【課題】製造歩留まりの向上した半導体記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ダミートランジスタＤＴｒ上方の配線層１０８ｃ上にキャパシタ下部電極膜１０９を残しておき、キャパシタ上部電極膜１１１及び強誘電体膜１１０の除去によるキャパシタ加工の際に、配線層１０８ｃが除去されることを防止し、選択トランジスタＳＴｒの拡散層１０２ｃとビット線との接続を確保する。 （もっと読む）

【課題】実効的な書き込み電流の低減及び書き込み時間の短縮を実現する。
【解決手段】本発明の例に係る磁気抵抗効果素子のデータ書き込み方法は、磁化方向が不変な第１の磁性層と、磁化方向が可変な第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間に設けられたトンネルバリア層とを有する磁気抵抗効果素子のデータの書き込み方法であって、パルス形状の書き込み電流Ｉｗを磁気抵抗効果素子に流して、第１の磁性層の磁化方向と第２の磁性層の磁化方向との関係を変化させることを具備し、書き込み電流Ｉｗのパルス幅Ｗ_Ｐは、その電流の立ち上がりの開始から第１の時間ｔ_ｏｓまでの第１の期間Ｗ_１と、第１の期間Ｗ_１に続く第２の期間Ｗ_２とを含み、書き込み電流Ｉｗは、第２の期間Ｗ_２内に出力される電流値ｉ１と、第１の期間Ｗ_１内に出力され電流値ｉ１より大きい電流値ｉ２とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の絶縁性を保ちつつ導電部の導電性を向上し、ＭＲ変化率の高いＣＣＰ−ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子の製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】強磁性体を含む第１磁性層と、強磁性体を含む第２磁性層と、前記第１、第２磁性層の間に設けられ、絶縁層と前記絶縁層を貫通する導電部とを含むスペーサ層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、スペーサ層の母材となる膜を形成する第１工程と、前記膜に、酸素分子、酸素イオン、酸素プラズマ及び酸素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第１処理を施す第２工程と、前記第１処理が施された前記膜に、窒素分子、窒素原子、窒素イオン、窒素プラズマ及び窒素ラジカルの少なくともいずれかを含むガスを用いた第２処理を施す第３工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程で活性領域が倒れたり、変形したりするのを防いだ電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に、ＦＥＴの動作時にチャネルが発生する部位を含む４つの柱状活性領域を有し、各々の柱状活性領域は梁フィールド酸化膜８により分離され、各々の柱状活性領域の側面に接するようにゲート絶縁膜１０を介してゲート電極１１ａおよび１１ｂが設けられ、柱状活性領域の上面にはドレイン電極に相当する上部拡散層１４ｄと、シリコン基板１の表面にソース電極に相当する下部拡散層９ａ、９ｂ、９ｃおよび９ｄとが設けられた構成である。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させた露光方法、及びその露光方法により形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】露光方法は、ハーフトーンマスク３０を介して基板を４重極照明で露光することにより、基板に平行な第１方向及び第１方向に直交する第２方向にマトリクス状に配置された複数の柱状部を形成する露光工程を備える。ハーフトーンマスク３０は、第１方向に延び且つ第２方向に所定ピッチで配置された第１パターン３１と、第２方向に延び且つ第１方向に所定ピッチで配置され、第１パターン３１に交差する交差部３３をもつように形成された第２パターン３２とを備える。 （もっと読む）

補償素子を有するスピン転移トルクメモリが開示される。スピン転移トルクメモリユニットは、合成反強磁性リファレンス素子と、合成反強磁性補償素子と、合成反強磁性リファレンス素子と合成反強磁性補償素子との間の自由磁化層と、自由磁化層を合成反強磁性リファレンス素子から分離する電気的絶縁および非磁性トンネリングバリア層とを含む。自由磁化層は、１１００ｅｍｕ／ｃｃよりも大きな飽和モーメント値を有する。
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反射性絶縁スペーサを有する磁束閉鎖スピン注入トルクメモリが開示される。磁束閉鎖スピン注入トルクメモリ ユニットは、電気的絶縁電子的反射層を介して第２自由磁性層に反強磁性的に連結された第１自由磁性層を含む多層自由磁性素子を含む。電気的絶縁非磁性トンネリングバリヤ層は、自由磁性素子をリファレンス磁性層から隔てる。
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反射絶縁スペーサを有するスピン転移トルクメモリが開示される。スピン転移トルクメモリユニット（３０）は、自由磁化層（Ｆ６）と、リファレンス磁化層（ＲＬ）と、自由磁化層をリファレンス磁化層から分離する電気的絶縁および非磁性トンネリングバリア層（ＴＢ）と、電極層（Ｅ１，Ｅ２）と、電極層および自由磁化層を分離する電気的絶縁および電子的反射層（ＥＲ）とを含む。
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【課題】ＭＲＡＭに効果の高い磁気シールド手段を提供する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、基板と、その基板の上方に形成された下部配線層と、その下部配線層の上方に形成された上部配線層と、下部配線層と上部配線層との間の第１高さに配置され、複数の孔が形成された磁気シールド層と、前記下部配線層と上部配線層との間に配置された磁気ランダムアクセスメモリ素子部とを備える。磁気ランダムアクセスメモリ素子部は、磁化が固定された磁化固定層と磁化が反転可能な磁化自由層とを備える複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子と、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子の各々と下部配線層とを接続する下部接続部と、複数のランダムアクセスメモリ素子の各々と上部配線層とを接続する上部接続部とを備える。第１高さにおいて、複数の磁気ランダムアクセスメモリ素子はそれぞれ複数の孔の内部に配置される。磁気シールド層がメモリ素子の近くに配置されるため、高い磁気シールド効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】延伸処理を行うことなく、大きな残留分極を有する強誘電性キャストフィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の強誘電性キャストフィルムの製造方法は、下記の工程を含む。
（Ｉ）ポリフッ化ビニリデンを誘電率３〜１００の溶媒に溶解した溶液を、該溶液のゲル化温度よりも高く、且つ、前記ゲル化温度＋６０℃以下の温度でキャスティングすることにより、未延伸のキャストフィルムを製造する工程。
（ＩＩ）前記未延伸のキャストフィルムに、振幅１９０〜４００ＭＶ／ｍの交流電場を印加する工程。 （もっと読む）