【課題】本発明は、複数電圧源を用意することなくＦｅＦＥＴ単体へ多値記憶を行うことができる半導体不揮発記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】強誘電体に、同一高さで、異なる幅のパルス電圧を印加して、異なる総分極量を与え、その総分極量の違いに応じた異なる記憶状態を作る多値強誘体メモリセルを有する半導体不揮発記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶性を有し磁化方向が変化可能な第１自由磁化層と、前記第１自由磁化層上に設けられ、磁化方向が変化可能であるとともに前記第１自由磁化層と強磁性交換結合する第２自由磁化層と、前記第２自由磁化層上に設けられ、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有するトンネルバリア層と、前記第１自由磁化層と前記第２自由磁化層との間に設けられ、前記第１自由磁化層が前記トンネルバリア層の結晶配向性に及ぼす影響を抑制する緩和層と、前記トンネルバリア層上に設けられ、磁化方向が固定可能な固定磁化層とを備えることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化固定層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する
ことを特徴とする磁気抵抗素子の製造法。 （もっと読む）

コンピューティングシステムが少なくとも１つの機能的ユニット及び少なくとも１つの機能的ユニットに接続された磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)ブロックを含む。MRAMブロックは少なくとも１つの機能的ユニットのパワーダウン状態の間、少なくとも１つの機能的ユニットの機能的状態を格納するように構成される。
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【課題】 ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＯ層３と接触するように、結晶質のホイスラー合金層１が配置されている。ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】アシスト用のマイクロ波磁場を適切な条件で印加することにより、記録磁場を低減できる磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気記録媒体に記録磁場を印加する記録磁極と、磁気記録媒体にマイクロ波磁場を印加して磁気記録をアシストするマイクロ波磁場発生源とを有し、前記マイクロ波磁場発生源から磁気記録媒体に印加されるマイクロ波磁場の周波数が、前記記録磁場が印加された磁気記録媒体の磁化の共鳴周波数に対応することを特徴とする磁気記録ヘッド。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、第１及び第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、ヘリウムイオン、ヘリウムプラズマ、ヘリウムラジカル、ネオンイオン、ネオンプラズマ及びネオンラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりの向上した半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダミートランジスタＤＴｒ上方の配線層１０８ｃ上にキャパシタ下部電極膜１０９を残しておき、キャパシタ上部電極膜１１１及び強誘電体膜１１０の除去によるキャパシタ加工の際に、配線層１０８ｃが除去されることを防止し、選択トランジスタＳＴｒの拡散層１０２ｃとビット線との接続を確保する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の絶縁性を保ちつつ導電部の導電性を向上し、ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、前記第１、第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、窒素分子、窒素原子、窒素イオン、窒素プラズマ及び窒素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実効的な書き込み電流の低減及び書き込み時間の短縮を実現する。
【解決手段】本発明の例に係る磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法は、磁化方向が不変な第１の磁性層と、磁化方向が可変な第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間に設けられたトンネルバリア層とを有する磁気抵抗効果素子のデータの書き込み方法であって、パルス形状の書き込み電流Ｉｗを磁気抵抗効果素子に流して、第１の磁性層の磁化方向と第２の磁性層の磁化方向との関係を変化させることを具備し、書き込み電流Ｉｗのパルス幅Ｗ_Ｐは、その電流の立ち上がりの開始から第１の時間ｔ_ｏｓまでの第１の期間Ｗ_１と、第１の期間Ｗ_１に続く第２の期間Ｗ_２とを含み、書き込み電流Ｉｗは、第２の期間Ｗ_２内に出力される電流値ｉ１と、第１の期間Ｗ_１内に出力され電流値ｉ１より大きい電流値ｉ２とを含んでいる。 （もっと読む）