【課題】軟磁気特性に優れたフリー層を提供する。
【解決手段】フリー層１５は、トンネルバリア層と接する側から、第１の強磁性層２１、介在層２２、第２の強磁性層２３、介在層２４、第３の強磁性層２５が順に積層された積層構造を有する。第１の強磁性層２１は、例えばトンネルバリア層と接する側から、ＣｏＦｅからなる第１の層と、ＣｏＦｅＢからなる第２の層と、コバルト鉄合金からなる第３の層とが順に積層されたものである。第２の強磁性層２３は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。第３の強磁性層は、ＣｏＦｅもしくはＮｉＦｅからなる単層構造、またはＣｏＦｅ＼ＮｉＦｅ＼ＣｏＦｅからなる多層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの強誘電体キャパシタの分極特性のバラツキを低減しつつ、回路面積の縮小を図ることが可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は、半導体基板に第１の方向に延びる素子領域上に形成され、ビット線とプレート線との間で複数個直列に接続された同一導電形のセル選択ＭＯＳトランジスタと、素子領域上に層間絶縁膜を介して形成された強誘電体膜と、セル選択ＭＯＳトランジスタのソース拡散層に電気的に接続され強誘電体膜の下方に形成された下部電極と、セル選択ＭＯＳトランジスタのドレイン拡散層に電気的に接続され強誘電体膜の上方に形成された上部電極と、を有し、セル選択ＭＯＳトランジスタに一対一に並列に接続された複数の強誘電体キャパシタと、備え、強誘電体キャパシタは、隣接する２つの素子領域上において、第１の方向に交互に配置されている。 （もっと読む）

【課題】メモリトランジスタの上部に、メモリトランジスタと平行に配置される強誘電体キャパシタを構成する強誘電体膜の膜厚バラツキを低減する。
【解決手段】強誘電体メモリ７０では、メモリトランジスタのソース及びドレインの一方に接続される台座電極ＦＤＤ上には、側面が強誘電体膜１２と接する電極ＦＤが設けられる。メモリトランジスタのソース及びドレインの他方に接続される台座電極ＳＤＤ上には、電極ＳＤが設けられる。電極ＳＤの下部側面を除く両側面には、電極ＴＤが設けられる。電極ＳＤ及び電極ＴＤは電極ＳＴＤを構成し、電極ＦＤと電極ＳＴＤの間に強誘電体膜１２が設けられる。電極ＦＤ、強誘電体膜１２、及び電極ＳＴＤは強誘電体キャパシタを構成する。強誘電体膜１２はＭＯＣＶＤ法により電極ＳＤの両側面に形成され、電極ＴＤはＣＶＤ法により強誘電体膜１２の側面に形成される。 （もっと読む）

【課題】 熱安定性にすぐれ、ＭＲ比の高い磁気抵抗素子を提供すること。
【解決手段】 磁気抵抗素子は、マンガンを有する層で形成した反強磁性層と、反強磁性層側に位置し、強磁性体及び白金族系金属を有する層で形成した第一磁化固定層、強磁性体を有する層で形成した第二磁化固定層及び該第一磁化固定層と該第二磁化固定層との間に位置する第一非磁性中間層を有する積層磁化固定層と、強磁性体を有する層で形成した磁化自由層と、積層磁化固定層と前記磁化自由層との間に位置する第二非磁性中間層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アレイ面積を増大させることなく高速アクセスをすることのできる磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】メモリセルアレイ領域内において、ソース不純物領域（３０ａ，３０ｂ）とドレイン不純物領域（３１ａ−３１ｄ）の間に直線的にゲートワード線（３２ａ−３２ｄ）を配置する。メモリセル形成領域（２０）の境界領域においてゲートワード線突出部（３３ａ−３３ｄ）を設けるとともに、このゲートワード線突出部に対するコンタクトを、隣接列のメモリセルの境界領域において設ける。この突出部が配置される領域においてドレイン不純物領域の間隔は、大きくなるようにドレイン不純物領域がメモリセル形成領域中心部よりずれて配置される。 （もっと読む）

