【課題】特に平面平行半導体ウェハを経済的に製造できるように、遊星運動学を用いて公知の両面処理方法を向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、キャリア１３の各々は厳密に１つの開口部１を有し、当該開口部１に１枚の半導体ウェハが、加工ディスク同士の間のサイクロイド軌道上を移動するように、自由に移動できるように挿入され、両面処理装置内のキャリア１３の配置およびキャリア１３の開口部１の配置は、不等式Ｒ／ｅ・ｓｉｎ（π／Ｎ^*）−ｒ／ｅ−１≦１．２を満たすようなものであり、Ｎ^*は、周角と、隣接するキャリア同士が互いに最大距離を空けられた状態で転がり装置に挿入される角度との比率を表わし、ｒは半導体ウェハを受ける開口部１の半径を表わし、ｅは、開口部１が配置されるキャリア１３の中点４の周りのピッチ円２の半径を表わし、Ｒは、キャリア１３が転がり装置によって加工ディスク同士の間を移動するピッチ円８の半径を表わす。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に位置する仮固定剤にボイドを発生させることなく加工して精度に優れた基材の加工を行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、加熱により熱分解する樹脂成分と、この樹脂成分を溶解または分散し得る溶剤とを含有するものであり、前記溶剤の沸点をＸ［℃］とし、前記樹脂成分が熱分解する温度をＹ［℃］としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満足する。
１００＜Ｘ ・・・ 式（１）
Ｘ＋４０≦Ｙ ・・・ 式（２） （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に位置する仮固定剤にボイドを発生させることなく加工して精度に優れた基材の加工を行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、加熱前の仮固定剤において、この仮固定剤に含まれる樹脂成分は、その分子量が５，０００未満のものの含有量が、樹脂成分中で４％以下となっている。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材と、支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、基材の機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、第４の工程において、基材を支持基材から３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、前記基材を冷却する。 （もっと読む）

【課題】基材へのダメージを低減させつつ、精度の高い加工が可能であり、加工後の支持基材からの基材の脱離を低い加熱温度で容易に行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、活性エネルギー線を照射したのち加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、前記活性エネルギー線の照射後における１８０℃での溶融粘度が０．０１〜１００ｍＰａ．ｓであるものである。 （もっと読む）

【課題】酸により分解し剥離できる接着剤の提供。
【解決手段】下記式（１）で表される環状アセタール化合物で構成する接着剤。


（式中、Ｒ^１はカルボニル化合物の残基、Ｒ^２ａ、Ｒ^２ｂ、Ｒ^３〜Ｒ^５は同一又は異なる水素原子又は置換基、Ｒ^６は置換基を示し、Ｒ^３又はＲ^４とＲ^６とは互いに結合して環を形成していてもよい。） （もっと読む）

【課題】内部に希ガスが封入された長尺な発光管と、その外表面の電極と、前記発光管の光出射部を除いた内壁面上に形成された紫外線反射膜とを備えるエキシマランプにおいて、紫外線による変形による該エキシマランプの反り返りを規制する移動規制体を備えたエキシマ光照射装置に搭載した際に、紫外線歪と該反り規制歪の蓄積によって早期に発光管が損傷することを防止する。
【解決手段】エキシマランプ３の発光管３１の軸方向の中央部が、該発光管の光出射部の方向に突出するように湾曲していることを特徴とし、該エキシマランプを搭載するエキシマ光照射装置は、その筐体には該エキシマランプの中央部において紫外線反射膜形成部側から当接する移動規制体を設けるとともに、光出射部側から当接する矯正維持部材を設け、前記エキシマランプは該矯正維持部材によって管軸方向において直線状に矯正されて保持される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に基板処理を行う際に、基板処理による基板上パターンへの損傷を小さくする。
【解決手段】実施の形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置においては、基板を処理対象面の裏面側から固定して支持する基板支持部を備えている。また、前記基板処理装置は、所定の液体を染み込ませるパッドが配置されるとともに前記液体で前記基板の処理対象面の基板処理を行う基板処理部を備えている。そして、前記基板処理を行う際には、前記基板を支持している基板支持部を前記パッド側へ近づける。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板の処理対象面を前記パッド表面の液体に接触させる。これにより、前記基板および前記パッドを回転させることなく前記基板処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング装置のリンス用純水の使用量を削減し、処理能力を高める。
【解決手段】半導体基板２を化学薬液処理にてエッチングし水洗するウェットエッチング装置１において、前記半導体基板に化学薬液処理を行う薬液槽４と、前記半導体基板に付着した前記薬液を希釈・除去する粗水洗槽５と、該粗水洗槽処理後に、前記半導体基板に残留・付着した前記薬液を純水に置換させるＱＤＲ（クイックダンプリンス）槽６と、を備えたウェットエッチング装置とする。 （もっと読む）

【解決課題】バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５（Ｉ）（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）