【課題】 高い信頼性が要求される気密封止型半導体装置において、その要求に応えることができる気密封止型半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】 金属基板１上に搭載された半導体素子２が金属外囲ケース３内に収容され、前記金属外囲ケース３を貫通して絶縁物９で封着支持された外部金属リード端子６ｂと前記半導体素子２とが金属ワイヤ８ｂでボンディングされた気密封止型半導体装置１００であって、前記金属基板１と前記金属外囲ケース３とが、かしめ接続されている。 （もっと読む）

【課題】ダイ取り付けの高温度に耐える低価格の回路パッケージを提供。
【解決手段】半導体集積回路素子を収納するための回路パッケージ１００が、高含量銅のフランジ１０２、一つまたはそれ以上の高含量銅のリード１０６およびフランジとリードに成形される液晶ポリマーフレームを含む４１０４。フランジは、成形フレームと機械的に連結する鳩尾型の溝または他の形状のフレーム保持構造部５００を含む。成形の間、フレームの一部は、フレーム保持構造部にまたはその周囲に固定するキーを形成する。リードは、フレームを機械的に連結する一つまたはそれ以上のリード保持構造部を含む。成形の間、フレームの一部はリード保持構造部にまたはそれに接して固定する。フレームは、湿気の浸入防止のための化合物を含み、その熱膨張係数はリードとフランジの熱膨張係数にマッチする。フレームはダイ取り付け温度に耐えるように処方される。 （もっと読む）

【課題】品質を向上することができる電子部品収納用パッケージ、および電子装置を提供する。
【解決手段】電子部品２を装着するための装着部３ａを有する基体３と、装着部３ａを囲むようにして設けられた枠体４とを備えた電子部品収納用パッケージ１において、枠体４の内壁４ａまたは外壁４ｂには、枠体４の内壁４ａまたは外壁４ｂの全周にわたって、枠体４が有する熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する被覆膜６，７が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスパッケージ内のキャビティの真空度を容易に測定することができない。
【解決手段】ベース基板とキャビティ部を有するリッド基板とを前記キャビティを対向する状態で接合した電子デバイスパッケージの気密状態を検査するために、前記電子デバイスパッケージと同一の半導体ウェハ上で真空度を検査する真空度検査デバイスを製造する。それにより前記電子デバイスパッケージとほぼ同じ条件のパッケージの真空度を測定することができる。前記真空度検査デバイスはベース基板と、前記ベース基板に対向させた状態で該ベース基板に接合されるリッド基板と、前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティに金属薄膜抵抗を設置し、前記金属薄膜抵抗を外部の電極と導通させる貫通電極を形成することで構成される。 （もっと読む）

【課題】外部温度の影響を排除して、温度補償動作を確実にした表面実装発振器を提供する。
【解決手段】開口端面に封止用金属膜５ｄを有する凹状とした容器本体１に、少なくとも発振回路及び温度補償機構を有するＩＣチップ３と水晶片２とを収容し、前記封止用金属膜５ｄと電気的に接続する金属カバー４を前記開口端面に接合して密閉封入した表面実装用の水晶発振器において、前記容器本体１の外底面には吸熱用金属膜１１ａが形成され、前記吸熱用金属膜１１ａは前記容器本体１の外側面に設けた伝熱用金属膜１１ｂによって前記封止用金属膜５ｄと接続し、前記吸熱用金属膜１１ａ及び前記伝熱用金属膜１１ｂは表面に露出した構成とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性を充分に確保した電子部品パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板の第一の面に絶縁膜を形成する工程と、前記シリコン基板の第一の面に対向する第二の面に、前記シリコン基板の外周部から中心部にかけて徐々に膜厚が薄くなるようなお椀形状を成す絶縁膜を形成する工程と、前記お椀形状の絶縁膜上にレジストを塗布し、キャビティー形成領域に対応するレジスト開口をパターニングしてレジストマスクを形成する工程と、前記レジストマスクをマスクパターンとしてエッチングによりキャビティーを形成する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法とする。 （もっと読む）

１つの実施形態において、第１基板（１０３）を第２基板（３０３）に接合するために有用な方法は、金属含有層を前記第１基板の上に形成する工程を含む。前記金属含有層は、１つの実施形態では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子とすることができる半導体素子を取り囲む。前記第２基板（３０３）の上には、第１シリコン含有層（４０１）が形成される。第２ゲルマニウム／シリコン含有層（４０３）は前記第１層の上に形成される。第３ゲルマニウム含有層（４０５）は前記第２層の上に形成される。前記第３層を前記金属含有層に接触させる。熱（及び、幾つかの実施形態では圧力）を前記第３層及び前記金属含有層に加えて、導電性の機械的接合材料を前記第１基板と前記第２基板との間に形成する。機械的接合材料でＭＥＭＳのような半導体素子を取り囲む場合、機械的接合材料は、当該材料でＭＥＭＳの気密封止を行なってＭＥＭＳを保護することができるので極めて有利である。
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【課題】 複数のＭＥＭＳ機能素子を設けた第１のＳｉウエハの表裏に、前記第１のＳｉ
ウエハと径が略等しく、前記ＭＥＭＳ機能素子を保護する第２のＳｉウエハと、前記第１
のＳｉウエハと径が略等しく、前記ＭＥＭＳ機能素子を保護する第３のＳｉウエハとが、
径の中心を略一致するようにして接合するＳｉウエハの接合方法を提供するのと同時に、
生産性が高く気密封止性に信頼の高いＳｉウエハの接合方法を提供する。
【解決手段】 第３のＳｉウエハの外周に切り欠き部を設け、第１から第３のＳｉウエハ
を低融点金属の熔融により一括接合する。 （もっと読む）

【課題】ウエハからの取出個数を多くできるとともに、機能面を両面に有する電子部品でも容易に、かつ、確実に電気的に導通可能であり、かつ従来に比べて小型化が可能な電子部品パッケージを提供する。
【解決手段】電子部品１１と、電子部品を覆うように複数の構成部材を接合して形成されたケーシング１３と、を有する電子部品パッケージ１０において、ケーシング１３の電子部品１１の表面１１ａまたは裏面１１ｂと対向する側壁には信号処理用ＩＣが形成され、かつ電子部品の機能面１１ａ，１１ｂと、ケーシングの構成部材２１，２２，２３間の接合面２１ａ，２１ｂとが、交差するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハからの取出個数を多くできるとともに、機能面を両面に有する電子部品でも容易に、かつ、確実に電気的に導通可能であり、かつ従来に比べて小型化が可能な電子部品パッケージを提供する。
【解決手段】電子部品１１と、電子部品を覆うように複数の構成部材を接合して形成されたケーシング１３と、を有する電子部品パッケージ１０において、ケーシング１３の電子部品の機能面１１ａ，１１ｂと交差する面に信号処理用ＩＣが形成されており、電子部品の機能面１１ａ，１１ｂと、ケーシングの構成部材２１，２２，２３間の接合面２１ａ，２１ｂとが、交差するように配置されている。 （もっと読む）