国際特許分類[H01L21/314]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択 (16,787) | 無機物層, (4,431)
国際特許分類[H01L21/314]の下位に属する分類
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの (3,052)
窒化物からなるもの (1,092)
国際特許分類[H01L21/314]に分類される特許
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半導体装置の製造方法および基板処理装置
【課題】表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハを収容した処理容器内に金属原子を含む原料を供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことでウエハ上に金属膜を形成する工程(S5)と、処理容器内に酸化ガスを供給し排気することで金属膜を酸化させる工程(S6)と、を1セットとして、このセットを所定回数行う(S7)ことによりウエハ上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する。
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ハイブリッド誘電体を備えた高信頼低誘電率相互接続構造
【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン(BEOL)相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体(ILD)は、ライン・レベルでのILDとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのILDを低k SiCOH材料で形成し、ライン・レベルのILDを低kポリマー熱硬化性材料で形成する。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】シリコン表面に厚さがサブナノから数ナノメートル(nm)レベルの極薄の絶縁膜を形成し、これを利用して、低電圧動作MOSデバイスを実現する。
【解決手段】ガラス基板上の多結晶シリコン(薄膜)に対して、その上に室温硝酸酸化法により1.8nmのSiO2膜1を形成し、さらに、その上にプラズマCVD法により40nmのSiO2膜2を堆積して積層にし、これをゲート絶縁膜10として、p−チャンネルMOSトランジスタ(TFT)を創製した。このTFTは、駆動電圧を3Vに低減しても十分に動作可能であり、消費電力を顕著に低減することできる。
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誘電体膜、誘電体膜を用いた半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
【課題】高誘電率を有する誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄いシリコン酸化膜を形成したSi基板上に、HfN/Hf積層膜を形成し、アニール処理によりHf、Si、O、Nの混合物からなる金属酸窒化物とする誘電体膜の製造する。(1)EOTの低減が可能であり、(2)リーク電流がJg=1.0E−1A/cm2以下に低減され、(3)固定電荷の発生によるヒステリシスが抑制され、(4)700℃以上の熱処理を行ってもEOTの増加が無く耐熱性に優れる。
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半導体装置の製造方法及び半導体装置
【課題】疎水化のために配線層間絶縁膜の表面に形成する層をできるだけ薄くし、且つ、Cu配線上に支障なくキャップメタルを成膜できるようにする。
【解決手段】配線層間絶縁膜(第1の配線層間絶縁膜3)に配線形成用溝(第1層配線形成用溝21)を形成する。配線形成用溝内にCu配線(第1層配線4)を形成し、Cu配線の構成材料のうち配線形成用溝以外の箇所に形成された部分を除去する。Cu配線上及び配線層間絶縁膜上にSi−O、C−O、Si−CH3、Si−H、Si−C及びC−Hのうちの少なくとも何れか1つの結合を含む絶縁膜層(第1の有機ポリマー層6)を形成する。Cu配線上の絶縁膜層を選択的に除去し、Cu配線上にキャップメタル(第1のキャップメタル5)を選択的に形成する。
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PZT膜、電子部品、酸化物材料膜の製造方法及び水蒸気加圧急速加熱装置
【課題】酸化物材料膜の結晶化温度を低温化できる水蒸気加圧急速加熱装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る水蒸気加圧急速加熱装置は、処理室34内に配置された、基板35を載置する載置台36と、前記載置台に載置された基板を加熱する加熱機構38と、前記処理室内を加圧する加圧機構43と、前記処理室内に加熱及び加圧された水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、前記処理室内を真空排気する真空排気機構56と、前記処理室内に加熱及び加圧された酸素ガスを供給する酸素ガス供給機構と、を具備する。
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炭化珪素半導体装置の製造方法
【課題】ベーパライザーなしでソースガスを供給できるとともに、成膜レートを安定させ、良質なカーボン膜を形成して、アニール炉内清浄化の妨げとなる炉内低温部でのタール成分の発生を抑制し、炭化珪素半導体装置の品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ソースガスとして一酸化炭素を使用し、化学気相成長法によって炭化珪素ウエハWFの全表面にカーボン保護膜6を形成する。具体的には、成膜装置内を真空ポンプにより真空排気し、残存する酸素を極力除去した後、ArやHeなどの不活性ガスを流しながら、減圧下で成膜装置内の温度を500℃から1000℃の範囲に加熱する。この温度に達したら、不活性ガスの流入を停止し、成膜装置内にソースガスとして一酸化炭素を流入させることで、炭化珪素ウエハWFの全表面にカーボン保護膜6を形成する。
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アモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置
【課題】カバレッジ性能、及び、表面ラフネスの良好なアモルファスカーボン膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、複数枚の半導体ウエハWが収容された反応管2内を800℃〜950℃に加熱する。次に、制御部100は、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内にパージガス供給管18から窒素ガスを供給することにより、反応管2内をパージして半導体ウエハWからの水を除去する。そして、制御部100は、昇温用ヒータ16を制御して、反応管2内を所定の温度に加熱し、MFC制御部を制御して、加熱された反応管2内に処理ガス導入管17からエチレンを供給することにより、半導体ウエハWにアモルファスカーボン膜を形成する。
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層間絶縁膜および配線構造と、それらの製造方法
【課題】 低誘電率で且つCFx、SiF4等のガスの発生がなく安定な半導体装置の層間絶縁膜とそれを備えた配線構造を提供する。
【解決手段】 下地層上に形成された絶縁膜を備えた層間絶縁膜において、前記層間絶縁膜は、実効誘電率が3以下である。配線構造は、層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホール内に充填された金属とを備え、前記絶縁膜は、前記下地層上に形成され、表面が窒化されたフルオロカーボン膜を備えている。
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強誘電体薄膜の製造方法
【課題】基板の外周端部の膜をクラックや局部剥がれを生じることなく除去して、パーティクルの発生を防止する。
【解決手段】強誘電体薄膜形成用の有機金属化合物を含有するCSD溶液を基板2に塗布してゲル状塗膜1を形成する工程と、基板2を回転させながら外周端部に水Wを噴射又は滴下して、ゲル状塗膜1の外周端部を除去する工程と、外周端部について除去された後のゲル状塗膜1を加熱処理して強誘電体薄膜を形成する工程とを有する。
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