【課題】 この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上記貯液タンク内の処理液を加熱する第２の加熱ヒータ４２が設けられ、この第２の加熱ヒータ４２によって加熱された処理液を上記第１の加熱ヒータ３７によって上記所定温度にさらに加熱することを特徴とする基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】クリーニング部位に汚染を生じることなく、微細な異物、好ましくはサブミクロンレベルの異物を簡便、確実、十分に除去できるクリーニング部材を提供すること。該クリーニング部材を有するクリーニング機能付搬送部材、および該クリーニング機能付搬送部材を用いた基板処理装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のクリーニング部材は、表面に柱状構造の凸部を複数備えたクリーニング層を有するクリーニング部材であって、該柱状構造の凸部のアスペクト比が５以上であり、該クリーニング層表面の柱状構造の凸部の密度が１．０×１０^８個／ｃｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを確保し被研磨物に対するスクラッチを抑制することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、湿式凝固法により、流動開始温度が１５０〜２２０℃の範囲のポリウレタン樹脂で形成されたウレタンシート２を備えている。ウレタンシート２は、一面側に、凸部５と、凸部５の間に形成された凹部６とを有している。凸部５の表面が研磨面Ｐを構成している。凸部５には、平均孔径が３０μｍ以下の多数の細孔４が形成されている。凸部５の表面では、細孔４が開孔しており、開孔４ａが形成されている。凹部６では、細孔４より小さい微細孔４ｓが形成されており、表面の開孔が凸部５の細孔４より縮径ないし閉塞されている。ウレタンシート２では、厚み方向に長さを有する気泡の開孔が無形成となり、凹部６により研磨液が循環供給され研磨屑が排出される。 （もっと読む）

【課題】ワーク全面を均一に研磨する効果を奏しつつ、研磨後のワークを安定して回収できる研磨方法、研磨装置及び研磨布を提供することを目的とする。
【解決手段】
ワークの裏面側から研磨布側に向かって流体を噴出する開口を有する研磨ヘッドを具備し、ワークの表面を定盤上に貼り付けられた研磨布に摺接させながら、開口から圧力を調整した流体を噴出することでワークを研磨布に対して押圧して研磨する研磨装置であって、さらにワークを保持する研磨ヘッドの揺動幅を制御しながら研磨布に対して相対的に揺動させる揺動機構を有し、研磨布は研磨中にワークと摺接しない部分にのみ溝を有し、ワークの研磨後に、揺動機構によって研磨ヘッドによって保持されたワークを研磨布に設けた溝の位置に移動させ、開口から真空吸着を行ってワークを回収できる研磨装置。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの立ち上げ時間の短縮を図れるドレッサを提供する。
【解決手段】ドレッサ１のダイヤモンド砥粒を保持する保持材２の表面を、ドーム状に膨出させることによって、ドレッサ１の表面に凸部を形成し、新規な研磨パッドのドレッシング処理を行なう場合に、凸部の先端を構成する一部のダイヤモンド砥粒５が、研磨パッドの表面に高い接触圧で接触し、研磨パッドの表面に容易に切り込むことができ、これによって、ドレッシング処理に要する時間、したがって、研磨パッドの立ち上げ時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面粗さを、より細かく調整できるドレッサを提供する。
【解決手段】ドレッサ１の円盤状のベース基材２の表面には、扇状領域に区分された第１，第２砥粒配置部５ａ，５ｂが円周方向に交互に設けられ、第１砥粒配置部５ａには、粒径の大きな多数のダイヤモンド砥粒３ａが保持され、第２砥粒配置部５ｂには、粒径の小さな多数のダイヤモンド砥粒３ｂが保持されている。かかるドレッサ１では、粒径の大きなダイヤモンド砥粒３ａによって研磨パッドの表面を深く荒らしてスラリー保持性を高めると共に、粒径の小さなダイヤモンド砥粒３ｂによって研磨パッド表面を安定した表面粗さにドレッシング処理することができる。 （もっと読む）

【課題】煩雑な作業を要することなく洗浄液中の溶存窒素濃度をリアルタイムで精度良くモニタリングすることができ、加えてコストを低減することができる溶存窒素濃度のモニタリング方法を提供する。
【解決手段】超音波照射時の溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２を溶存酸素濃度計４３で測定し、測定された溶存酸素濃度Ｄ_Ｏ２から初期溶存酸素濃度Ｄ_０を差し引いて溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２を算出する。次いで、所定のオーバーフロー量或いは超音波の所定出力に適合する近似式を記憶部４６から読み出し、記憶部４６から読み出された近似式を用いて、溶存酸素濃度の増加量ΔＤ_Ｏ２から混合超純水の溶存窒素濃度Ｄ_Ｎ２を算出する。 （もっと読む）

【課題】二枚のウエーハが接着された積層ウエーハの両面を安定して適性に研削可能な研削装置を提供する。
【解決手段】結晶方位を示すオリフラが形成された第１のウエーハと、第１のウエーハより小さいオリフラが形成され第１のウエーハと略同一直径の第２のウエーハとが対面して接着された積層ウエーハの両面を研削する研削装置であって、積層ウエーハを吸引保持するたチャックテーブル５４と、該チャックテーブルに保持された積層ウエーハを研削する研削手段とを具備し、該チャックテーブルの保持面は、第１のウエーハの形状に対応した第１の吸引領域５５ａと、第２のウエーハの第１のウエーハからの突出部分の形状に対応した第２の吸引領域５５ｂとを含み、第１のウエーハの露出面を研削する際は、該第１及び第２の吸引領域を作用させ、第２のウエーハの露出面を研削する際は、該第１の吸引領域を作用させて第１のウエーハを吸引保持する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成された絶縁膜の研磨工程における制御性を向上させ、優れた素子間分離性能を有する素子間分離層を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面上にパッド酸化膜及び窒化膜を順次形成する工程と、パッド酸化膜及び窒化膜を貫通し、半導体基板内部に到達するトレンチを形成する工程と、トレンチを充填し且つ窒化膜を覆うように埋め込み酸化膜を形成する工程と、窒化膜上に埋め込み酸化膜が残存するように第１の研磨材を用いて埋め込み酸化膜を研磨する工程と、第１の研磨材の窒化膜に対する埋め込み酸化膜の研磨選択比よりも大なる研磨選択比を備える第２研磨材を用いて埋め込み酸化膜を研磨し、窒化膜を露出させるとともに窒化膜及び埋め込み酸化膜の露出面を平坦化する工程と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】 研磨速度の低下を抑制すると共に研磨傷の発生を抑制することが可能なＣＭＰ研磨液の洗浄液、これを用いた洗浄工程、並びにこれを用いた半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＣＭＰ研磨液の供給装置を洗浄するための洗浄液であって、強酸を含有するＣＭＰ研磨液用洗浄液。ＣＭＰ研磨液用洗浄液に含まれる強酸は、硫酸、シュウ酸、次亜塩素酸、フッ酸、硝酸、塩酸から選ばれる少なくとも１種類の化合物であることが好ましい。 （もっと読む）