【課題】薄化加工された半導体ウェハの厚みを均一化するとともに、その表面に残存する異物の数を低減する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（ａ）第１主面に段差構造２を有する半導体ウェハ１の表面上に樹脂部材３を塗布する工程と、（ｂ）樹脂部材３を加熱して、当該樹脂部材３の表面を平坦化する工程とを備え、樹脂部材３は半導体ウェハ１側面上にも形成されている。そして、当該製造方法は、（ｃ）工程（ｂ）の後に、半導体ウェハ１の裏面に対して、半導体ウェハ１の薄化加工を実施する工程と、（ｄ）工程（ｃ）の後に、樹脂部材３を半導体ウェハ１から除去する工程とをさらに備える。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に異方性を有する単結晶基板にうねりを生じさせることなく上面を研削可能な単結晶基板の研削方法を提供すること。
【解決手段】単結晶基板１１の回転中心を研削砥石２８が通過するように研削ホイール２４を位置づけて、単結晶基板１１の第２の面を研削する第１の研削工程と、単結晶基板１１の回転中心を研削砥石２８が通過するように研削ホイール２４を位置づけて、単結晶基板１１の第１の面を研削する第２の研削工程とを具備し、第２の研削工程における研削方向は、第１の研削工程における研削方向が単結晶基板１１の回転中心から外周に至る方向であれば外周から回転中心に至る方向であり、第１の研削工程における研削方向が単結晶基板１１の外周から回転中心に至る方向であれば回転中心から外周に至る方向である。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い接合電極を提供する。
【解決手段】絶縁層２２と、絶縁層２２に形成された凹部２５と、凹部２５の側面及び底面に形成された被覆層２３と、被覆層２３上に形成され、絶縁層２２表面から突出した上面２４Ａを有する接合金属層２４を形成し、被覆層２３が露出するまで接合金属層２４を除去する。続いて、被覆層２３の研磨速度が接合金属層２４に対して充分に速い条件で、絶縁層２２上の被覆層２３を研磨することにより、接合金属層２４を絶縁層２２の表面に突出させる。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなく洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、ターシャリーブタノールを供給した後、ＤＩＷを基板表面Ｗｆに供給してパターン間隙内部にのみターシャリーブタノールを残留させる。その後基板を冷却し、ターシャリーブタノールとＤＩＷを凝固する。ターシャリーブタノールはＤＩＷに対して凝固点が高く、また凝固した際の体積の増加が小さい。従って、ＤＩＷが凝固する前にパターン間隙内部で凝固し、パターンを構造的に補強する。また、体積の増加が少ないためパターンへ与える応力がＤＩＷに比較して小さくなる。従って、パターンへのダメージを防止しながら基板表面Ｗｆを洗浄することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 基板処理装置のスループットを向上させつつ、基板に処理液の濡れ残りが発生するのを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】裏面処理部において、基板Ｗに処理液を供給して洗浄処理を行った後に乾燥処理を行う。その後、メイン搬送ロボットにより裏面処理部から第２反転ユニットの上方に配置された第１反転ユニット２３へ基板Ｗを搬送する。この第１反転ユニット２３では、基板Ｗを裏面から表面へ反転させている際にフィルターファンユニット５２からのダウンフローが開始されるとともに、反転機構の上下に配置された加熱装置５０が基板Ｗへの加熱処理を行う。基板Ｗの反転動作及び乾燥処理が終了すると、メイン搬送ロボットは第１反転ユニット２３から基板Ｗを搬出する。 （もっと読む）

【課題】予備のＮＦ_３を用いることによって、フッ素セルのオンサイトでの使用の困難性を克服して、安全で、連続的に、規制を遵守する方法でフッ素を与える。
【解決手段】次の工程を有する反応チャンバーの洗浄方法：
（ａ）目的の基材に材料を堆積させるための反応チャンバーを与える工程；
（ｂ）上記反応チャンバーの内部で、上記目的の基材に上記材料を堆積させる工程；
（ｃ）上記堆積を周期的に中断する工程；
（ｄ）上記反応チャンバーの内部と、フッ素及び窒素の混合物とを接触させて、上記反応チャンバーの上記内部を洗浄する工程；及び
（ｅ）上記フッ素及び窒素の混合物が使用できない場合に、切り替えを行って、上記反応チャンバーの内部と三フッ化窒素とを接触させる工程。 （もっと読む）

【課題】被加工物を保持するチャックテーブルの温度分布を制御して被加工物の厚みを所望の厚みに形成することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持された被加工物を研磨する研磨パッドを備えた研磨手段とを具備する研磨装置であって、チャックテーブルは、被加工物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルを支持する支持部材とを備え、支持部材には中心部から外周に向けて渦巻状に形成された流体通路が設けられており、流体通路に温度制御流体を供給し保持テーブルの中心部から外周部における温度分布を制御する制御流体供給手段を具備している。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、研磨パッド外縁部でのスラリー廃液の滞留を防ぐ研磨パッド、研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、研磨パッドは、研磨時に研磨対象物が接触する領域を含む研磨面と、前記研磨面よりも外周側の外縁部の上面である非研磨面とを備えている。前記非研磨面の純水接触角は、前記研磨面の純水接触角よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】微細な砥粒を用いる仕上げ研磨において、結晶材料から成る被研磨物をスクラッチ、加工歪又は段差を生じることなく、効率よく研磨できる金属研磨盤、その製造方法及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨盤面に互いに平行に形成された螺旋状又は同心円状の第１のＶ字溝及び第２のＶ字溝と、前記第１のＶ字溝と前記第２のＶ字溝との間に画成された研磨面と、を含み、前記第１のＶ字溝の縦断面の面積が前記第２のＶ字溝の縦断面の面積より大きく、前記第１のＶ字溝同士の間のピッチと前記第２のＶ字溝同士の間のピッチが等しく、前記研磨面の表面粗さＲａは０．０５μｍないし２μｍの範囲にあり、前記研磨面の幅は２０μｍないし１２０μｍの範囲にある金属研磨盤が提供される。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるようにする。
【解決手段】支持部３２の下端には、束線バンド３５で束ねられた弾性部材３１が取り付けられている。弾性部材３１は、線径が０．１５ｍｍで長さ２５ｍｍのタングステン線が３０本ずつ１束に束ねられて構成されている。また、弾性部材３１の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド２０に接触して研磨パッド２０のドレッシングを行うようになっている。弾性部材３１の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド２０の切削幅を小さくすると共に、弾性部材３１の各素線を束線バンド３５で束ねることによって弾性部材３１の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材３１の先端部は研磨パッド２０に有効な切り込み深さを与えることができる。 （もっと読む）