【課題】薄膜への不純物の混入をできるだけ防止し得る薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に設けられて薄膜を形成するための基板Ｋを水平面内で回転させる回転ステージ２と、真空容器１内の基板に２種類の原料ガスの超音速分子線Ｍを略９０度の交差角でもって供給する第１及び第２分子線発生装置4A，4Bと、超音速分子線Ｍにそれぞれ励起用のレーザ光Ｒ１を照射する第１及び第２レーザ照射装置5A，5Bと、回転ステージ２の基板Ｋ表面の前方位置に配置されて各超音速分子線Ｍの交差領域に生成した反応生成物を選択し通過させるためのピンホール3aが形成された生成物選択部材３とから構成すると共に、予め検出されている反応生成物の散乱角を入力して反応生成物が生成物選択部材３のピンホール3aを通過するように回転ステージ２の回転位置を制御するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】電極と背面部材の間隔を狭くしても、処理室の排気効率が低下することを抑制できるようにする。
【解決手段】高周波電極３２０は、処理室１００の中に配置され、高周波が印加される。高周波電極３２０の表面は、被処理体１０に対向している。背面部材２１０は、高周波電極３２０の裏面を覆うように、この裏面から離間して設けられている。背面部材２１０と高周波電極３２０との間の空間は処理室１００の排気ルートとなっている。高周波電極３２０は、高周波電極３２０の表面を形成する板状の表面部材３２２と、表面部材３２２の裏面に取り付けられた筐体３２４から形成されている。表面部材３２２は、例えばステンレスなどの金属で形成されている。筐体３２４は、箱状であり、多孔板、例えばステンレスなどの金属板にパンチングにより多数の孔を形成したパンチングメタルで形成されている。 （もっと読む）

【課題】トラップを起因とするパーティクルの逆拡散を防止する。
【解決手段】処理室２０１内を排気する排気装置２４０のガス排気管２３１に設けられた真空ポンプ２４６とトラップ２５０間に第一バルブ２５１を設け、トラップ２５０の二次側に第二バルブ２５２を設け、第一バルブ２５１の一次側とガス排気管２３１を接続するバイパス管２４２に第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を設ける。成膜時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を開き、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を閉じ、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたガスの反応副生成物をトラップ２５０によってトラップする。クリーニング時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を閉じ、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を開き、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたクリーニングガスをトラップ２５０を迂回して流す。 （もっと読む）

【課題】水晶発振素子のパルスの立ち上がり時の不安定な発振状態に固体差がある場合においても、プラズマ電極への高周波の給電を複数個所から安定してパルス的に行うこと。
【解決手段】高周波発振器１１２、１１６は、発振素子を駆動する電圧をオン／オフさせつつ発振素子を駆動することで生成した発振信号から所定の振幅以上の発振信号を抽出し、高周波増幅器１１１、１１５は、高周波発振器１１２、１１６にて抽出された所定の振幅以上の発振信号をそれぞれ増幅することにより、パルス状の高周波電圧を生成し、複数の給電点１０９、１１３に印加する。 （もっと読む）

【課題】何らかの処理を行う処理装置のチャンバ内部で、機械的な駆動機構を用いることなく物体を回転させることができる新規なチャンバ内基体回転装置と方法を提供すること。
【解決手段】内部が所定の処理雰囲気に保持されるチャンバ４と、チャンバ４内部に回転自在に配置されるサセプタ８と、チャンバ４の外部に配置され、サセプタ８に対して高周波の電磁場を作用させて、サセプタ８を回転させるモーメントを発生させる高周波コイル２０と、を有する。サセプタ８は、基体本体１６と、その表面を覆う被膜１８とを有する。 （もっと読む）

【課題】エネルギーの無駄を可能なかぎり削減しつつ、シール部材の保護および反応生成物の付着防止の両方を確実に実現することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】縦型炉１０は、反応管１１、ヒータ２０、マニホールド１６、冷却ガス供給手段３１０を備える。マニホールド１６は、反応管１１のフランジ部１２２を支持するフランジ支持部１６６を少なくとも有し、反応管１１のフランジ部１２２にＯリング１７４を介して接合されるように構成される。フランジ支持部１６６には、冷却ガス供給手段３１０が噴出した冷却ガスを反応管１１のフランジ部１２２に導くための貫通孔３３が設けられる。冷却ガス供給手段３１０は、マニホールド１６におけるフランジ支持部１６６に対して冷却ガスを選択的に噴出する。 （もっと読む）

【課題】薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、プレートをヒーターにより加熱することにより成膜用基板を昇温して成膜する時に、プレートの中央部に比べ周辺部は放熱が大きいため、プレートの中央部と周辺部とで温度の不均一が発生し、プレートの中央部においた成膜用基板とプレートの周辺部においた成膜用基板とでは、成膜した薄膜の膜質や膜厚に差異が発生することがあった。
【解決手段】反応室内に対向して配置された一対の電極板と、該電極板間に配置された、成膜用基板を載置するためのプレートと、を備えたプラズマＣＶＤ装置において、前記プレートは、基体と、該基体の表面に形成されてなる表層部と、から成り、該表層部は前記プレートの中央部よりも周辺部の方が厚いこと。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをウエハに全体にわたって均一に接触させる。
【解決手段】ウエハ群を保持して回転するボートと、ボートが搬入されるインナチューブおよびインナチューブを取り囲むアウタチューブから構成されたプロセスチューブと、インナチューブ内にガスを導入する第一ガス導入ノズルおよび第二ガス導入ノズルと、プロセスチューブ内を排気する排気口と、プロセスチューブ内を加熱するヒータユニットとを備えているＣＶＤ装置において、インナチューブの側壁に一対のスリットを開設し、インナチューブをインナチューブ受けによって回転かつ昇降可能に支持する。原料ガスをウエハの中心を通すことにより、原料ガスをウエハに均一に接触させることができるので、ウエハ面内均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の電極を管状にし、この電極内の空間に冷却液を流して電極を冷却する際、上記電極内空間にガス溜まりが形成されるのを防止し、冷却効率を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１の太い管状の第１電極１０の軸方向をほぼ水平に向け、その上側又は下側に第２電極２０を配置し、両電極１０，２０間に放電空間４２を形成する。冷却液を第１電極１０に供給又は排出する細い給排管３２，３４を第１電極１０に接続する。給排管３２，３４のうち少なくとも排出管３４の管内空間３４ａと第１電極内空間３３との連通部３４ｂを、第１電極１０の上側管壁１１の内面の近傍に配置する。 （もっと読む）