【課題】接着部が剥がれたり、浮いたり、倒れたりすることのない半導体装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００として実現された本発明の半導体装置においては、覆部１０２によって覆われる被覆領域の外部に迫出した接着部１０３を介して覆部１０２と固体撮像素子１０１とを接着しているので、覆部１０２と固体撮像素子１０１とを従来より強固に接着することができる。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル配線板を使用して、固体撮像装置の薄型化、小型化を行い、簡易に高剛性を持つ固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固体撮像装置は、補強板２と、前記補強板２を第１の面に積層した第１の基板（固体撮像素子基板）１０と、前記第１の基板の第２の面に接合される第２の基板（フレキシブル配線板）１とを有し、前記補強板は少なくとも前記第２の基板と前記第１の基板との接合部とオーバラップするように前記第１の基板の端面よりも突出した部分を有し、前記接合部において、前記補強板と第２の基板は、接着剤（補強接着部）３１で固定された板間接続構造を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気密封止される中空パッケージ内で部品固定用に使用する接着剤から発生する水分などのアウトガス成分量を抑制すること。
【解決手段】デバイスを中空パッケージに収納して気密封止するように構成されたデバイス収納装置において、前記中空パッケージ内に前記デバイスを固定するための接着剤が、離散的なパターンで塗布されていることを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】基板内導波管と金属導波管とを接続する際に必要なチョーク構造を、精密な金属加工を必要とすることなく形成する。
【解決手段】金属導波管２と基板内導波管６とを接続する導波管接続構造。λを自由空間伝播波長として、基板内導波管６が、λ／４又はまたはそれを超える深さを有し、且つ、深さがλ／４で底面が接地導体で構成される環状溝１２によって周囲が囲まれる。環状溝１２の内壁に形成される電気壁と基板内導波管６の側壁に形成される電気壁との間の距離がλ／４であり、環状溝１２によって導波管接続構造のチョーク構造が形成される。 （もっと読む）

【課題】コストを抑制した状態で、高い密閉性が得られる状態でＭＥＭＳ素子を保護する封止構造が、より容易に形成できるようにする。
【解決手段】スクリーン印刷法により、樹脂からなる枠部１０７を、微細構造１０２の周囲を取り囲むように形成する。枠部１０７となる開口パターン１０４を備えたスクリーン１０３を用意し、スクリーン１０３の上にペースト１０５を供給し、スクリーン１０３を基板１０１の上に配置する。次いで、適当な圧力でスクリーン１０３に押し付けたスキージ１０６をスクリーン１０３の上で移動し、ペースト１０５をスクリーン１０３の開口パターン１０４に押し付けながら移動させる。このスキージ１０６の移動により、ペースト１０５は、スクリーン１０３の開口パターン１０４より基板１０１の側に押し出され、枠部１０７となる樹脂パターンが形成される。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内に搭載される部品の実装性や親回路基板等の他の基板への実装性がよく、放熱性に優れる高周波樹脂パッケージを得ること。
【解決手段】本発明の高周波樹脂パッケージ８は、半導体チップ３と、平板形状を呈し、略平坦な面とされて半導体チップが搭載されたチップ搭載面１ａと、チップ搭載面の他方面側であって略平坦な面とされて入出力端子が形成された端子面１ｂと、を備える樹脂基板１と、チップ搭載面側で樹脂基板を覆うとともに、半導体チップを収容するキャビティ部４ａが形成された樹脂多層キャップ４と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電子素子ウェハである半導体基板と、赤外線カットフィルタなどの光学フィルタが接合されたカバーガラスとを貼り合わせた場合の反りを低減する。
【解決手段】複数の電子素子が形成された電子素子ウエハの半導体基板２上に、複数の固体撮像素子２１上をそれぞれ覆って保護するガラス基板４が接合され、このガラス基板４の少なくとも一方面に、固体撮像素子２１に対応して赤外線カットフィルタ５が形成されており、赤外線カットフィルタ５は、シリコン酸化膜とニオブ酸化膜を交互に積層した膜厚の薄い誘電体多層膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】圧力調整が可能で製造工程が簡単なウェハレベルパッケージとその製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハレベルパッケージは、複数のＭＥＭＳ素子が形成されたシリコンウェハと、シリコンウェハ上の複数のＭＥＭＳ素子のそれぞれを封止するガラス蓋部とを有する。ガラス蓋部は、複数のＭＥＭＳ素子に対応したキャビティ部、キャビティと一端側が連結されてウェハ表面に沿って延びる溝部、溝部の他端に連結されて上記ガラス蓋部の上面側に貫通する貫通孔、貫通孔表面に蒸着技術によりシリコンウェハとガラス蓋部との陽極接合の際の温度よりも融点が高くされた金属膜を有する。シリコンウェハとガラス蓋部とが陽極接合により接合された後に、キャビティ内の気圧を所望に設定した状態で所定の温度処理により金属膜を溶融して貫通孔を塞ぐ封止栓を形成してウェハレベルパッケージを構成する。 （もっと読む）

【課題】センサ基板とキャップ基板との接合信頼性を高めることができるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の接合層１４と第２の接合層２４とを接触させてセンサ基板１およびキャップ基板２に所定の荷重を印加し（図１（ａ））、続いて、センサ基板１およびキャップ２それぞれに吸着しているガス成分を除去する脱ガス処理を行う（図１（ｂ））。その後、Ａｕ−Ｓｉ系の共晶温度以上であり且つゲッタ４の活性化温度よりも高い規定温度に加熱してシリコン膜１４ａのＳｉを第１の密着膜１４ｂを通して第１のＡｕ膜１４ｃへ拡散させるとともに第２のシリコン基板２０のＳｉを第２の密着膜２４ｂを通して第２のＡｕ膜２４ｃへ拡散させて第１の接合層および第２の接合層を溶融させる（図１（ｃ））。その後、上記共晶温度よりも低い温度に冷却する（図１（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程によって製造することができ、従って製造コストの安価な小型高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】配線基板と、前記配線基板上に搭載された回路部品と、前記配線基板上に搭載され、前記配線基板によって前記回路部品に電気的に接続された導電性部材と、前記回路部品及び前記導電性部材の上側を覆う絶縁性部材と、前記絶縁性部材の上に形成され、前記導電性部材に交流的に結合した電極を含む導電膜を具備した高周波回路モジュール。 （もっと読む）