【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

【課題】高精度で且つ制御性能が高い温度制御を行うことができる熱処理装置の温度制御方法を提供する。
【解決手段】第１のＰＩＤ演算要素と第２のＰＩＤ演算要素とでカスケード制御を行う温度コントローラを有する熱処理装置の温度制御方法において、第１のＰＩＤ演算要素の第１の操作量の上下限判定範囲を、炉内温度が目標値に一致しているときの該第１の操作量の値を基準に正負両側に略同じ値である範囲とし、かつ第１のＰＩＤ演算要素で計算された第１の操作量がその上限値を超えたと判定されたときは該第１の操作量が前記上下限判定範囲の上限値になる分だけ前記第１のＰＩＤ演算要素の積分操作量を増加させ、その下限値を下回ったと判定されたときは該第１の操作量が前記上下限判定範囲の下限値になる分だけ積分操作量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子や平板ディスプレイを製造するための薄膜蒸着工程において、蒸着工程毎に所定の均一な量の蒸着ガスが供給できるようにする蒸着ガス供給装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る蒸着ガス供給装置（１００）は、蒸着物質が貯蔵される蒸着物質貯蔵部（２００）と、蒸着物質を加熱して蒸着ガスを発生させる蒸着物質蒸発部（３００）と、キャリアガスを供給するキャリアガス供給部（４００）とを備える蒸着ガス供給装置（１００）であって、蒸着物質貯蔵部（２００）と蒸着物質蒸発部（３００）との間に配置される蒸着物質供給部（５００）をさらに備え、蒸着物質供給部５００は、蒸着工程毎に蒸着物質蒸発部３００に所定の一定量の蒸着物質を供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積のための改良されたガス配送装置を提供する。
【解決手段】基板受け入れ面を有する基板支持体212と、チャンバ蓋232とを備え、該チャンバ蓋は、その中央部分から延びるテーパー付けされた通路と、該通路から上記チャンバ蓋の周囲部分へ延びる底面260とを含み、該底面は、上記基板受け入れ面を実質的に覆う形状及びサイズにされている。又、この装置は、徐々に拡がるチャンネルに結合された１つ以上のバルブ250と、各バルブに結合された１つ以上のガス源も備えている。 （もっと読む）

【課題】シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１が待機する待機室１２を形成した筐体１１と、待機室１２内に形成されて窒素ガス３０が循環する循環路３１と、循環路３１の途中に設けられて窒素ガス３０を循環させる送風機４３を有するクリーンユニット４１とを備えた熱処理装置１０において、筐体１１内の送風機４３の吸込側空間５５に隔離室５１を形成する仕切板５０を設け、隔離室５１を排気する排気ダクト５２を設ける。窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止する。 （もっと読む）

【課題】ランプヒータの突入電流を抑制する。
【解決手段】ランプヒータユニットは、並列配置され、中央のランプヒータユニットＨＵ２の両側に、ランプヒータユニットＨＵ１、ＨＵ３が配置されている。
基板Ｗがカート３１０によって加熱室１００に搬入されたときに、制御装置４００は、まず、ヒータ電源装置４１０から中央のランプヒータユニット（第１グループ）にのみ給電する。このときの突入電流は、全てのランプヒータユニットに給電する場合に比較して約１／３となる。その他のランプヒータユニットは中央のランプヒータユニットの輻射熱によって加熱され、電気抵抗値が増大する。
制御装置は、ランプヒータユニットの抵抗値が充分増大したときに、両側のランプヒータユニット（第２グループ）に給電する。 （もっと読む）

高真空処理チャンバー、高真空処理チャンバーと連結されたトランスフォーマー型プラズマトロン、及び、トランスフォーマー型プラズマトロンに少なくとも１つのガスを導入するための、トランスフォーマー型プラズマトロンに連結された少なくとも１つのガス源とを具備するプラズマ発生装置であって、前記高真空処理チャンバーは少なくとも１つのエントリーポートを有し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、交流電流を発生させるためのラジオ周波数電力源と、該ラジオ周波数電力源と接続された複数の導体と、前記ガスを閉じ込める閉ループ・ディスチャージチャンバーと、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの周りに取り付けられ前記導体と接続された複数の透磁性の高い磁気鉄心と、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの内側に沿って配置した複数の開口と、内側部分と外側部分とを連結する少なくとも２つの絶縁ガスケットを具備し、前記エントリーポートは、前記内側部分が前記高真空処理チャンバーに物理的に貫通するよう該内側部分を受け取るように構成され、前記導体は前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに１次巻き線を形成し、前記閉ループ・ディスチャージチャンバー中のガスは前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに２次巻き線を形成し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、前記導体に前記交流電流が供給されたとき、それぞれのプラズマの少なくとも１つのガスに点火し、前記開口は、前記内側部分から該それぞれのプラズマを前記高真空処理チャンバーに放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理プロセスに関するデータの相互比較を容易とし、基板処理装置や基板処理プロセスにおける異常検出を容易とする。
【解決手段】群管理装置は、データを基板処理装置から受信する通信手段と、通信手段が受信したデータを読み出し可能に格納する格納手段と、データ検索条件の入力を受け付けて格納手段を検索し、読み出したデータを時系列に重ね合わせてグラフ化することで、時系列グラフを作成すると共に、時系列グラフ中における特異点の指定を受け付け、格納手段から読み出したデータおよび特異点を基板処理プロセスと対応させつつグラフ化することで、プロセス比較グラフを作成するグラフ作成手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、ＣＶＤによる成膜を含む複数の処理を連続的に行なう成膜装置であって、各室が、隣接する室の圧力による悪影響を受けることなく、また、反応ガスによる装置内の汚染も抑制できる成膜装置を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ成膜室と上流もしくは下流の処理室との間に排気手段を有する差圧室を設けて、この差圧室に、不活性ガスおよび／または両室に供給されるガスを導入することにより、成膜室および処理室の高圧な方よりも高い圧力とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの汚染を抑え、半導体装置の高性能化や信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応炉と、反応炉にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、反応炉よりガスを排出するためのガス排出機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータエレメントと、このヒータエレメントと一体成型されたヒータ電極部とを有するヒータと、ヒータ電極部と接続され、ヒータ電極部に電圧を印加するための電極部品と、電極部品を固定するためのベースと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、を備え、ヒータ電極部と電極部品との接続部の少なくとも一部が、ベースの上面より下部に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）