【課題】２枚の基板の貼り合わせによって電極間接合がなされた構成において、電極材料の拡散を防止しつつも貼り合わせ強度が確保され、これによって信頼性の向上が図られた三次元構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】第１電極３３、および第１電極３３の拡散防止材料で構成され第１電極３３の周囲を覆う第１絶縁膜３５を含むと共に、第１電極３３と第１絶縁膜３５とで貼合せ面４１が構成された第１基板２と、第１基板２に貼り合わせて設けられ、第１電極３３に接合された第２電極６７、および第２電極６７の拡散防止材料で構成され第２電極６７の周囲を覆う第２絶縁膜６９を含むと共に、第２電極６７と第２絶縁膜６９とで第１基板２に対する貼合せ面７１が構成された第２基板７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して得られた表示装置である。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成された導電膜を有する表示装置である。
【解決手段】トランジスタ上の第１の導電膜と、第２の導電膜とは、複数の屈曲点を有するコの字状に設けられる。本形状であっても、第１の導電膜と、第２の導電膜とはパターンを所望の形状で制御性よく形成される。なお、第１の導電膜と第２の導電膜は、共通電極層と、画素電極層となることができる。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】積重ねダイ式の集積回路で使用するのに適した基板導通技術を提供すること。
【解決手段】集積回路が、積み重ねて配置された複数の集積回路のダイを備え、積重ねの頂部のダイを除く任意のダイが、それ自身および追加のダイ少なくとも１つのための電流を基板導通により担持する。１つの形態では、積重ねの底部のダイを除く各ダイが、下側のダイのバスまたはその他の電源導体を介して基板導通によりその電源電流を担持する。 （もっと読む）

【課題】レジスト形状の制限が無く、またステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良いリフトオフ工程が行えるようにする。
【解決手段】レジスト２の上に被パターニング膜３を成膜したのち、イオン照射によって被パターニング膜３のコーナ部を選択的にエッチングすることでレジスト２を露出させるようする。そして、レジスト２を除去することで、レジスト２の上の被パターニング膜３をリフトオフさせ、被パターニング膜３をパターニングする。このようにしてリフトオフ工程を行えば、レジスト２の側面において被パターニング膜３が厚く形成されていたとしても、イオン照射によってレジスト２を露出させることができる。このため、レジスト２の側面での被パターニング膜３の厚みの制限を受けないため、あえてステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良くなり、ステップカバレッジの良い成膜方法を選択することもできる。 （もっと読む）

【課題】前記半導体装置をスクライブ工程により切り離す際に、クラックが歪みを蓄積した保護膜を伝播して半導体装置内部に侵入するのを抑制し、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体装置は、活性素子が形成された素子領域を有する基板と、前記基板上に形成され、多層配線構造を含む積層体と、前記積層体中に、前記素子領域を囲んで連続的に延在する耐湿リングと、前記積層体中、前記耐湿リングの外側に、前記耐湿リングに沿って連続的に、前記基板の表面に達して形成された保護溝部と、前記保護溝部の底面の一部及び前記保護溝部の内側の側壁面に連続して形成された保護膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】銅めっき工程の電極に用いるＣｕ堆積膜による貫通孔開口の閉塞状態を適切に制御できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、貫通孔が形成された基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂを格納する真空チャンバ３０と、真空チャンバ３０内を所定の真空度に減圧する真空ポンプ３６と、基板３４Ｂに印加する電力を発生する電源８０と、基板３４Ｂおよび銅放出源３５Ｂ間の距離の設定に用いる駆動機構と、を備える。銅放出源３５Ｂから放出された銅材料を基板３４Ｂの一方の主面に堆積させ、主面における貫通孔の開口を銅材料からなる堆積膜によって閉塞させるとき、堆積膜による開口の閉塞状態が、上記距離および上記電力に基づいて調整される。 （もっと読む）

【課題】基板の側端部に由来する塵の発生を防止して、半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板の少なくとも側端部を覆うように保護膜を形成する第１の工程と、フォトレジストパターンを用いたエッチングにより基板の第１の主面に第１の主面に対向して見た形状が環状となる溝を形成する第２の工程と、溝を埋め込むように絶縁膜を形成することにより、絶縁リングを形成する第３の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アンダーバリアメタルに起因する応力集中を緩和し、トランジスタの特性の変動を抑制することができるパッド電極構造を備える半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成された電極パッド６と、電極パッド６の上に形成され、且つ、電極パッド６の一部が露出するような第１開口部を有する第１絶縁膜７と、第１絶縁膜の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出するような第２開口部を有する第２絶縁膜８と、第２絶縁膜８及び電極パッド６の上に形成されたアンダーバリアメタル１０とを備えている。アンダーバリアメタル１０は、第２絶縁膜８の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド６の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入が抑えられるとともに、比較的均質な形状及び大きさに生成された金属のナノ粒子を含むナノ粒子インクで被印刷体にパターンの転写を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】印刷装置１は、基板Ｗを保持する載置ステージ２０と、金属のイオンを含んだイオン溶液を供給する溶液供給部３０と、イオン溶液を通過させる溶液通過層１００を備える版胴１０と、を備える。溶液通過層１００はナノメートルオーダーの空孔が分布した多孔質材料によって形成されたナノ多孔質層１１２を備える。イオン溶液はナノ多孔質層１１２を通過することによって金属のナノ粒子を含むナノ粒子溶液に変化する。版胴１０は、溶液通過層１００の外側に形成された転写面１１３５から滲出したナノ粒子溶液の所定のパターンを基板Ｗに転写する。 （もっと読む）