【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】フットプリント（占有床面積）を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を保持する基板ホルダ１８が設置された処理室１２と、該処理室に隣接して配置されたターゲット室２３と、該ターゲット室に挿入された回転軸２９を回転させる回転装置２８と、前記ターゲット室に設置され、前記回転軸が回転軸線に連結された錐形状のターゲットホルダ３０であって、錐面において複数のターゲットを保持するターゲットホルダと、イオンを前記ターゲットホルダに保持された前記ターゲットに照射するイオン源４０と、を有している。 （もっと読む）

基板（３）に上の多層コーティング及び多層コーティングを製造するための方法が提供される。前記コーティングは前記コーティングを通る原子の拡散を最小化するように構成され、前記方法は、基板を反応空間に導入し、前記基板上に第１の材料（１）の層を堆積し、及び前記第１の材料（１）の層上に第２の材料（２）の層を堆積することを含む。前記第１の材料（１）及び第２の材料（２）のの層の堆積は、前記反応空間に前駆体を交互に導入することを含み、続いてそれぞれの前駆体導入後にパージングすることを含む。前記第１の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される前駆体、前記第２の材料は、酸化チタン及び酸化アルミニウムを含む群から選択される他の前駆体である。境界領域が、酸化チタン及び酸化アルミニウムの間に形成される。
（もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減し、ウエハ上に均一に成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する処理室２０１と、前記基板の積層方向に沿って配設され、前記処理室に処理ガスを供給するガスノズル２３３ｂと、を有し、前記ガスノズル２３３ｂは前記基板の積層方向に沿って複数のガス供給孔２３４ｂが形成され、前記ガスノズル２３３ｂの上端及び下端に前記ガスノズル２３３ｂへ前記処理ガスを供給するガス供給管２３４ｂがそれぞれ接続される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ励起化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により、半導体基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、窒素及び／または水素を含有する反応ガスと希ガスを、中に半導体基板が配置された反応空間に導入する工程と、ＲＦパワーを反応空間に印加する工程と、水素を含有するシリコンガスを含む前駆体を、５秒以下の持続時間をもつパルスの状態で反応空間に導入し、その間プラズマが励起されている状態で反応ガスと希ガスとを中断することなく導入し、それによって基板上にＳｉ−Ｎ結合を有するコンフォーマルな誘電体膜を形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】供給安定性のある固体原料ガス加熱気化装置を用いる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理室と、固体原料容器５０１と、該容器内の固体原料５０２を加熱昇華させる第１の加熱部５１１と昇華原料ガスを固化保持する原料保持板５１０と、前記原料保持板を加熱する第２の加熱部５１２と、前記固体原料容器５０１に接続された第１のバルブ５０５と第２のバルブ５０６と、５０５、５０６を加熱する第３の加熱部５１３とを備え、前記基板処理室に原料ガス及びキャリアガス５０８を供給する前に、前記５１３を前記５１１よりも高い温度で加熱し、前記５１２を前記５１１よりも低い温度で加熱することにより、前記固体原料５０２を加熱して昇華させつつ昇華した原料ガスを前記原料保持部５１０に固化して堆積させ、その後、前記基板処理室に原料ガス及びキャリアガス５０８を供給する際には、前記５１２の温度を、前記５１１と同じ温度とする。 （もっと読む）

【課題】基板の凹部に対して良好な埋め込みを行うこと。
【解決手段】真空容器１内の回転テーブル２に、凹部２３０が形成されたウェハＷを載置し、当該回転テーブル２上のウェハＷを、第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳガス）が吸着されて凝縮される温度に温度調整し、次いで前記回転テーブル２上のウェハＷに反応ガスノズル３１からＢＴＢＡＳガスを供給し、当該ＢＴＢＡＳガスの凝縮物をウェハＷに付着させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを分離ガスノズル４２の下方領域に位置させ、ウェハＷに対して加熱されたＮ_２ガスを供給して、前記ＢＴＢＡＳガスの凝縮物の一部を気化させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを第２の反応ガス供給領域に位置させ、プラズマインジェクター２５０から第２の反応ガスであるＯ_２ガスを活性化してウェハＷに供給することにより、前記凝縮物と反応させて反応生成物を生成する。 （もっと読む）

【課題】保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とし、異常解析を行う保守員の負担を低減する。
【解決手段】データ解析パターン定義情報に含まれるタイトル情報を選択可能に表示した解析受付画面を作成して表示手段に表示し、タイトル情報の選択操作を受け付け、解析受付手段が受け付けたタイトル情報を含むデータ解析パターン定義情報を読み出し、読み出したデータ解析パターン定義情報に含まれるデータ種別情報及びデータ範囲情報に基づいてデータを読み出し、読み出したデータを、データ解析パターン定義情報に含まれる解析・表示方法特定情報により特定される解析及び表示方法により解析して表示する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合高周波プラズマ・リアクタと半導体ウェハの処理方法とを提供する。
【解決手段】誘導結合高周波プラズマ・リアクタ１０は、処理ガスが各チャネルに独立して供給される複数のチャネル３８，４４を有するプラズマ源１６を備える。ガス供給システム２０は、それぞれがプラズマ源１６内の複数のチャネル３８，４４に個別に流量とガス組成とを供給することのできる複数のガス供給ライン３４，３５，３６を備える。各チャネルは、個別に給電されるＲＦコイル５４，５６により囲まれて、プラズマ源１６の各チャネル３８，４４内でプラズマ密度を可変することができるようになっている。動作中は、半導体ウェハ２８の上にある材料層６６は、半導体ウェハ２８全体の各位置６４でプラズマ特性を局所的に空間制御することにより、均一にエッチングまたは付着される。 （もっと読む）

【課題】加熱室内の圧力調整を容易とし、薄膜の膜質や膜厚分布の均一性を改善する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に設けられるガス加熱部と、を備え、ガス加熱部は、処理室内に供給する処理ガスを予め所定温度に加熱する加熱室と、加熱室内の圧力を検出する圧力検出手段と、圧力検出手段の検出する圧力情報に基づき加熱室内の圧力を調整する圧力調整手段と、を有する。 （もっと読む）