【課題】基板の凹部に対して良好な埋め込みを行うこと。
【解決手段】真空容器１内の回転テーブル２に、凹部２３０が形成されたウェハＷを載置し、当該回転テーブル２上のウェハＷを、第１の反応ガス（ＢＴＢＡＳガス）が吸着されて凝縮される温度に温度調整し、次いで前記回転テーブル２上のウェハＷに反応ガスノズル３１からＢＴＢＡＳガスを供給し、当該ＢＴＢＡＳガスの凝縮物をウェハＷに付着させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを分離ガスノズル４２の下方領域に位置させ、ウェハＷに対して加熱されたＮ_２ガスを供給して、前記ＢＴＢＡＳガスの凝縮物の一部を気化させる。次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを第２の反応ガス供給領域に位置させ、プラズマインジェクター２５０から第２の反応ガスであるＯ_２ガスを活性化してウェハＷに供給することにより、前記凝縮物と反応させて反応生成物を生成する。 （もっと読む）

【課題】保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とし、異常解析を行う保守員の負担を低減する。
【解決手段】データ解析パターン定義情報に含まれるタイトル情報を選択可能に表示した解析受付画面を作成して表示手段に表示し、タイトル情報の選択操作を受け付け、解析受付手段が受け付けたタイトル情報を含むデータ解析パターン定義情報を読み出し、読み出したデータ解析パターン定義情報に含まれるデータ種別情報及びデータ範囲情報に基づいてデータを読み出し、読み出したデータを、データ解析パターン定義情報に含まれる解析・表示方法特定情報により特定される解析及び表示方法により解析して表示する。 （もっと読む）

【課題】処理室内に排気ラインの雰囲気が逆流するのを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、該処理室２０１に接続された排気ライン２３１と、該排気ライン２３１に設けられた開閉弁２４３ｂと、前記排気ライン２３１における前記開閉弁２４３ｂの上流側圧力を測定する上流側圧力センサ３０２と、前記排気ライン２３１における前記開閉弁２４３ｂの下流側圧力を測定する下流側圧力センサ３０３と、前記上流側圧力センサ３０２と前記下流側圧力センサ３０３とを監視し、前記上流側圧力センサ３０２の圧力値が前記下流側圧力センサ３０３の圧力値以上の時に前記開閉弁２４３ｂを開き、かつ、両圧力値を共にオフセットするコントローラ１２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システム用の改良された堆積シールドを提供する。
【解決手段】プラズマ処理システムの処理空間１２を包囲するための改良された堆積シールド１４は、内面８２、外面８４、上端面８６、及び下端面８８を有する円筒体を具備する。下端面８８は端部リップ面１２０を具備する。堆積シールド１４の複数の露出面１４５に保護バリア１５０が結合される。露出面１４５は、内面８２、上端面８６、及び端部リップ面１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板や絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に良好に絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 電磁波入射面Ｆを有する真空容器２の内部に被処理基板１００を配設する。希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスは、電磁波入射面Ｆからの距離が１０ｍｍ未満となる位置から真空容器２の内部に導入し、有機シリコン化合物を含む第２のガスは、電磁波入射面からの距離が１０ｍｍ以上となる位置から真空容器２の内部に導入する。真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を同時に表面処理する場合に、全ての基板の表面を均一に処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】複数の基板１１２を傾斜させて、かつ、間隔をあけて垂直方向に積層保持する縦型基板保持具と、前記複数の基板の間隔よりも狭い間隔で垂直方向に配置された複数のガス導入口１５７と、を備え、前記縦型基板保持具を、その長手方向を回転軸として回転させる事で、傾斜した前記基板面に衝突したガス流が攪拌されて全ての基板に均一に原料ガスが供給された後に垂直方向に配置された複数のガス排気口１５８から排気される。 （もっと読む）

本発明は、ガス噴射装置及び該ガス噴射装置を採用した基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数の基板を支持する基板支持部の上部に設けられ、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備えるものであって、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入して前記ガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるように、ガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、ガス拡散空間を基板支持部の半径方向に沿って互いに隔離された複数の空間に仕切るように、トッププレートと噴射プレートとの間に設けられる隔壁と、を備え、隔離された空間ごとに前記工程ガスが独立して流入するように、導入口は複数設けられて隔離された空間ごとに配設されるところに特徴がある。
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【課題】炭化珪素ＭＯＳＦＥＴにおいて、炭化珪素層とゲート絶縁膜との界面に発生する界面準位を十分に低減できず、キャリアの移動度が低下する場合があった。
【解決手段】この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ成膜装置用チャンバ内に多数枚の外径サイズが相違する基板を縦置き姿勢で支持して両面成膜できるようにする。
【解決手段】本基板ホルダー１は、耐熱性素材から板状体に作られ、かつ、その基板保持面３に、基板７の端部７ａを縦方向から差込みすることが可能でかつその縦方向から差し込んだ姿勢で基板７を保持できる基板縦置き用溝９を備える。 （もっと読む）

【課題】高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現した半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上にアモルファスであって第１の元素を含む第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の元素とは異なる第２の元素を第１の絶縁膜に添加してアモルファスである第２の絶縁膜を前記基板上に形成する第２の工程と、第２の絶縁膜を所定のアニール温度でアニーリングして第３の絶縁膜へと相転移させる第３の工程と、を有し、アニール温度に応じて前記第２の元素の添加濃度を制御する。 （もっと読む）