【課題】反応炉内の堆積膜に十分にクラックを発生させ、それにより、成膜処理中における堆積膜の剥離や、パーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】第1の温度に設定された反応炉内に基板を搬入する工程と、反応炉内を前記第1の温度よりも高い第２の温度に設定する工程と、第２の温度に設定された前記反応炉内で基板に対して成膜処理を行う工程と、成膜処理後の基板を前記反応炉内より搬出する工程と、成膜処理後の基板を搬出後、反応炉内に前記基板がない状態で、反応炉内を強制冷却して反応炉内の温度を前記第１の温度よりも低い第３の温度まで降下させつつ反応炉内をガスパージする工程と、反応炉内の温度を第３の温度に所定の時間保持した状態で反応炉内をガスパージする工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。反応炉内の温度を第３の温度に所定の時間保持することにより、反応炉内に付着した堆積膜により効果的に亀裂を発生させ、亀裂により生じた微細パーティクルを効率的に反応炉外に排出する。 （もっと読む）

複数のウェーハを支持する塔とチューブ状のライナとの間の縦型炉内の空間に処理ガスを注入するのに使用するためのガスインジェクタは、第１の遠位端と、第１の軸に沿って延在する第１の内腔とを有し、シリコン、石英、及びシリコンカーバイドで構成される群から選択された第１の単一の材料からなる、チューブ状ストローと、ストロー部に離脱可能に接続され、第１の材料とは異なる第２の材料からなるコネクタであって、第１の軸に垂直な第２の軸に沿って延在する第２の内腔を有し、第１の内腔と流体連結し、ガス供給ラインに接続可能な遠位端を有する供給チューブを含むコネクタとを含んでいる。
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【課題】成膜装置用部品に形成された付着膜を、より効率よく除去することができる付着膜除去方法を提供する。
【解決手段】成膜装置用部品の付着膜除去方法は、成膜装置用部品に、水で処理することにより溶解または軟化プレコート層を形成する成層工程；前記プレコート層上に形成された付着膜５に水を噴射し、前記付着膜の少なくとも一部２を切除する切除工程；および、前記付着膜が切除された成膜装置用部品を水へと浸漬させる除去工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波による加熱処理装置において基板の面内温度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、処理室内で基板を支持する基板支持部５と、処理室の壁面に開口する基板搬入搬出口１０を開閉すると共に基板搬入搬出口１０を閉じた際には処理室の内壁面の一部を構成する開閉部９と、処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部４と、を備えている。処理室の内壁面のうち、基板支持部５上に支持された基板Ｗの処理面に対向する面７と開閉部が構成する面９とを結ぶ面８が、基板Ｗの処理面に対して斜めに構成された。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素上のグラフェン・バッファ層の活性化のための方法およびデバイスを提供する。
【解決手段】炭化ケイ素層上に形成された１つ以上のグラフェン層を有する構造を電気的に活性化させる方法は、炭化ケイ素層と１つ以上のグラフェン層の最下層との間に配置された酸化シリコン層を形成するように構造に酸化プロセスを行うことによって最下層グラフェン層を電気的に活性化するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】加熱効率および冷却効率に優れ、プラズマ処理後における被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれがなく、製造コストも比較的少ないプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】加熱装置Ｅ１は、トレー５および基板が載置されるアノード電極７と、アノード電極７の内部にその長手方向に沿って埋設された加熱部材３１と冷却部材３２とを備えてなる。加熱部材３１は、アノード電極７の一方端部寄り箇所に平面形状がＵ字型の湾曲部分３１ａを有し、それ以外の箇所に直線状部分３１ｂを有し、互いに並列状に隣り合って設けられた７本の管状ヒータからなる。冷却部材３２は、対応する前記管状ヒータの湾曲部分３１ａを臨む箇所に蛇行状部分３２ｃを有し、それ以外の箇所に直線状部分３２ｂを有し、それぞれの前記管状ヒータの外側に沿って互いに並列状に隣り合って設けられた７本の冷却管からなる。 （もっと読む）

【課題】少数枚の基板を取り扱うのに好適でコストを低減することができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】小バッチ式ＣＶＤ装置１は一度に処理するプロダクトウエハＷｂの枚数が一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収納される枚数以下に設定されており、一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収容されたプロダクトウエハＷｂをサイドダミーウエハ用ポッド２６Ａに収納されたサイドダミーウエハＷａと共にボート９に装填してプロセスチューブ４で一度に処理するように構成されている。一度にバッチ処理する枚数のプロダクトウエハが一台のポッドに収納されるため、ポッドを一時的に保管するための棚や、ポッドを保管棚とポッドステージとの間で搬送するためのポッド搬送装置等を省略でき、バッチ式ＣＶＤ装置のイニシャルコストやランニングコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内のヒータ等の加熱機構がクリーニング処理によって生じる劣化や腐食を、クリーニング時における温度制御を要することなく行い、温度制御に伴う操作時間を不要とし、真空成膜装置の稼働率の低下を抑制する。
【解決手段】真空成膜装置において、クリーニング時において加熱機構の外周を不活性ガスで覆うことによって、反応性に高いクリーニングプラズマあるプラズマによって発生するラジカルが加熱機構に接触しないようにし、これによってクリーニング処理により劣化や腐食を防ぐ。保護機構は、ヒータの周囲空間に不活性ガスを導入する不活性ガス導入機構を備え、クリーニング時に不活性ガスを導入して加熱機構をクリーニングガスプラズマ又はラジカルから空間的に分離してヒータを保護する。 （もっと読む）