【課題】シームの発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＣＭＰ研磨液は、ｐＨが２．８〜４．０であり、酸化金属溶解剤、金属防食剤、酸化剤を含有する。本発明に係る研磨方法は、表面に隆起部及び溝部を有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の表面に追従して設けられたバリア層と、該バリア層を被覆するように設けられた導電性物質層と、を有する基板における導電性物質層を研磨して層間絶縁膜の隆起部上に位置するバリア層を露出させる第１の研磨工程と、第１の研磨工程により露出したバリア層を上記ＣＭＰ研磨液を用いて研磨して層間絶縁膜の隆起部を露出させる第２の研磨工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】リンス液を乾燥する際、被処理基板の凸状部が倒壊することを防止することが可能な液処理方法、液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板本体部Ｗ_ｉと、基板本体部Ｗ_ｉに突設された複数の凸状部Ｗ_ｍとを有し、基板本体部Ｗ_ｉ上であって凸状部Ｗ_ｍ間に下地面Ｗ_ｆが形成された被処理基板Ｗに対して表面処理を行うことにより、被処理基板Ｗの下地面Ｗ_ｆが親水化し、かつ凸状部Ｗ_ｍの表面が撥水化した状態となるようにする。次に、表面処理された被処理基板Ｗに対してリンス液を供給する。その後、被処理基板Ｗからリンス液を除去する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで，これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに，フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック１２０と，伝熱ガス供給機構２００とを備え，伝熱ガス供給機構は，基板裏面に第１伝熱ガスを供給する第１伝熱ガス供給部２１０と，フォーカスリング裏面に第２伝熱ガスを供給する第２伝熱ガス供給部２２０とを独立して設けた。 （もっと読む）

【課題】基板の被処理面を汚染する恐れのあるミスト等の堆積を防止する。
【解決手段】有底二重筒状体のチャンバー１０と、基板２０を支持するテーブル２１とを含んで基板処理装置１を構成する。内側筒体１２の外壁と外側筒体１３の内壁とで囲まれる第２の空間Ｓ２内の気体を外側筒体１３の外壁外へ排気させることで、第２の空間Ｓ２内の圧力を、内側筒体１２内の第１の空間Ｓ１の圧力よりも低下させ、これにより第１の空間Ｓ１内の気体が、連通機構３０を通過して第２の空間Ｓ２に向けて流れるようにする。その際、連通機構３０を通過する気流を「絞る」ことにより、ベンチュリ効果によりその流れを付勢し、基板２０を処理する際に発生したパーティクルを含むミストなどを第１空間Ｓ１から効率よく排気し、基板の被処理面の汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】細棒の製造におけるシリコンロッド中の熱応力による従来の欠点を、費用のかかる熱処理を用いる必要なく回避する。
【解決手段】シリコン細棒の製造において、ａ）シリコン製ロッドを準備し、ｂ）鋸引き装置でロッドから規定厚の板状物を順次切り取り、ｃ）切り取られた板状物を鋸引きして断面矩形の複数の細棒とし、前記ロッドは、連続する２つの切断の間にそれぞれ９０゜だけ又は１８０゜だけ軸上で回転され、該４つの切断のそれぞれ２つが対になって、ロッドの半径方向に向かい合う側で行われるか、又は板状物の切り取りは、共通して同時に前記ロッドの半径方向に向かい合う側で行われる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスをつくるための基板材料として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いる場合に、エピタキシャル成長に適した基板表面を導くためのＡｌＮ表面の質を向上させる。
【解決手段】基板表面を下処理する改善された工程が提供され、ここで、基板表面は、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程で下処理され、ＣＭＰ工程は、基板表面に施され、および基板表面は、ＣＭＰ工程からの如何なる活性原料をも洗浄するために仕上げられる。 （もっと読む）

【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に仮固定剤を用いて均一な膜厚の薄膜を形成して精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を基材および支持基材のうちの少なくとも一方にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを貼り合わせる第２の工程と、基材の支持基材と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、第１の工程において、仮固定剤の粘度（２５℃）を３０００〜３００００ｍＰａ・ｓとし、かつ仮固定剤を供給する基材および／または支持基材の回転数を４００〜４０００ｒｐｍとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨砥粒を固まらせることなく研磨液を研磨装置の研磨パッドに供給することができる研磨液供給装置を提供する。
【解決手段】底壁と天井壁および側壁とを有する研磨液収容タンクと、研磨液収容タンク内に収容された研磨液を研磨装置に供給する研磨液送給手段とを具備する研磨液供給装置であって、研磨液収容タンクを構成する少なくとも壁の内面に付着した研磨液を洗い流す洗浄水を噴射する洗浄手段を具備している。 （もっと読む）

【課題】 円筒状シリコンインゴットの側面剥ぎ切断装置上で、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する方法および外周刃の横揺れ幅を小さくすることができる自己補償機構の提供。
【解決手段】 加圧冷却液供給パッド一対９６ｐ，９６ｐを外周刃９１ａを挟んで外周刃の前面および後面に設け、ポンプ９６ｐより供給される加圧液体の供給管を２分岐し、分岐された供給管のそれぞれの先端を前記一対の加圧冷却液供給パッドの液体貯め空間に望ませた外周刃横揺れ自己補償機構９６。および、レーザ光反射型変位センサｓを用い、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒ワイヤソーに供給するスラリの調整が容易で且つ安定した切断が図れるようにする。
【解決手段】スラリ廃液３を受ける第１槽５Ａと、第１槽５Ａのスラリ廃液３ｂを導入してスラリ２を分離する遠心分離機１４と、遠心分離機１４のスラリ２を受ける第２槽５Ｂと、第２槽５Ｂのスラリ２を固定砥粒ワイヤソー１に供給するスラリ供給系路２６と、第２槽５Ｂのスラリ２を取り出して循環する循環流路２８に備えた比重計２９と粘度計３０による検出値からスラリ濃度を検出する制御器４１と、第２槽５Ｂのスラリ２の一部を廃スラリ３１として排出するスラリ排出系路３３と、新スラリ２ａを第２槽５Ｂに供給する新スラリ供給系路３８とを備え、制御器４１で検出するスラリ濃度が規定濃度を保持するように、スラリ排出系路３３による廃スラリ３１の排出と新スラリ供給系路３８による新スラリ２ａの供給とを行う。 （もっと読む）