【課題】メモリ特性のバラツキを抑制した半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置１００は、強誘電体キャパシタＣとセルトランジスタＴｒを並列に接続したメモリセルＭＣを有するメモリセルアレイ１ａを備える。メモリセルアレイ１ａは、基板１０の上層に設けられた第１導電層３１と、第１導電層３１の上面に形成された強誘電体層３２と、強誘電体層３２の上面に形成された第２導電層３４と、強誘電体層３２と同層に形成されたストッパー層３３とを備える。化学機械研磨によるストッパー層３３の選択比は、化学機械研磨による強誘電体層３２の選択比よりも大きい。 （もっと読む）

導電物質を選択的に形成する方法及び金属導電構造を形成する方法を開示する。下部に横たわる物質領域を露出するように有機物質をパターン化することができる。下部に横たわる物質の上に位置する有機物質の残留部分と反応することなく下部に横たわる物質と反応するプラチナ前駆ガス等の前駆ガスに、下部に横たわる物質を晒してもよい。前駆ガスを原子層蒸着処理に用いてもよく、その間、前駆ガスは導電構造を形成するように下部に横たわる物質と選択的に反応して有機物質とは反応しない。導電構造は、例えば、半導体デバイス製造の様々な段階においてパターニング用マスクとして用いることができる。 （もっと読む）

【課題】シームの影響を抑制し、合わせずれが発生しないプラグを形成可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上のトランジスタ１１を被う層間絶縁膜１９と、層間絶縁膜１９の上にあり、水素の拡散を抑制する層間絶縁膜２０と、層間絶縁膜１９、２０を貫通して底面がトランジスタ１４に接続され、底面及び側面にバリアメタル２４が配設され、バリアメタル２４の内側に耐酸化性のプラグメタル２６が配設され、上面中央部のシームの上端開口部にプラグメタル２６が埋め込まれたプラグ下部電極２２と、プラグ下部電極２２の上面に接して、半導体基板１１の表面に対して約８５度に立った側面を有する強誘電体膜３３と、強誘電体膜３３上に形成され、強誘電体膜３３の側面に連続して立った側面を有する上部電極３５と、層間絶縁膜２０に接触し、強誘電体膜３３及び上部電極３５の側面、上部電極３５の上面に被うバリア絶縁膜３７とを備える。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを用いた信頼性の高い半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１と、半導体基板１０１表面部に形成された不純物拡散層１０２と、半導体基板１０１上に形成された層間絶縁膜１０７と、層間絶縁膜１０７を貫通し、上面が層間絶縁膜１０７の上面より高く、層間絶縁膜１０７の上面より高い領域が凸状に形成され、不純物拡散層１０２と接触するコンタクトプラグ１１１と、コンタクトプラグ１１１上及び層間絶縁膜１０７の所定領域上に形成されたキャパシタ下部電極膜１１４と、キャパシタ下部電極膜１１４上に形成された強誘電体膜１１６と、強誘電体膜１１６上に形成されたキャパシタ上部電極膜１１７と、を備える。下部電極１１４ｂ中にグレインはほとんど形成されず、強誘電体膜１１６に含まれる酸素がコンタクトプラグ１１１へ拡散することが防止され、コンタクトプラグの酸化が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度の電流を通電することが無く、磁気記録情報を書き換えることができると共に、磁気情報を保持する部分に高保磁力材料を用いることが可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気メモリ１は、磁壁移動層１１１と、中間層である非磁性体層１１２と、固定層１１３とが積層された磁気抵抗効果素子１１、および、磁壁移動層１１１を局所的に加熱可能な加熱部１２Ａおよび加熱部１２Ｂを備え、磁壁移動層１１１において、磁化容易軸は磁壁移動層１１１の面内方向に位置しており、磁壁移動層１１１には磁壁５１が形成されており、加熱部１２Ａまたは加熱部１２Ｂによって、磁壁移動層が局所的に加熱されることにより、上記磁壁が磁壁移動層内において移動するものである。 （もっと読む）