国際特許分類［H01L21/314］の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置，他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁，例．ＰＮ接合，空乏層，キャリア集中層，を有する装置 (97,574) | 不純物，例．ドーピング材料，を含むまたは含まない周期律表第ＩＶ族の元素またはＡ↓Ｉ↓Ｉ↓ＩＢ↓Ｖ化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | ２１／２０〜２１／２６に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成，例．マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの；これらの層の後処理；これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層， (4,431)
国際特許分類［H01L21/314］の下位に属する分類
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
窒化物からなるもの (1,092)
国際特許分類［H01L21/314］に分類される特許
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薄膜形成方法及びシートフィルム
【課題】シートフィルムを用いた転写により、基板の上により均一な状態で薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】「ルミフロン」の５ｗｔ％メチルエチルケトン溶液（剥離層溶液）をシートフィルム３０１にスピン塗布して塗布膜を形成する。メチルエチルケトンは、この表面張力がシートフィルム３０１の臨界表面張力を超えないので、上記塗布膜は、はじかれることなくまたムラなく形成できる。この後、形成した塗布膜の上に水を供給して数分保持する。このことにより、塗布した剥離層３０２は、表面にカルボキシル基が配置された状態となり、親水性を有する状態となる。
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プラズマ処理方法
絶縁層としてフッ素化炭素層を持つ半導体装置を製造する方法であり、前記方法は：マイクロ波パワー励起プラズマを用いて第１のフッ素化炭素（ＣＦｘ１）層を形成するステップ；及びＲＦパワー励起プラズマを用いて第２のフッ素化炭素（ＣＦｘ２）層を形成するステップを含む。 
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アモルファスカーボンのドーピングによるフルオロカーボン（ＣＦｘ）の接合の改善
絶縁層上にアモルファスカーボン層を形成する方法は、プラズマ反応プロセスを用いることによってアモルファスカーボン層を形成する工程を有する。前記アモルファスカーボン層は、プラズマ励起ガス、一連のCxHyガス、シリコン含有ガス、及び酸素含有ガスを含む雰囲気中で形成される。 
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プラズマ付着により成長させた基材構造
基材（６）およびプラズマ成長層（６ａ）を含む基材構造。得られる基材構造（７）の表面は、相関するスケーリング成分により特徴づけられる。該スケーリング成分は、粗さ指数α、成長指数βおよび動的指数ｚを含み、該成長指数βは０．２未満の値を有し、該動的指数ｚは６を超える値を有する。そのような基材構造を提供するための方法も開示する。 （もっと読む）
ビシクロヘプタジエンの安定化
【課題】ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエンを安定化する方法を提供する。
【解決手段】安定化剤として、キノン類、およびニトロオキサイド類を添加した安定化されたビシクロ［２．２．１］ヘプタ−２，５−ジエン組成物、およびこれの使用。
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半導体装置及びその製造方法
【課題】高温環境下での絶縁膜の腐食を抑制して、絶縁不良を回避した半導体装置及びその製造方法を提供することことを課題とする。
【解決手段】半導体基板１１上にエピタキシャル成長により第１絶縁膜１２が積層形成され、この第１絶縁膜１２上には、耐熱性の電極１３が選択的に形成され、この電極１３の上部には、シリカガラスを主成分とする層間絶縁膜１４が形成され、この層間絶縁膜１４の表面には絶縁バリア膜１５が形成され、この絶縁バリア膜１５の上には、Ａｌの配線１６が形成され、絶縁バリア膜１５は、絶縁性の窒化物、炭化物、窒化炭化物の単層膜、多層膜、または混合膜で構成されている。
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窒素含有前駆物質を用いる誘電体バリアの堆積
【課題】現行のバリア誘電体膜に匹敵するかそれよりも低い誘電率を有する誘電体膜を得る方法を提供する。
【解決手段】集積回路基板の誘電体膜と金属相互接続との間に、炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成する方法であって、誘電体膜を有する集積回路基板を提供すること、この基板をＲｘＲ’ｙ（ＮＲ”Ｒ”’）ｚＳｉを含むバリア誘電体膜の前駆物質と接触させること（Ｒ、Ｒ’、Ｒ”及びＲ”’はそれぞれ個々に、水素、直鎖若しくは分岐の飽和若しくは不飽和アルキル、又は芳香族から選択され；ｘ＋ｙ＋ｚ＝４；ｚ＝１〜３であるが、Ｒ及びＲ’の両方が同時に水素にはならない）；及び集積回路基板上でＣ／Ｓｉ比０．８超かつＮ／Ｓｉ比０．２超の炭窒化ケイ素バリア誘電体膜を形成することを含む方法。
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原子層堆積のための溶液ベースのジルコニウム前駆体
自己制御型の等角法でＺｒＯ２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）２ＺｒＭｅ２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）
気相成長装置と半導体装置の製造方法
【課題】シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シランを供給できるガス供給系１ａと反応室を接続する、２つ以上のバルブを含む連続バルブの１つをノーマリオープンとし、ガス供給系と排気系を接続する捨てガスライン３のノーマリクローズのバルブＶ１４と連動させることにより、反応室内の残留ガスの影響を抑制する。
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タッチパネルの製造方法、絶縁膜形成インク
【課題】直交する電極どうしの交差部に絶縁膜形成インクを噴射して絶縁膜を形成する際に、表面に凹凸の少ない絶縁膜を形成することが可能なタッチパネルの製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜形成工程では、Ｘ電極１０のブリッジ配線１１上の領域に対して、絶縁膜形成インクを選択的に噴射（配置）する。その後、基板１上の絶縁膜形成インクを加熱し、乾燥固化することで、ブリッジ配線１１上に絶縁膜３０が形成される。絶縁膜形成インクは、例えば、ポリシロキサン、アクリル系樹脂、及びアクリルモノマーなどの絶縁材料を液性媒体に溶解（分散）させ、更にアクリル系界面活性剤を含有させたものである。
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