国際特許分類[H01L21/314]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431)
国際特許分類[H01L21/314]の下位に属する分類
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
窒化物からなるもの (1,092)
国際特許分類[H01L21/314]に分類される特許
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有機電気装置のための封入方法
本開示は、障壁層を電子装置に封入するための使用に適した方法および材料を提供する。一実施形態では、たとえば、ケイ素含有結合材料およびセラミック材料の交互する層によって封入された、電気発光装置または他の電子装置を提供する。本封入方法は、たとえば、安定性および貯蔵寿命が増加した電子装置を提供する。本発明は、たとえばマイクロ電子装置の分野において有用である。別の態様では、基材上に配置された複数の構成要素層を含む電子装置と、障壁材料および架橋結合した材料の第1の対の層を含む封入部分とを含み、障壁材料がセラミック材料であり、架橋結合した材料がケイ素含有ポリマーである、封入された電子装置を提供する。 (もっと読む)
プラズマ処理方法
プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
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誘電材料の製造方法およびそれにより製造された誘電膜
【課題】 比誘電率の高い誘電材料を、電場による配向処理を行わずに製造する方法を提供する。また、当該方法を用いて、比誘電率の高い誘電膜を提供する。
【解決手段】 誘電材料の製造方法を、高誘電率無機粒子と磁性体粒子とを複合化して高誘電率複合粒子を製造する高誘電率複合粒子製造工程と、樹脂またはエラストマーの未硬化物に、該高誘電率複合粒子を混合して混合材料を調製する混合工程と、該未硬化物が流動可能な状態で、該混合材料に磁場をかけることにより、該高誘電率複合粒子を磁力線の方向に配向させる配向工程と、該高誘電率複合粒子を配向させた状態で、該未硬化物を硬化させる硬化工程と、を有するように構成する。
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半導体素子用基板およびその製造方法
【課題】熱伝導率が低くかつ表面の平滑性に優れた断熱層を備え、半導体素子作製の際の熱処理に耐え得る半導体素子用基板を提供する。
【解決手段】高分子基板と、前記高分子基板上に設けられ、無機物を主成分とするマトリックスと無機物の中空粒子とを含む、空隙率5%以上60%以下の断熱層と、を有する半導体素子用基板である。
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フッ化炭素膜の表面処理
半導体デバイスの製造方法は、絶縁性層をアニーリングする工程と、金属元素を含んだ障壁層を前記絶縁性層上に形成する工程とを含んでいる。前記絶縁性層は、フッ化炭素(CFx)膜を含んでいる。前記障壁層は、前記アニーリング工程後に、高温スパッタリングプロセスによって形成される。
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半導体装置の製造方法
【課題】配線材料の拡散を抑えながら、金属配線の微細化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に層間絶縁膜を形成する工程(a)と、層間絶縁膜に配線を形成する工程(b)と、配線の上面及び層間絶縁膜の上面に有機溶液を塗布する工程(c)と、工程(c)の後に、配線の上面及び層間絶縁膜の上面にシリル化溶液を塗布する工程(d)と、工程(d)の後に、基板を加熱する工程(e)と、少なくとも配線の上面上に第1のライナー絶縁膜を形成する工程(f)とを備えている。
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半導体装置の製造方法
【課題】レジストポイズニングによる微細パターンの解像不良を低減して高品質な半導体装置を歩留まり良く提供することである。
【解決手段】 下層絶縁層を設ける工程と、前記下層絶縁層上に上層絶縁層を設ける工程と、前記上層絶縁層上にレジスト層を設ける工程と、前記レジスト層を所定パターンに形成し、該所定パターンのレジスト層を用いて絶縁層を所定パターンに形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記下層絶縁層と前記上層絶縁層との境界領域に、N−H結合を有する物質とC−H結合を有する物質とを共に有することは無い中間層が形成される工程を有する。
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基板処理装置、バルブの制御方法及びそのプログラム
【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置300と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置302と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン306に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。
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ダイアモンド層を有する窒化ガリウム・デバイスの製造
一態様における方法は、デバイスの製造を含む。このデバイスは、窒化ガリウム(GaN)層と、このGaN層上に配置されたダイアモンド層と、GaN層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。他の態様におけるデバイスは、窒化ガリウム(GaN)層と、GaN層上に配置されたダイアモンド層と、GaN層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。 (もっと読む)
薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ10は、半導体材料で形成される活性層6;活性層に結合するソース電極4;活性層に結合し、活性層を通してソース電極と導通可能なドレイン電極5;活性層に結合し、複数の有機高分子材料層と複数の無機化合物層とが交互に積層されて構成されるゲート絶縁膜3;および、ゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜を介して活性層にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極2;を備える。
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