【課題】高い気密性を保持し、かつ小型化が可能な電子デバイスを提供すること。
【解決手段】絶縁性基板２と、絶縁性基板２にフリップチップ実装されたデバイスチップ１０と、デバイスチップ１０の絶縁性基板２と対向する面１３に設けられた第１金属パターン１１と、デバイスチップ１０の絶縁性基板２と対向する面１３の周辺部に設けられた第１絶縁層２０と、少なくとも絶縁性基板２のデバイスチップ１０が実装された面からデバイスチップ１０の側面までを封止する、半田からなる封止部材１８と、を具備することを特徴とする電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】実装基板との線膨張率差に起因して機能素子に生じる応力をより緩和することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の半導体基板１０を用いて形成され機能素子（センサ部Ｅ１、ＩＣ部Ｅ２）が集積化されたセンサ基板１と、第２の半導体基板２０を用いて形成されセンサ基板１の一表面側に封着された貫通孔配線形成基板２と、第３の半導体基板３０を用いて形成されセンサ基板１の他表面側に封着されたカバー基板３とを備え、貫通孔配線形成基板２におけるセンサ基板１側とは反対側の表面（第２の半導体基板２０の実装面側）に機能素子に電気的に接続された複数のパッド２５が形成されている。全てのパッド２５を内包する仮想円ＶＣの中心Ｍに対して相対的に近いパッド２５である内側パッド２５ａに比べて相対的に遠いパッド２５である外側パッド２５ｂの剛性を低くしてある。 （もっと読む）

【課題】圧入のためのめっきを改善し圧入性と耐熱性、耐衝撃性や長期信頼性に優れたシリンダー形の圧入封止型水晶振動子ならびにその製造方法を提供する。
【解決手段】ステムおよびリードのめっきを、Ｃｕめっき層１３、Ｓｎめっき層１４、Ｓｎとの金属間化合物形成及びＳｎとＡｕの反応抑制及びワイヤボンディングのための金属層１５の順に形成する。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で強度を確保した電子部品用の蓋体を提供する。
【解決手段】コバール、ＳＵＳ、鉄ニッケル合金のいずれかから選択されてなる基板部材１０と、コバール、ＳＵＳ、鉄ニッケル合金のいずれかから選択されてなる複数の枠部材２０と、を備え、それぞれの枠部材２０の厚みと幅の値が基板部材１０の厚みの値と同じであり、基板部材１０と複数の枠部材２０とが重ねられた状態で拡散接合されて凹部を形成している。この拡散接合された基板部材１０と複数の枠部材２０とにニッケル（Ｎｉ）又はクロム（Ｃｒ）がメッキ処理され、さらに、金（Ａｕ）がメッキ処理されて構成しても良い。 （もっと読む）

【課題】工程の簡略化や装置の信頼性の向上を図ることが可能な半導体又はＭＥＭＳを備える中空封止型半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カバー基材１０の一方の面に光照射後において接着性を有し且つ硬化性を有する感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層の所定箇所に光照射した後に光照射されていない箇所を除去するフォトリソグラフィーにより、前記感光性樹脂層の一部を除去し、前記感光性樹脂層の残部からなり且つ接着性を有するスペーサー部３０を形成する工程と、半導体又はＭＥＭＳを備える機能部４０が形成されたウェーハ５０の機能面に、前記スペーサー部３０を介して前記カバー基材１０を貼付し、前記スペーサー部３０を硬化せしめて中空封止型積層体を得る工程と、前記中空封止型積層体をダイシングにより分割して前記中空封止型半導体装置を得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は同軸コネクタへの同軸ケーブルの着脱を繰り返した場合でも腐食防止効果や接触信頼性が低下することなく、しかも金属ろう材（半田）の濡れ性の高い同軸コネクタを提供する。
【解決手段】円柱状の絶縁体２と、この絶縁体２の軸中心に挿通される中心導体３と、絶縁体２の側面を被覆しかつ絶縁体２の端面２ａから導出される中心導体３の一の端部３ａを収容するハウジングと、中心導体３の裸出部分を被覆する複数層から成るメッキ被膜とを有し、中心導体３の一の端部３ａを被覆するメッキ被膜は、Ａｕの含有率が９９．９％よりも低い硬質Ａｕメッキ層５を備え、中心導体３の他の端部３ｂを被覆するメッキ被膜は、その最上層にＡｕの含有率が９９．９％以上の軟質Ａｕメッキ層６を備えることを特徴とする同軸コネクタ１による。 （もっと読む）

