【課題】ガス管のシール部から処理容器内へ空気がリークして侵入することを防止することが可能なガスポート構造を提供する。
【解決手段】被処理体に処理を行うために真空排気が可能な処理容器内へガスを導入するガスポート構造において、処理容器の端部に設けられてガスノズルを挿通するためのノズル挿通孔が形成されたガス導入ポートと、ノズル挿通孔に挿通されたガスノズルの端部を挿入して連結されるガス導入管と、ガス導入管の端部とガス導入ポートとの間に介在されるシール部材と、シール部材の外周側に空間を隔てて覆うように設けられた覆い体と、ガスノズルとガス導入管との連結部をシールするためにガス導入管をガス導入ポート側へ付勢してシール部材を押圧する押圧部材と、空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】緻密で且つ不純物が少なく、更には基板の面内において膜厚及び膜質が均質な薄膜を形成すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＢＴＢＡＳガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＢＴＢＡＳガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、シリコン酸化膜を成膜した後、活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対してＡｒガスのプラズマを供給して、成膜サイクル毎に改質処理を行う。この時、Ａｒガスと共にＯ2ガスを供給してＡｒガスのプラズマ化の連鎖を抑制する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の状態を個別に認識した上で、プロセスガス中の特定ガスの分圧について測定値が閾値を上回っているか下回っているかを個別に認識することが可能なプロセスモニタ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプロセスモニタ装置１は、バルブにより仕切られたチャンバを有する成膜装置５０に接続して使用され、前記成膜装置に接続されたガス分析手段３０を制御するコンピュータ１０には、予め、プロセスガス中の特定ガスの分圧について、バルブが開いた第一状態における警告閾値と、バルブが閉じた第二状態における異常閾値とが、それぞれ設定されており、前記コンピュータは、前記ガス分析手段により検出された特定ガスの分圧を監視し、該分圧が、信号送信手段２０により送信された前記チャンバの状態に応じた警告閾値又は異常閾値を超えた場合に、警告信号又は異常信号を前記成膜装置に送信すること、を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、従来技術における問題を解決する中空のナノチューブ構造の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明のナノチューブの製造方法は、以下のステップを備える。基板１を準備する。前記基板１上に先ずシード層１１を形成させてから、水熱法によって相対的に低い温度下で前記シード層１１上に所定のサイズを有するナノワイヤを成長させる。前記ナノワイヤの表面に外部被覆層を形成させる。前記外部被覆層の先端に選択エッチングを施して、前記ナノワイヤの先端を露出させる。前記ナノワイヤ全体を取り除いて、中空状の前記外部被覆層を残して、数個のナノチューブ3’を形成させる。前記製造方法は、ナノチューブの製造工程を簡素化し、ナノチューブのサイズの精度及び素子の光電特性を高める。 （もっと読む）

【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止することができるＣＳＤ溶液塗布膜除去用組成物及びこれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】β-ジケトン類、β‐ケトエステル類、多価アルコール類、カルボン酸類、
アルカノールアミン類、α‐ヒドロキシカルボン酸、α‐ヒドロキシカルボニル誘導体、およびヒドラゾン誘導体から選ばれる１種あるいは２種以上の有機溶剤と、水とを含むＣＳＤ塗布膜除去用組成物を噴射又は滴下して、ＣＳＤ塗布膜の外周端部を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ウェーハの汚染を抑え、半導体装置の高性能化や信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応炉と、反応炉にプロセスガスを供給するためのガス供給機構と、反応炉よりガスを排出するためのガス排出機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータエレメントと、このヒータエレメントと一体成型されたヒータ電極部とを有するヒータと、ヒータ電極部と接続され、ヒータ電極部に電圧を印加するための電極部品と、電極部品を固定するためのベースと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、を備え、ヒータ電極部と電極部品との接続部の少なくとも一部が、ベースの上面より下部に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 金属膜やＨｉｇｈ−ｋ膜の膜質の劣化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の薄膜２上に、第１の薄膜２とは異なる第２の薄膜３を形成し、第２の薄膜３上に、第２の薄膜３とは異なる膜からなる犠牲膜５を形成し、犠牲膜５をエッチングにより所望の間隔を持つパターンに加工し、犠牲膜パターンを形成し、シリコン含有プリカーサー、酸素含有ガスを基板上に間欠的に供給して、犠牲膜パターンにシリコン酸化膜６を被覆し、シリコン酸化膜６をエッチングにより犠牲膜５の側壁上に側壁スペーサー６ａを形成し、犠牲膜５を除去し、側壁スペーサー６ａをマスクとして用いて第１の薄膜２および第２の薄膜３を加工する。 （もっと読む）

【課題】最適なメンテナンス時期を通知する膜厚検知器を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気において被処理体の上に薄膜を形成しまたは前記被処理体をエッチングする真空処理装置内に設けられる膜厚検知器であり、第１の導電性端子と、前記第１の導電性端子に隣接する第２の導電性端子と、を備え、前記被処理体以外の部分に堆積する被膜の厚みを、前記第１の導電性端子と前記第２の導電性端子との間に堆積する被膜の厚みに応じた前記第１及び前記第２の導電性端子の間の電気特性の変化として検知可能としたことを特徴とする膜厚検知器が提供される。 （もっと読む）

【課題】真空弁のメンテナンスサイクルを長くできる排気圧力制御システム及び排気圧力制御方法を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３に接続される排気系１０に配設される真空弁１５と、排気系１０の排気圧力を目標圧力に制御するように真空弁１５のバルブ開度を制御するコントローラ１２とを有する排気圧力制御システム１１において、排気系１０に接続するパージガス供給系１４と、パージガス供給系１４に配設され、排気系１０に供給されるパージガスの流量を制御するパージガス流量コントローラ１３と、を有し、パージガス流量コントローラ１３により流量制御されたパージガスを排気系１０に供給することにより、コントローラ１２が制御する真空弁１５のバルブ開度を、パージガスを排気系１０に供給しないで排気圧力を目標圧力に制御する場合より大きくする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成領域へのエネルギ伝送の効率化と、電界強度分布の均一化を図ることにより、大面積で高品質な膜を均一に製膜することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】互いに対向して配置され、間にプラズマ処理が施される基板が配置される放電用のリッジ部であるリッジ電極２１，２１を有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を放電室２に供給する電源５と、内部導体４１および外部導体４２からなり、電源５から放電室２へ高周波電力を導く同軸線路４Ａと、リッジ部３１，３１を有するリッジ導波管からなり、放電室２が延びる方向Ｌに隣接して配置され、同軸線路４Ａから放電室２へ高周波電力を導く変換部３Ａと、が設けられ、リッジ部３１，３１の一方は、内部導体４１と電気的に接続され、リッジ部３１，３１の他方は、外部導体４２と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）