【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子１００は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層の一端及び他端には第１電極１２１、第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、各磁化領域における磁化方向は、強磁性材料層１１１の厚さ方向に平行であり、情報の書込み若しくは情報の読出し時、強磁性材料層１１１の他端から一端に亙り単調に低下する温度分布を強磁性材料層１１１に生じさせる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを備えた半導体装置とその製造方法において、キャパシタの品質を向上させること。
【解決手段】第１の導電膜１９、誘電体膜２０、及び第２の導電膜２１をこの順に形成する工程と、第２の導電膜２１をパターニングして、複数の上部電極２１ａを形成する工程と、レジストパターン２７の側面２７ｂが後退するエッチング条件を用いて、該レジストパターン２７をマスクにしながら誘電体膜２０をエッチングし、キャパシタ誘電体膜２０ａを形成する工程と、第１の導電膜１９をパターニングして下部電極１９ａを形成する工程と、上部電極１９ａの上の層間絶縁膜３３にホール３３ａを形成する工程と、ホール３３ａに導体プラグ３７を埋め込む工程とを有し、端部の上部電極２１ａ上のホール３７の形成予定領域が、側面２７ｂが後退した後のレジストパターン２７により覆われる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＴＪメモリセルアレイを同一チップ内に含む半導体集積回路装置の製造工程を効率化する。
【解決手段】システムＬＳＩ１００は、複数のＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆを備える。ＭＲＡＭ回路ブロック１１０ａ〜１１０ｆは、ＭＴＪメモリセルが行列状に配置されるＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆをそれぞれ含む。ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆの各々には、書込データに応じて双方向のデータ書込電流を流すためのビット線ＢＬが配置される。ＭＴＪメモリセルアレイ１０ａ〜１０ｆのそれぞれにおけるビット線ＢＬの延在方向は、システムＬＳＩ１００上で同一方向である。 （もっと読む）

【課題】 読出し時に熱的に安定で、かつ書き込み時の電流を低減した、スピントルク磁化反転応用の磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】 強磁性体からなる固定層、非磁性障壁層、強磁性体からなる記録層、記録層と磁気的に結合した強磁性体からなる強磁性付加層が順次積層されたメモリ素子を備え、前記記録層の磁化方向と前記固定層の磁化方向が、略平行か、略反平行かによって情報の検出を行い、さらに前記記録層の磁化の方向を、前記記録層の膜面に垂直な方向に通電するスピン偏極した電流でスイッチングする磁気メモリにおいて、前記強磁性付加層の磁化方向が前記記録層と略平行とし、前記強磁性付加層の磁化の大きさが、150℃から２５０℃の温度範囲で消失する材料で、前記強磁性付加層を構成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】減圧されるチャンバ６２と、チャンバ６２内において、露出するレジスト膜４９を有する半導体基板１を複数支持する基板ホルダ６４と、基板ホルダ６４の配置領域の外側に設けられ、チャンバ６２内に酸素ガスを供給する供給孔７２が複数箇所に形成されたガス供給管７１と、チャンバ６２内の流体を吸い込む排気孔が設けられた排気管７４と、レジスト膜４９をアッシングさせるための酸素ガスを活性化する高周波電源６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化を利用したメモリセルによって構成された不揮発性メモリを有する半導体記憶装置において、メモリセルのスケーリングが進んでも読み出しディスターブを回避し、かつ高速に読み出し動作を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】固定層、トンネル障壁膜および自由層が積層されてなるトンネル磁気抵抗素子とＭＩＳトランジスタとからなるメモリセルにおいて、メモリセルの情報の書き込み動作は、所望する第１電流値および第１時間によって行い、メモリセルの情報の読み出し動作は、メモリセルの温度を検知する温度センサを含むパルス発生回路によってメモリセルの動作温度に応じて設定される第２電流値および第２時間によって行う。 （もっと読む）

【課題】スピン注入書き込みに要する電流を低くすることを可能にする磁気抵抗効果素子及び磁気メモリの提供。
【解決手段】磁化の方向が固着された第１磁化固着層４と、磁化の方向が可変な磁化自由層６と、第１磁化固着層と磁化自由層との間に設けられたトンネルバリア層５と、磁化自由層のトンネルバリア層とは反対側に設けられ磁化が固着された第２磁化固着層８と、磁化自由層と第２磁化固着層の間に設けられた非磁性層７とを備え、第１磁化固着層と第２磁化固着層間に電流を流すことにより磁化自由層の磁化の方向が可変となり、第２磁化固着層が、Ｃｏを含む場合には、非磁性層にＭｎ、Ｖ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｆｅを含む場合には、非磁性層にＩｒ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種の元素を含む金属であり、第２磁化固着層が、Ｎｉを含む場合には、非磁性層にＭｎを含む金属である。 （もっと読む）

【課題】ＲＡ値を低く抑えつつ、ＭＲ比およびＢＤＶの向上と、Ｈｉｎの低減が可能な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、磁化固定層１４の上に絶縁層１５が積層され、絶縁層１５の上に自由磁性層１６が積層される構造を有する磁気抵抗効果素子であって、磁化固定層１４は、上面に酸素原子２原子分の厚さ以下の酸素結合層が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置にクラックの発生を防止する絶縁性応力緩和膜を用いながらも、下方からの水素の進入を阻止して容量絶縁膜の還元を防止できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１の絶縁性水素バリア膜１８と、その上に形成された第２の絶縁性水素バリア膜１９と、第１の層間絶縁膜１７、第１の絶縁性水素バリア膜１８及び第２の絶縁性水素バリア膜１９を貫通するコンタクトプラグ２０と、第２の絶縁性水素バリア膜の上に順次形成され、下部電極２３、容量絶縁膜２５及び上部電極２６よりなり、下部電極がコンタクトプラグと電気的に接続される容量素子２７を備えている。第１の絶縁性水素バリア膜と第２の絶縁性水素バリア膜は、互いの組成比が異なる窒化シリコンよりなり、第２の絶縁性水素バリア膜のシリコン原子数に対する窒素原子数の比の値は、第１の絶縁性水素バリア膜のシリコン原子数に対する窒素原子数の比の値よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法において、強誘電体膜を備えたキャパシタの劣化を防止すること。
【解決手段】シリコン基板３０の上方に、下部電極６１と、強誘電体膜よりなるキャパシタ誘電体膜６２と、上部電極６３とを有するキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQ上に第１の保護膜７０を形成する工程と、第１の保護膜７０に、上部電極６３に達する第１の開口７０ａを形成する工程と、第１の開口７０ａを形成した後に、第１の保護膜７０及び第１の開口７０ａから露出する上部電極６３の上方に層間絶縁膜７１を形成する工程と、層間絶縁膜７１に、第１の開口７０ａの内側で上部電極６３に達する第１のホール７１ａを形成する工程と、第１のホール７１ａに第１の導体プラグ７７ａを埋め込む工程とを含む半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）