【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体に対して極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成可能とした基体への膜形成法を用いた、マイクロ／ナノデバイスの作製のための基盤技術となるデバイス作製法を提供する。
【解決手段】予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。これによって、基体２及び膜６からなるマイクロトンネル構造を得る。 （もっと読む）

【課題】基板（３５）上にフィルムを蒸着する方法を提供する。
【解決手段】基板（３５）は、約０．１ミリトールから約１００ミリトールの圧力で反応容器（１）に入れられる。この方法は、ｉ）少なくとも１つの有機金属化合物を含むガス前駆体を、約２０℃から約１５０℃の温度、約０．１トールから約１００トールの蒸気圧で反応容器に供給し、ｉｉ）反応容器に、パージガス、酸化ガス又はこれらの組み合わせを供給する、ことを含む反応サイクルを基板に施すことを含む。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく且つ比誘電率が高い液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】圧電体層７０と、圧電体層７０に設けられた電極６０，８０とを具備する圧電素子３００を備えた液体噴射ヘッドＩであって、圧電体層７０は、膜厚が３μｍ以下であり、鉄酸マンガン酸ビスマス及びチタン酸バリウムを含むペロブスカイト型化合物を含有する圧電材料からなり、（１１０）面に優先配向し、且つ、この（１１０）面に由来するＸ線の回折ピーク位置（２θ）が３１．８０°以上３２．００°以下である。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化と、絶縁膜破壊、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの抑制という性能を備える低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって形成された低誘電率層間絶縁膜であって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上であり、かつ比誘電率が３．８以下であることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜を採用する。また、プラズマＣＶＤ法によって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上であり、かつ比誘電率が３．８以下である低誘電率層間絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマＣＶＤ法によって成膜する際に、絶縁膜材料として炭化水素を用いないことを特徴とする低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】電気的ストレス及び熱に対して安定性の良好なＩＧＺＯ系アモルファス酸化物絶縁膜を製造する。
【解決手段】ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を、スパッタ法における背圧を５×１０^−４Ｐａ超として成膜し、その後、１００℃以上、３００℃以下のアニール温度でアニール処理する。 （もっと読む）

【課題】マンガン含有材料を利用して、低誘電率膜への銅の拡散を防止する。
【解決手段】成膜装置１００では、制御部７０の制御に基づき、処理容器１内を真空にして、ヒーター６によりウエハＷを加熱しつつ、シャワーヘッド１１のガス吐出孔１３ａ，１３ｂからウエハＷへ向けて低誘電率材料とマンガン含有材料とを含む成膜ガスを供給する。高周波電源２３からシャワーヘッド１１に高周波電力を供給することにより、成膜ガスを解離させ、処理容器１内に成膜ガスのプラズマを生成させる。このプラズマによって、ウエハＷの表面にＭｎを含有するＳｉＣＯＨ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２１内に基板１６を搬入する工程と、前記処理室２１内に少なくともホウ素含有ガス３１ａを供給し、前記基板１６上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、処理室内に少なくとも窒素含有ガス３１ｃを供給し、ホウ素膜形成工程で形成したホウ素膜を窒化する窒化処理工程とを有し、ホウ素膜形成工程と窒化処理工程とから構成される一連の処理工程を、２回以上繰り返すことにより、所定膜厚の窒化ホウ素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、炭化シリコン薄膜の機械強度を高め、膜の消失や剥離を防止する。
【解決手段】 ポーラスな誘電率低誘電率絶縁膜上に−ＣＨ_２−結合が環状になってＳｉと結合し且つ二重結合を含む官能基を有する原料を用いて炭化シリコン薄膜を形成する工程と、前記炭化シリコン薄膜を所定パターンにエッチングしてハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記低誘電率絶縁膜をエッチングして配線形成用溝或いはビアホールの少なくとも一方を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、既存の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程又はボトム-アップ方式を用いた、自己組織化ナノ薄膜形成技術の問題点である、高コスト、製造工程の複雑化や長時間化、膜の質の低下などを解決することを課題とする。
【解決手段】本発明は、単結晶又は非結晶基板上に金属又は半導体薄膜を蒸着させたシード層上に、凝集現象が起こる金属を蒸着させた中間層を形成した後、熱処理してパターンを形成させ、上記のパターン上に誘電体、半導体、又は金属を蒸着させたターゲット層を形成することを含む自己組織化されたナノ構造薄膜の製造方法を採用している。本発明によると、既存のトップ-ダウン方式の薄膜製造工程で行われている蝕刻工程の問題点を著しく減少させ、さらにナノ薄膜構造においてナノ構造の模様を自由に制御することができる。 （もっと読む）