【課題】反応容器内の温度をより早く調整できるようにする。
【解決手段】基板処理装置１は、ウェハ３０５を処理する反応容器３０９と、この反応容器３０９を囲繞するインナシェル５０と、インナシェル５０の内側に設けられた発熱体２０と、インナシェル５０内のガスを排気する排気ダクト８０と、インナシェル５０内において排気ダクト８０と反応容器３０９との間に設けられ、発熱体２０から発した熱線を反射する複数の反射体９２、９３と、複数の反射体９２、９３のうち少なくとも１つを移動し、複数の反射体９２、９３間の隙間９５を広げたり狭めたりする駆動装置１００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 セルフリミットを発生させるような金属酸化物であっても、その膜厚を制御することが可能となる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地の温度が金属酸化物膜の成膜温度に達する前に、金属原料ガスを下地の表面に供給する工程（１）と、下地の温度を成膜温度以上とし、下地の表面に供給された金属原料ガスと下地の表面の残留水分とを反応させて、下地上に金属酸化物膜を形成する工程（２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に処理液が存在するか否かについて、簡易な構造で検出し、製品の歩留まりの悪化を抑えること。
【解決手段】スピンチャック２に静電センサ５４Ａ〜５４Ｃを埋設する。静電センサ５４の静電容量は、基板であるウエハＷ上に処理液が存在すると、存在しない場合に比べて大きくなる。従って静電センサ５４Ａ〜５４Ｃにより、スピンチャック２上のウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することができる。従って所定のタイミングでウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することによって、処理液ノズル４からの処理液の吐出や、基板上における処理液の拡散の異常を速やかに検出できるため、これらの異常に直ちに対処でき、製品の歩留まりの悪化を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】吸着面に付着した不純物に起因して吸着力が低下した静電チャックを、簡単な構成により不純物を除去して吸着力を再生することができ、安定して真空処理を行うことが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化剤である水を噴射弁により直接噴射する際の不具合を解消した成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを内部に保持し、ポンプ７１により減圧されている成膜室２内に、有機金属化合物を含む液体原料を噴射弁４１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記液体原料を気化させて、基板表面に有機金属化合物を吸着させる吸着工程と、成膜室２内に、酸化剤である水と水よりも気化潜熱の小さい有機溶媒との混合溶液を噴射弁５１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記混合溶液を気化させて、基板表面上に吸着した有機金属化合物を酸化する酸化工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ（２５）は、基板（５０）を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置（１００）は、処理ガスの流れを１つ又はそれ以上のガスノズル（１４０）を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】プラズマによって生成される活性種量を増大することができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供する
【解決手段】処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される。 （もっと読む）

【課題】ボートの個体差によるウエハ移載ミスの発生を防止する。
【解決手段】第一ボート２１Ａと第二ボートが使用されるＣＶＤ装置において、ボートが載置された状態でウエハ移載装置によるウエハのボートへの移載作業が実施される待機台３３の上面にはボート識別手段のボート検出装置７２の有無検出部７３と識別用検出部７４とが設置され、第一ボート２１Ａには有無検出部７３と識別用検出部７４とに対応した被検出子７９、７９が突設され、第二ボートには有無検出部７３に対応した被検出子７９だけが突設される。ボート検出装置７２が両被検出子７９、７９を検出した時は第一ボート２１Ａと、一方の被検出子７９だけを検出した時は第二ボートと判断される。第一ボート２１Ａか第二ボートかを識別することで、個体差に対応した条件でウエハ移載装置を制御できるため、ウエハ移載ミスの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】発熱回路の断線故障が生じてもチャンバ等の温度を維持して稼働を継続することのできる基板処理装置用の加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱ユニット１０１は、インナーシェル１１１とアウターシェル１２１との間に、第１の面状発熱体１３１及び第２の面状発熱体１３２の２つの面状発熱体を保持する。第１の面状発熱体１３１及び第２の面状発熱体１３２には、第１の面状発熱体用リード線１４１及び第２の面状発熱体用リード線１４２を介して個別に電力が供給され、発熱が制御される。いずれか一方の面状発熱体が故障しても、他方の面状発熱体により発熱を維持し、加熱を継続することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の比較可能なサイズの搬送チャンバの平坦な底部より薄く形成することができ、費用と重量を低減する。
【解決手段】基板処理ツール２０１の搬送チャンバ２０３は、少なくとも一の処理チャンバ１７と少なくとも一のロードロックチャンバ１５に連結される側壁部２１５を有する本体部２０７を有している。本体部は、少なくとも一の処理チャンバと少なくとも一のロードロックチャンバの間で基板を搬送するために用いられるロボット２０５の少なくとも一部を収容している。蓋部２２７は、搬送チャンバの本体の上部に連結されてこれを封止している。搬送チャンバは、搬送チャンバの本体の底部に連結されてこれを封止するために用いられるドーム型底部２３３を有している。 （もっと読む）