磁気トンネル接合セルおよび磁気トンネル接合セルを製造する方法であって、セルの強磁性自由層（１１２）に少なくとも隣接して延在する円筒状の保護層（１２０）を含む。円筒状の保護層は、その厚さ、形成方法、材料組成および／またはセル層に沿った度合いが特定的に選択されて、実効飽和保磁力、実効磁気異方性、実効的な磁気モーメントの分布、または実効スピン偏極を含む、自由層の実効磁気特性を向上させる。
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【課題】高い電流密度の電流を通電することが無く、磁気記録情報を書き換えることができると共に、磁気情報を保持する部分に高保磁力材料を用いることが可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気メモリ１は、磁壁移動層１１１と、中間層である非磁性体層１１２と、固定層１１３とが積層された磁気抵抗効果素子１１、および、磁壁移動層１１１を局所的に加熱可能な加熱部１２Ａおよび加熱部１２Ｂを備え、磁壁移動層１１１において、磁化容易軸は磁壁移動層１１１の面内方向に位置しており、磁壁移動層１１１には磁壁５１が形成されており、加熱部１２Ａまたは加熱部１２Ｂによって、磁壁移動層が局所的に加熱されることにより、上記磁壁が磁壁移動層内において移動するものである。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に基づいた三値連想メモリ（ＴＣＡＭ）に書き込んで検索する方法を提供する。
【解決手段】三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。第１フィールド線は、第２フィールド線に対して直交し、第２フィールド線を介してストレージ層に対して第１書込みデータを提供して、高い論理状態又は低い論理状態を有する第１記憶データを記憶する。第１フィールド線を介してストレージ層に対して第１書込みデータを提供して、マスクされた論理状態を有する第１記憶データを記憶する。 （もっと読む）

フィン電界効果トランジスタ（フィンＦＥＴ）を用いた半導体の製造方法が開示される。特定の実施形態の方法は、第一の幅によって離隔された第一の側壁及び第二の側壁を有する第一のダミー構造体をシリコン基板上に堆積させるステップを含む。また、本方法は、第一のダミー構造体を堆積させるのと同時に第二のダミー構造体をシリコン基板上に堆積させるステップも含む。第二のダミー構造体は、第二の幅によって離隔された第三の側壁及び第四の側壁を有する。第二の幅は第一の幅よりも実質的に大きい。第一のダミー構造体を用いて略第一の幅によって離隔された第一の対のフィンを形成する。第二のダミー構造体を用いて略第二の幅によって離隔された第二の対のフィンを形成する。
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【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなくトンネルバリア層の低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗デバイスを提供すること。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、MgZnO層（Zn濃度が1at.%以上12.5at.%以下）からなり、該MgZnO層が岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 キュリー温度を制御できる範囲が広く、室温付近の相転移が無く、優れた強誘電特性を示すチタン酸バリウムを主成分とした強誘電セラミック材料を提供する。
【解決手段】 （１００−ａ−ｂ）ＢａＴｉＯ_３・ａＢｉ_２Ｏ_３・ｂＭ_２Ｏ_３（式中、ＭはＢｉ以外の３価の金属を示す。ａ、ｂは１≦ａ≦１５、０≦ｂ≦５、５≦ａ＋３ｂ≦１５である。）で表される酸化物からなる強誘電セラミック材料。前記Ｍが第５周期の遷移金属、原子番号が５９以上６９以下の希土類金属から選ばれる３価の金属であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合構造を構成する自由磁性層を、磁気異方性の方向及び大きさが異なる少なくとも２つの磁性薄膜で構成することにより、再生信号値の増大及びスイッチングに必要な臨界電流値の低減効果を独立して最適化することのできる、二重磁気異方性自由層を有する磁気トンネル接合構造を提供する。
【解決手段】磁気トンネル接合構造は、固定された磁化方向を有する第１磁性層１０と、反転可能な磁化方向を有する第２磁性層３０と、第１磁性層１０と第２磁性層３０との間に形成される非磁性層２０と、第２磁性層３０との磁性結合により第２磁性層３０の磁化方向を第２磁性層３０の平面に対して傾斜させ、垂直磁気異方性エネルギーが水平磁気異方性エネルギーより大きい第３磁性層４０と、第２磁性層３０と第３磁性層４０との間に形成され、第２磁性層３０と第３磁性層４０が異なる結晶配向性を有するように分離する結晶構造分離層５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる構造の半導体メモリセルを備えた半導体メモリ領域を縮小化するための半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層に形成されるＲＡＭの第１のトランジスタと、第１のトランジスタの第１のソース／ドレイン１７に電気的に接続される第１電極を有するキャパシタＱと、第１のトランジスタに隣接する領域の半導体層に形成されるＲＯＭの第２、第３のトランジスタと、第１のトランジスタの第２のソース／ドレイン１６と第２のトランジスタの第１のソース／ドレイン２０に電気的に接続されるビット線６０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 交流磁場で電流を誘起でき、または電気分極の強度と方向を制御できるマルチフェロイック電子装置を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、基板の上に、スパッタリング法を用いて、磁化固定層、磁化自由層及びトンネルバリア層を成膜する工程において、磁化自由層成膜工程は、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する第１ターゲットと、Ｃｏ原子及びＦｅ原子を含有し、該第１ターゲット中のＢ原子含有量と相違する含有量の第２ターゲットと、を用いたコ−スパッタリング法により、Ｃｏ原子、Ｆｅ原子及びＢ原子を含有する強磁性体層を成膜する。 （もっと読む）