【課題】 本発明は、超音波による洗浄装置および洗浄方法に関するものである。
【解決手段】 本発明の洗浄装置は、超音波を発生する超音波振動子と、超音波振動子に固定されて超音波を洗浄液に照射する超音波照射面が扁平な振動体とを具備する振動体ユニットと、振動体ユニットを回転して超音波照射面に交わる方向を軸として超音波照射面の角度を変える照射面角度制御部と、洗浄対象の基板を保持し基板を回転させる基板回転部と、振動体の超音波照射面を洗浄面に向けて一定間隔を保持しながら振動体ユニットを移動させる振動体移動機構と、超音波照射面と洗浄面との間に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を備えるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】平坦化性能に優れ、ストッパ膜と絶縁膜との間の段差を極めて小さくすることができる化学的機械的研磨用スラリーを提供すること。
【解決手段】重合体（ａ）、研磨砥粒（ｂ）および水（ｃ）を含有し、重合体（ａ）が、環状オリゴ糖および／またはその誘導体（ａ−１）の構造単位、並びに水酸基と反応性のある官能基を２個以上有する化合物（ａ−２）の構造単位を含む、化学的機械的研磨用スラリー。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンインゴットから切り出された基板からパーティクルを除去し、また基板への金属不純物の付着を抑えることのできる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】シリコンインゴットから切り出された基板を、グルカミン基を有する化合物を含む高濃度例えば４８重量％のアルカリ溶液に浸漬させることによりエッチング処理を行う。これにより、基板の表面からパーティクルを取り除くことができるだけでなく、基板の表面部のエッチングによりアルカリ溶液中に分散した金属不純物及びアルカリ溶液中にもともと含まれる金属不純物が、アルカリ溶液中のグルカミン基を有する化合物に捕獲される。このため、アルカリ溶液中の金属不純物が基板に付着するのを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 生産上のコスト増加要因をともなわずに、半導体ウェーハの外周ダレ（エッジロールオフ）が所望値内に改善された半導体ウェーハ及びそのような半導体ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして半導体ウェーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られた半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と、該面取りした半導体ウェーハを平坦化する平坦化工程と、該平坦化した半導体ウェーハの主面のうち少なくとも一方を研磨する研磨工程とを含む、半導体ウェーハの製造方法であって、前記面取り工程によって、前記半導体ウェーハの主面のうち少なくとも前記研磨工程によって研磨する主面側の面取り部において、エッジロールオフ量の規格に応じて、前記主面と前記面取り部の傾斜面とのなす角度を３０°以上４０°以下の範囲で調整する半導体ウェーハの製造方法 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液の回収率を向上させることができる基板液処理装置の提供。
【解決手段】基板液処理装置は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を下方へ案内する第１案内カップ３１および第２案内カップ４１と、基板保持台１２と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１との間の位置関係を調整する位置調整機構と、第１案内カップ３１および第２案内カップ４１により案内された処理液を回収する第１処理液回収用タンク６１および第２処理液回収用タンク６２と、を備えている。第１処理液回収用タンク６１と第２処理液回収用タンク６２との間には、排気部材７１が設けられている。第２案内カップ４１の下端部４１ｂに、第１案内カップ３１からの処理液を第１処理液回収用タンク６１に案内すると共に、第２案内カップ４１からの処理液を第２処理液回収用タンク６２に案内する案内部材８１が設けている。 （もっと読む）

【課題】基板から飛散した処理液が基板へ再付着することを防止できる基板液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板液処理装置１０は、基板保持台１２に保持されて回転する基板Ｗから飛散した処理液を案内する案内回転カップ２１と、案内回転カップ２１により案内された処理液を下方へ案内する案内カップ３１と、を備えている。案内カップ３１は、案内カップ本体３２の内周端部３２ａから下方に延びる下方延長部３３と、この内周端部３２ａから下方延長部３３より内周側に延び、案内回転カップ２１および下方延長部３３と共に案内回転カップ２１が回転することにより旋回する気体を下方へ案内する気体案内空間３５を形成する内周側延長部３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板からレジスト膜を除去する際に、下地膜を除去することなくレジスト膜を除去できる液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理液により処理する液処理方法において、硫酸と硝酸とを所定の比率で混合してなる、１２０℃以上の温度の処理液を、下地膜が成膜された基板上にレジスト膜が形成された状態でイオン注入された基板に供給することによって、基板からレジスト膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】高スループットを実現することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、基板Ｗを保持する上下動可能なトップリング３１Ａを有する研磨部と、トップリング３１Ａと基板Ｗの受け渡しを行う上下動可能な搬送ステージを有する搬送機構６と、トップリング３１Ａと搬送ステージとの間に配置されたリテーナリングステーション１４３とを備える。トップリング３１Ａは、トップリング本体３８と、トップリング本体３８に対して相対的に上下動可能なリテーナリング４０とを有する。リテーナリングステーション１４３は、リテーナリング４０を押し上げる複数の押し上げ機構１４４を有している。 （もっと読む）