を有する表示装置用金属配線膜を提供する。
【解決手段】Ｍｏを２０原子％以上含有しており、且つ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、及びＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種を５原子％以上含有しているＡｌ合金膜５３と、純ＣｕまたはＣｕ合金膜２８，２９とからなる積層膜であって、前記Ａｌ合金膜が、半導体層３３と直接接続していると共に、前記ＣｕまたはＣｕ合金膜が透明導電膜５５と直接接続している表示装置用金属配線膜。 （もっと読む）

【課題】処理領域に達する前にガスを混合することなく、シャワーヘッドへのガスを密閉するためＯリングを使用することなく、処理ガスに少なくとも２つのガスを供給するシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】シャワーヘッドのための上下続きのガス分配フェースプレートは、第１表面、第２表面、及び第３表面を含み、第１表面と第２表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って延びる複数の第１ガス孔を備えている。上下続きのガス分配フェースプレートは複数の相互連結溝により規定された内部ガスの分配空洞部を有している。複数の第２ガス孔は第１表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って複数の相互連結溝に延びている。相互連結溝は少なくとも１つのガス導管に順番に接続されるプレナムに滑らかに結合されている。ガス導管は第３表面に延びている。 （もっと読む）

【課題】ＮＢＴＩを改善することのできるトランジスタ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上部に形成されたｎ型ウェル領域１０２と、ｎ型ウェル領域１０２上に形成され、ゲート絶縁膜１０４と、下部ゲート電極１０５、及び下部ゲート電極１０５上に形成された上部ゲート電極１０６を含むゲート電極１２０とを有するｐチャネル型ＭＩＳトランジスタとを備える。下部ゲート電極１０５は、結晶粒界を有する多結晶の金属窒化物で構成されており、当該結晶粒界には金属窒化物を構成する元素とは異なる元素が偏析されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を収容する工程と、処理容器内にニッケルと不純物とを含む原料を供給する工程と、処理容器内に不活性ガスを供給する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことにより、基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材は、銅材からなり、銅と不可避的不純物とからなる無酸素銅、又は銅合金からなるスパッタ面を備え、かつ、（１１１）面と、（２００）面と、（２２０）面と、（３１１）面との総和に対する、（１１１）面の占有割合が、１５％以上であるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給するとともに原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】 真空に保持され、基板が配置されて、配置された基板に所定の金属を含むカルボン酸塩を供給して基板上にカルボン酸塩膜を堆積させる第１の処理容器１０１と、真空に保持され、第１の処理容器内でカルボン酸塩膜が堆積された基板が配置されて、配置された基板にエネルギーを与えて基板上のカルボン酸塩を分解し、基板上に金属膜を形成する第２の処理容器１０２と、第１の処理容器１０１から第２の処理容器１０２へ真空を破ることなく基板を搬送する基板搬送機構１１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング中の異常放電を抑制できる、アルカリ金属化合物が微細に分散
したＭｏ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ＫとＮｂとの複合酸化物でなる粉末とＭｏ粉末との焼結体であ
って、前記複合酸化物を０．４〜９．０質量％含有し、Ｍｏ母相中に内接円直径が２０μ
ｍ以下の凝固した前記複合酸化物が分散するＭｏ系スパッタリングターゲットである。ま
た、本発明のＭｏ系スパッタリングターゲットは、加圧容器に充填し、前記複合酸化物の
溶融温度以上、Ｍｏの溶融温度以下で加圧焼結することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板、反射膜、反射アノード電極、タッチパネルセンサーなどの製造工程において、塩化ナトリウム溶液の浸漬下におけるＡｌ合金表面の腐食やピンホール腐食（黒点）などの腐食を有効に防止できて耐食性に優れており、しかもヒロックの生成も防止できて耐熱性にも優れたＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金薄膜は、基板上に配線膜または反射膜に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｔａおよび／またはＴｉ：０．０１〜０．５原子％と、希土類元素：０．０５〜２．０原子％と、を含有するものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）