国際特許分類[H01L21/314]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431)
国際特許分類[H01L21/314]の下位に属する分類
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
窒化物からなるもの (1,092)
国際特許分類[H01L21/314]に分類される特許
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電子デバイス及びその製造方法
【課題】転写プロセスを用いずに、所期のグラフェンを制御性良く容易且つ確実に安定形成し、信頼性の高い高性能の微細な電子デバイスを実現する。
【解決手段】基板1上に絶縁層2を形成し、絶縁層2に空隙2Aを形成し、空隙2Aに触媒材料4を充填し、絶縁層2における触媒材料4の露出面4aにグラフェン5を形成し、絶縁層2上でグラフェン5の両端部に接続するように一対の電極5,6を形成し、グラフェン5を一部除去してグラフェンリボン8を形成し、グラフェンリボン8の除去された部位である間隙2A1,2A2を通じて触媒材料4を除去する。
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半導体装置及びその製法において用いられるアモルファスカーボン膜の製造法
【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.(0℃、大気圧)、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.(0℃、大気圧)とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。
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半導体材料、半導体材料の製造方法及び半導体素子
【課題】pn接合のI−V特性を向上させる半導体材料を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体材料は、酸化亜鉛の結晶を含有する粒子を備え、酸化亜鉛の結晶子の大きさが5〜50nmであり、酸化亜鉛の結晶における窒素の含有率が500〜10000質量ppmである。
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薄膜トランジスタとその製造方法、および当該薄膜トランジスタを用いた画像表示装置
【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Alを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、10nm以上100nm以下である。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】半導体装置を構成する配線の信頼性向上を図る。
【解決手段】テトラメチルシランガスの流量を通常条件よりも下げて形成したSiCN膜SCN1(4MS↓)と、このSiCN膜SCN1(4MS↓)上に形成され、通常のテトラメチルシランガスの流量で形成したSiCN膜SCN2と、このSiCN膜SCN2上に形成されたSiCO膜SCOからバリア絶縁膜を構成する。これにより、耐透水性の向上と低誘電率化をバランス良く実現することができる。
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基板上の堆積層を硬化させるシステム及び方法
【課題】印刷したエレクトロニクスの簡略化した製造、処理量、装置のコスト及び寸法の軽減、必要な硬化エネルギの量の減少、硬化過程中に放出される揮発性有機化合物減少を実現する硬化方法及びシステムを提供する。
【解決手段】少なくとも1つの堆積層を有する基板を支持する平坦な支持面と、少なくとも1つの堆積層を硬化させる少なくとも1つの硬化装置と、全体的な硬化過程を制御する制御システムとを含む硬化システムが提供される。硬化装置は、少なくとも1つのレーザと、レンズモジュールと、選択随意的な変調器とを含む。硬化する間、レーザから放出された光ビームは、1)レーザ光の焦点合わせしたビームを堆積層の所望の照射領域まで導くようにX−Yビームの偏向モジュールの位置を制御すること、2)レーザの位置をX−Yテーブルを介して制御すること、又は3)基板の位置をX−Yテーブルを介して制御することにより堆積層に向けることができる。
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半導体装置、電源装置、増幅器及び半導体装置の製造方法
【課題】半導体層とゲート電極との間に絶縁膜が形成された半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】基板の上方に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、を有し、前記絶縁膜は炭素を主成分とするアモルファス膜を含むものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。
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成膜装置
【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Zr系ガスやO3ガスなどの処理ガスを反応管12内に供給するためのガス吐出口52の各々形成された第1のガスインジェクター51a、51bとは別に、反応管12の長さ方向に沿うようにスリット50の形成された第3のガスインジェクター51cを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット50から反応管12内にパージガスを供給して当該反応管12内の雰囲気を置換する。
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半導体装置、電源装置、増幅器及び半導体装置の製造方法
【課題】半導体装置に形成される絶縁膜の付着力を高め歩留りを向上させる。
【解決手段】基板10の上方に形成された半導体層20〜23と、前記半導体層20〜23上に形成された絶縁膜31,32と、前記絶縁膜上31,32に形成された電極41と、を有し、前記絶縁膜31,32は、前記電極41の側における膜応力よりも、前記半導体層20〜23の側における膜応力が低いことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。
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圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法
【課題】環境負荷が小さく且つクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができる圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電セラミックス膜形成用組成物は、ビスマス及び鉄を含む金属錯体混合物と、ポリエチレングリコールと、ターピネオールと、溶媒と、を含む。ポリエチレングリコールと、沸点の高いターピネオールとを含むことにより、鉄酸ビスマス系の圧電材料からなりクラックの発生が抑制された圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。また、圧電特性の良好な圧電セラミックス膜を形成することができるものとなる。さらに、鉛の含有量を抑えられるため、環境への負荷を低減することができる。
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