【課題】 反応容器内から大気中への水素ガスの漏洩を抑制しつつ、反応容器内の温度制御の応答性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容する反応容器と、反応容器内に水素ガスを供給する水素ガス供給手段と、反応容器の外部に設けられ、前記反応容器を介して前記基板を加熱する加熱手段と、反応容器及び前記加熱手段を収容する外部容器と、外部容器と前記反応容器との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、外部容器内外を連通させる通気口と、外部容器と前記反応容器との間の空間の雰囲気を排気する排気手段と、外部容器と前記反応容器との間の空間の酸素濃度を測定する酸素濃度測定手段と、外部容器と反応容器との間の空間の水素濃度を測定する水素濃度測定手段と、外部容器と反応容器との間の空間の温度を測定する温度測定手段と、各手段の動作を制御する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な金属酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に有機金属化合物を含むガスを供給し、下地上に金属酸化膜を成膜する金属酸化膜の成膜方法であって、下地上に有機金属化合物を供給して下地上に金属酸化膜を成膜し（工程２）、かつ、金属酸化膜の成膜プロセスの最後に、金属酸化膜を酸素含有ガス又は酸素含有プラズマに曝す（工程４）。 （もっと読む）

【課題】処理室内にある複数の基板（ウエハを含む）の主面全体にわたって、膜厚均一性を向上することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積層保持する基板保持具２１７と、該基板保持具２１７に保持された基板２００を処理する処理室２０１と、前記処理室２０１内の前記基板２００の積層方向に延在し、前記基板２００の中央部に向けて処理ガスを供給するガス供給孔２４８を前記積層方向に複数有するガス供給部と、前記ガス供給部へ供給する処理ガスの流量を制御する流量制御部２４１と、前記処理室２０１内の圧力を制御する圧力制御部２４３と、前記基板２００の処理中に、複数のガス供給孔２４８の少なくとも一つのガス供給孔２４８から供給される処理ガスの流速を変化させるように前記流量制御部２４１、又は前記圧力制御部２４３を制御するコントローラ２８０とから構成する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の温度上昇を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスを導入して交流電圧を印加可能に構成された処理室３と、処理室内を原料ガスが導入されるガス導入室３２と、基板１０が配置される反応室３１と、に区画するシャワープレート５と、を備えたプラズマ処理装置１において、ガス導入室内に、冷却装置５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】特殊な高価な高温用の熱交換器を不要にして、耐熱性の低い汎用の安価な熱交換器を用いることができるようにした熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに対して同時に熱処理を施す熱処理装置において、筒体状に形成された処理容器４と、処理容器内へ挿脱可能に収容される支持手段１８と、被処理体を加熱するために処理容器の外周側に、冷却空間２８を介して囲むようにして設けられた加熱炉３０と、押込用送風機が接続された気体導入通路４２を有し、冷却空間に熱処理後の降温時に冷却気体を導入する冷却気体導入手段３６と、熱交換器５４と吸出用送風機５６とが順次設けられた気体排出通路５２を有し、冷却空間から昇温した冷却気体を排出する冷却気体排出手段３８と、熱交換器の上流側にて気体排出通路に設けられて、昇温した冷却気体に降温用気体を導入して降温させる降温用気体導入手段４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、分注工程の終了時において流体の清浄な離脱を確実に行い、分注ノズルにおける流体の結晶化を減らすよう流体分注を制御するのに好適なシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】本発明の１つの実施形態は、近距離の第１セグメントに対する第１近距離パラメータに応じて制御弁を閉止させる流量制御信号を発生し、近距離の第２セグメントに対する第２近距離パラメータに応じて制御弁を閉止させる流量制御信号を発生することのできる制御装置を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】導電膜もしくは絶縁膜を効率的に除去する半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する第１の工程と、処理室内に複数の原料ガスを供給して基板上に導電膜もしくは絶縁膜を形成する第２の工程と、処理室内から処理後の基板を搬出する第３の工程と、処理室内に改質ガスを供給して、処理室内に付着した導電膜もしくは絶縁膜を改質する第４の工程と、を１サイクルとして複数サイクル繰り返した後、処理室内にクリーニングガスを供給して、改質された導電膜もしくは絶縁膜を含む処理室内に付着した堆積物を除去する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】速やかな基板搬送を可能とし、スループットの向上に資するプロセスモジュール、これを含む基板処理装置、およびこれらにおける基板搬送方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプロセスモジュール１５は、基板Ｗが載置され、載置された当該基板Ｗに対して基板処理が行われる載置部１５Ｓと、外部の基板搬送装置１６に対して基板受け渡しが行われる第１の位置と前記載置部１５Ｓの上方の第２の位置とにそれぞれ独立に位置することができ、それぞれ基板を保持可能な複数の基板保持具１５Ｕ，１５Ｍ，１５Ｄを含む基板搬送機構１５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一性を向上する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、基板載置部に載置した基板を処理する処理室と、処理用ガスを処理室に供給する供給部と、供給された処理用ガスを励起する励起部と、処理室内の雰囲気を排気する排気部と、基板載置部を支持する支持部と、支持部を水平回転させる回転駆動部と、接続部を介して支持部の下端接続される冷媒供給/排出部とを有するよう構成し、前記基板載置部は、その内部に冷媒循環通路を有しており、前記支持部は、前記冷媒循環通路に冷媒を流通させる第１の冷媒流路を有し、前記冷媒供給/排出部は、第２の冷媒流路を有し、前記接続部は、前記第１の冷媒流路と第２の冷媒流路とを接続するものであり、前記接続部を前記処理室の外部に設けるように構成する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素上のグラフェン・バッファ層の活性化のための方法およびデバイスを提供する。
【解決手段】炭化ケイ素層上に形成された１つ以上のグラフェン層を有する構造を電気的に活性化させる方法は、炭化ケイ素層と１つ以上のグラフェン層の最下層との間に配置された酸化シリコン層を形成するように構造に酸化プロセスを行うことによって最下層グラフェン層を電気的に活性化するステップを含む。 （もっと読む）