【課題】本発明は、枠体を複数の側壁で構成する際の接合部の接合ずれを抑制することができる素子収納用パッケージ及びこれを備えた電子装置を提供する。
【解決手段】素子収納用パッケージであって、半導体素子９が載置される載置部１ａを有する基体１と、互いに対向する位置に配置された第１および第３の側壁２ａ、２ｃならびに第２および第４の側壁２ｂ、２ｄを有し、載置部１ａを取り囲むように基体１に設けられた枠体２とを備えており、枠体２は、第１および第３の側壁２ａ、２ｃが、内側の側面の両端部に上下にわたって溝状の凹部２ｅを有し、第２および第４の側壁２ｂ、２ｄが、両端の外側の角部が上下にわたって切り欠かれて設けられた、凹部２ｅに対応する凸部２ｆを有しており、対応する凹部２ｅと凸部２ｆとが接合材４を介して接合されていることを特徴とする （もっと読む）

【課題】良好な真空封入を維持しかつできるだけ変らない外側のチップ寸法を維持して、ボンディングされた表面マイクロメカニック構成部分の安定性を高める。
【解決手段】マイクロメカニック式のキャップ構造はサブストレート１０を有し、サブストレート１０には空洞Ｋが設けられている。空洞Ｋは方形の基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対とを有する。空洞Ｋの基面に相応するダイヤフラムの局部的な補強は安定化ビームＳＫ１，ＳＫ２を有する安定化クロスによって達成される。 （もっと読む）

【課題】封止された内部空間を電磁シールドするパッケージ構造を備えた電子部品において、小型化を進めた場合であっても、電磁シールドを確実に果すことを可能とする電子部品装置を提供する。
【解決手段】基板２と、封止用枠材１３と、蓋材１４とにより封止された内部空間１２が形成されており、内部空間１２内に、基板２上に搭載された電子部品素子１１が収納されており、蓋材１４が導電層１４ａを有し、封止用枠材１３が導電性の封止用枠材であり、それによって内部空間１２が電磁シールドされ、該封止用枠材１３の下端が、矩形枠状の導電性接合材層５により基板２に接合されており、基板２上の第１の主面２ａの内部空間１２に臨む領域に、接続電極４が導電性接合材層５に連ねられるように形成されており、接続電極４が、第２の貫通電極８を介して基板２の第２の主面２ｂに形成されている、第２の外部電極９に電気的に接続されている、電子部品装置１。 （もっと読む）

【課題】強度及び放熱性を確保しつつ軽量化に貢献し得る電子制御装置を提供する。
【解決手段】回路基板１１を収容固定するケース１２を金属材料によって形成すると共に、回路基板１１の被覆に供するカバー１３を樹脂材料によって形成したことにより、筐体ＣＳ全体を金属材料によって形成していた従来に比べて、当該筐体ＣＳに係る重量の低減化に供され、装置１０の軽量化が図れる。そして、この構成を採用するにあたり、コネクタ１５を外部へ臨ませるための窓部２１や、発熱性の高い各電子部品１４ａ，１４ｂの放熱に供する前記各放熱用台座２３ａ，２３ｂを、剛性が高く放熱性に優れた金属製のケース１２に集約して配置するようにしたことにより、装置１０としての十分な剛性及び放熱性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、放熱性の低下を抑制することができる素子収納用パッケージ及びこれを備えた電子装置を提供する。
【解決手段】素子収納用パッケージであって、上側主面に半導体素子１０が載置される載置部１ａおよび載置部１ａを挟んで両側から外側に延出した２つの延出部１ｂを有し、２つの延在部１ｂに貫通孔または上下を貫通する切欠きから成るネジ取付け部１ｃが設けられた、上面視して矩形状の基体１と、基体１の上側主面に、ネジ取付け部１ｃよりも内側に載置部１ａを取り囲むように接合材３を介して接合された枠体２とを備えており、基体１は、延出部１ｂの延出方向に平行な対向する一対の辺部のそれぞれに、少なくとも枠体２の長さにわたって側面から下側主面にかけて切り欠いて成る切欠き部１ｄを有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路間をワイヤーで接続する場合に、放射損を少なくした半導体装置を提供すること。
【解決手段】金属製ベース基板１０の周辺に中央領域の面よりも低い段差面４１を設け、その段差面４１上に帯状導体１８ｂが貫通する絶縁物からなる側壁部分１６ｂを配置して、帯状導体１８ｂが誘電体基板１３表面に形成された回路パターン１３ａと同じ高さになるようにし、帯状導体１８ｂと回路パターン１３ａとの間をワイヤーで接続する。 （もっと読む）

【課題】良好な熱伝導性を有するとともに、熱膨張係数を電子部品等の熱膨張係数に近付けた放熱部材を用いた電子部品収納用パッケージを提供。
【解決手段】電子部品収納用パッケージおよび電子装置には、熱伝導率のよい第１金属層１１と、第１金属層１１より低熱膨張係数を有し厚さの薄い第２金属層１０とが交互に５層以上積層され、最下層および最上層には第１金属層１１ｃ，１１ｂが配されているとともに、内層に配される第１金属層１１ａの少なくとも１層の厚さが最下層および最上層に配される第１金属層１１ｃ，１１ｂの厚さよりも厚い放熱部材１が用いられている。また、第１金属層１１ａを挟んで上下に配された第２金属層１０の圧延方向が互いに直交するように配されている。 （もっと読む）

【課題】実装部品の配置に制約を生じさせず、利得低減を防止することができる高周波半導体パッケージを得る。
【解決手段】パッケージ本体１０のキャビティ１２内に、入力側フィードスルー１４、マイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器１８、及び出力側フィードスルー２２が設けられている。出力側フィードスルー２２は、キャビティ１２内で入力側フィードスルー１４に対向している。キャビティ１２は蓋２４により密封されている。半導体電力増幅器１８の入力端子は入力側フィードスルー１４に接続され、半導体電力増幅器１８の出力端子は出力側フィードスルー２２に接続されている。蓋２４は、接地導体からなる突起２８を有する。この突起２８は、入力側フィードスルー１４と出力側フィードスルー２２の間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 本願には多くの発明が記載されており且つ例示されている。１つの特徴では、本発明は、最終パッケージ前に機械構造がチャンバ内に封緘されたＭＥＭＳ装置及びその製造技術に関する。
【解決手段】 付着させたときに機械構造を封緘する材料は、一体化に列挙する特性のうちの１つ又はそれ以上を備えている。即ち、引張応力が低く、ステップカバレッジが良好であり、続くプロセスが加えられたときにその一体性を維持し、チャンバ内の機械構造の性能特性に大きな影響及び／又は悪影響を及ぼさず（付着中に材料でコーティングされていない場合）、及び／又は高性能集積回路との一体性を容易にする。一実施形態では、機械構造を封緘する材料は、例えば、シリコン（ドーピングされた又はドーピングがなされていない多晶質、非晶質、又は多孔質）、シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、又はガリウム砒素である。 （もっと読む）

【課題】接合する基板が互いに異なる材料で構成されている場合であっても、生産性を低下させることなく、表面活性化接合を用いて安価に製造することが可能な電子デバイスを提供する。
【解決手段】ガラスから成る第１基板１を、その表面に予め形成した薄膜シリコン層２を介して、シリコンから成る第２基板１１に同種材料間の表面活性化接合により接合する。 （もっと読む）