【課題】パッケージとして半導体材料を用いた従来技術の圧電デバイスにおいて、その貫通電極配線部に生じる問題点を解決し、特性が安定しておりかつ小型化を実現できる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスのパッケージ外面および中空部の少なくとも一部の表面に絶縁体膜１６が施されており、パッケージ中空部であって該絶縁体膜１６上に第一の電極が設けられ、さらに、第一の電極とパッケージを挟んで相対するパッケージ外面の絶縁体膜１６上に第二の電極が設けられ、パッケージにおいて前記第一の電極あるいは前記第二の電極が設けられた領域部分の少なくとも一方の少なくとも一部分が凹部１９又は２０をなし、前記凹部１９又は２０の底面が前記パッケージの一部を挟んで他方の電極と対向し、前記第一の電極と前記第二の電極の間は交流的に電気的接続が可能となる圧電デバイスとする。 （もっと読む）

【課題】経済的で生産性が高く、しかも安定供給できる高精度の半導体用放熱部品を基体とするメタルウォールパッケージおよびセラミックウォールパッケージを提供。
【解決手段】粉末冶金法を適用して製造したCr−Cu合金に加工を施して得たCr−Cu合金板を冷間プレス加工した成形体であり、かつCr含有量が30質量％超え80質量％以下で残部がCuおよび不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物がＯ：0.15質量％以下、Ｎ：0.1質量％以下、Ｃ：0.1質量％以下、Al：0.05質量％以下、Si：0.10質量％以下である半導体用放熱部品を基体とし、前記基体および、金属枠体あるいはセラミック枠体を具備することを特徴とするメタルウォールパッケージあるいはセラミックウォールパッケージ。 （もっと読む）

【課題】製造が容易且つ安価な電子部品パッケージの製造方法および電子部品パッケージを提供する。
【解決手段】平板基板に電子部品を収納するためのキャビティを形成する工程と、前記キャビティの底面部の一部に前記平板基板底部に向かって孔径が小さくなるようにテーパー状の貫通孔を形成する工程と、前記平板基板のキャビティ形成面とこれに対向する面と前記貫通孔内面に絶縁膜を形成する工程と、前記キャビティ形成面と前記貫通孔内面に形成された前記絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、前記貫通孔の最小径部近傍を導電性部材で塞いで貫通電極を形成する工程と、前記金属膜の内、電子部品搭載パッドと、該電子部品搭載パッドと前記貫通電極とを接続する接続配線部となる部位を残し、それ以外の不要な金属膜を除去して前記電子部品搭載パッドと前記接続配線部を形成する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体材料をパッケージとする圧電振動子において、電極配線とパッケージの間に発生する静電容量の問題を解決し、安定で確実な発振特性を有する小型な圧電デバイスを提供する。
【解決手段】少なくとも、励振電極が形成された圧電振動片と、該圧電振動片を収容するパッケージ底部と、該パッケージ底部と接合され、前記圧電振動片を気密封止する蓋体とからなる圧電振動子であって、前記パッケージ底部は半導体材料により構成されており、前記パッケージ底部の少なくとも一部に、前記パッケージ底部と直接に電気的接触をしており、前記パッケージ底部体が外部との電気的接続を可能にするための電極を有する圧電振動子とする。 （もっと読む）