【課題】ウエーハを破損させることなく環状凸部を除去できる環状凸部除去装置及び除去方法を提供する。
【解決手段】円形凹部と該凹部を囲繞する環状凸部とを有し、該円形凹部と該環状凸部との境界部分に分断溝が形成されたウエーハと、粘着テープと、該粘着テープの外周部分に装着された環状フレームとから構成されるウエーハユニットから該環状凸部を除去する環状凸部除去装置であって、該円形凹部より僅かに小さい直径の保持面８２を有し該円形凹部を吸引するチャックテーブル２６と、該環状フレームを固定するフレーム固定部３０と、該ウエーハユニットのウエーハの外周と該環状フレームの内周との間の該粘着テープを吸引保持する吸引部８４を有する第２保持面８２と、該第２保持面８２から突出して該環状凸部の内周部を支持する環状凸部支持部８０とを有し、該チャックテーブル２６の外周側に配設された外テーブル２７とを具備した。 （もっと読む）

【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径／短径比が１．２〜１０の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 （もっと読む）

【課題】エッチングエンドのタイミングを確実に判別し、エッチングに必要な薬液の使用量を低減する。
【解決手段】エッチング室の入口から導入された処理基板を傾斜した状態で搬送する送りローラと、エッチング室内において送りローラによって搬送される処理基板に向けてエッチングに必要な薬液を吐出する吐出ノズルと、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜上方に位置する一端部に対向する第１センサ、エッチング室内の入口側に設けられ傾斜した状態で搬送される処理基板の傾斜下方に位置する他端部に対向する第２センサ、エッチング室内の出口側に設けられ処理基板の一端部と他端部との間の中央部に対向する第３センサを含むセンサ群と、センサ群に含まれる第１乃至第３センサの各々からの出力信号に基づいてエッチングエンドを判別する演算装置と、を備えたエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】高い除去率で、しかも優れた面内均一性で基板を凍結洗浄する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成されたＤＩＷ（凝固対象液）の凝固膜ＦＦに対してＤＩＷの凝固点よりも高い温度を有する融解液（ＤＩＷ）を局部的に供給するとともに、当該融解液を吐出するノズル８を基板表面Ｗｆに沿ってスキャン移動させて基板Ｗへの融解液の供給位置を変位させている。このため、基板Ｗ表面の複数位置で融解液の流速が速くなり、基板Ｗ表面の各部で高い除去率が得られるとともに、除去率の面内均一性も向上している。また、融解液により融解された領域（融解部分ＭＰ）と融解されていない領域（凝固膜ＦＦ）との界面ＩＦが基板Ｗの外周縁部側に広がるのに追随してノズル８を基板Ｗの外周縁部側に移動させているので、融解部分ＭＰで発生した氷塊による基板ダメージを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】加工層のトリミングによって著しい量の材料を除去することなく、平坦性および平面平行度をさらに向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、上部加工ディスク１３、下部加工ディスク２６、転動装置を含み、対称軸２８を中心として回転可能に取り付けられ、下部介在層２９を下部加工ディスク２６の表面上に、上部介在層１６を上部加工ディスク１３の表面上に取り付けるステップと、３つのトリミング装置によって両方の介在層１６、２９を同時に平坦にするステップとを備え、各トリミング装置はトリミングディスクと、研削物質を含む１つのトリミング本体と、外側歯部とを含み、コロイド経路上で、圧力を受けて研削作用を有する物質を含まない冷却潤滑材の添加により、転動装置と外側歯部によって動かされ、介在層１６、２９から材料除去をもたらし、下部加工層３２と上部加工層３９を下部介在層２９と上部介在層１６に取り付けるステップを備える。 （もっと読む）

【課題】砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。
【解決手段】フュ−ムド砥粒ならびに約０．０１〜約５．０wt％の少なくとも１つのＣｓ＋塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。好ましくは、本発明は水、約１〜約５０wt％のフュ−ムドシリカ、および約０．１〜２．０wt％のＣｓＯＨを含有する化学的機械研摩用組成物である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ウェハ・レベル・パッケージング・プロセスに関係し、またこの方法でパッケージングされたコンポーネントに関係する。
【解決手段】
本発明の目的は、高い歩留まりを保証し、光学および／または微小機械コンポーネントにも好適であり、機能領域からの接続部の改善された熱機械的減結合を達成するこのタイプのプロセスを実現することである。
本発明のプロセスによれば、ベース基板は、複数の本体領域と複数の接続領域に分割され、本体領域はそれぞれの場合に機能領域上に広がり、接続領域は接触接続陥凹部に関してオフセットされる。次いで、コンポーネントは、本体領域および接続領域内で異なる厚さを持つようになるまで本体領域または接続領域内で薄くされ、その後、ウェハ・アセンブリは複数のチップにダイスカットされる。 （もっと読む）

【課題】薄化される基板を支持するサポートプレートの再利用を実現する。
【解決手段】本発明にかかるサポートプレートの処理方法は、薄化される基板に貼り合せることによって当該基板を支持するサポートプレートを処理する方法であって、該基板と該サポートプレートとが貼着された状態で該基板を処理し、該サポートプレートと基板とを剥離した後、該サポートプレートに互いに異なる薬液を用いた浸漬を複数回行うことで付着物を除去する工程、および、該サポートプレートにＯ_２ドライプラズマを行うことで付着物である有機化合物を除去する工程を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規な優れた基材の処理方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基材の処理方法であって、
（ａ）チャンバー中で、反応性のエッチングガスを用いるエッチングステップ、および先行するエッチングステップにより既にエッチングされた構造の部分の側壁上に保護ポリマーを堆積するための堆積ステップを含む周期的なプロセスを用いて、基材に概ね垂直な構造をエッチングすること、および
（ｂ）基材の非存在下において、ステップ（ａ）における堆積ステップの実行によって物質が堆積したチャンバーを、洗浄することを含み、堆積に由来する物質の洗浄に続いて、チャンバーをＯ_２と少なくともエッチャントガスの活性元素との混合物を含むプラズマに暴露することによって、エッチャントガス由来の物質を取り除いてチャンバーが洗浄されることを特徴とした、基材の処理方法である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面からリンス液を良好に除去することができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に純水が供給され、ウエハＷの表面に対するリンス処理（ウエハＷの表面を純水で洗い流す処理）が行われた後、純水よりも表面張力の低いＩＰＡ液がウエハＷの表面に供給される。また、ＩＰＡ液の供給と並行して、ウエハＷの表面と反対側の裏面に温水が供給される。 （もっと読む）