【課題】格子状電極配列型部品をプリント配線板へ実装する際に発生するはんだボイドを低減する。
【解決手段】格子状電極配列型部品を実装するためのプリント配線板の表面に銅箔パッドを設け、銅箔パッドに開口部を設け、裏面にも銅箔パッドを設け、プリント配線板の表面の開口部を含む表面にはんだペースト印刷を行い、はんだペースト印刷面に格子状電極配列型部品を載置し、リフロー熱風ではんだペーストを溶かしてプリント配線板と格子状電極配列型部品とをはんだ接続する。 （もっと読む）

【課題】本発明は樹脂部２５や基板２２側面に形成されたシールド金属膜５と、親基板８の回路との間の短絡が生じにくいモジュールを提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、この課題を解決するために基板２２の上面に装着されたチップ部品３ａ、半導体素子３ｂと、基板２２の上面においてチップ部品３ａ、半導体素子３ｂが埋設される樹脂部２５と、この樹脂部２５の表面と基板２２の側面とを覆うシールド金属膜５と、基板２２の下面に形成された装着パッド２３とを備え、装着パッド２３によって親基板８へ装着される高周波モジュール２１において、基板２２の下面には、親基板８方向へ突出した突起２８が形成され、突起２８の先端は装着パッド２３ｃの下面よりも突出したものである。これにより、基板２２と親基板８間に隙間を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 インターポーザと半導体チップとのバンプ接合部、及び、インターポーザとマザーボードとの半田ボール接合部の接合寿命を向上させるとともに、半導体パッケージの外部接続電極に接続する回路導体の断線を無くして該半導体パッケージの寿命を向上させることが可能なインターポーザ、該インターポーザの製造方法、該インターポーザと半導体チップとをフリップチップ接合させた半導体パッケージ、及び該半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】 インターポーザ１は、絶縁層７、外部接続電極６、配線パターン１１、及びビア１２を備えている。外部接続電極６との接合部におけるビア１２の直径をｄと、外部接続電極６の直径をＤとの比をｄ／Ｄ＝Ａとし、絶縁層７の弾性率をＥとしたとき、


を満たしている。また、外部接続電極６は、ビア１２を介してのみ配線パターン１１と電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できるリードフレーム及びこれを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１６は、一方側に表面に第１のめっき部１２が形成されたワイヤボンディング部１３を備え、他方側にワイヤボンディング部１３に対応し、表面に第２のめっき部１４が形成された外部接続端子部１５を備え、第１のめっき部１２をワイヤボンディング部１３の先端周囲より突出させ、かつ貴金属めっき層を除く第１のめっき部１２の厚みＴ１を５〜５０μｍとして、ワイヤボンディング部１３の先側周囲に第１の抜止め２３を形成した。製造方法は、第１のめっき部１２を、形成されるワイヤボンディング部１３の先端面に厚めっき２６を施し、更にリードフレーム材２０をエッチング処理することにより形成する。また、半導体装置１０は、このリードフレーム１６を用いた。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの特性の劣化を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＬＳＩ基板１上に形成された第１の金属を含む再配線層８ａ、ｂおよび前記ＬＳＩ基板上に形成されたボンディングパッドとなる第２の金属を含むパッド電極２２を被覆するように、層間膜１０を形成する。前記層間膜のうち、前記再配線層に接続されるマイクロバンプを形成する領域およびボンディングワイヤが接続される領域に対応する部分を感光させ、アルカリ水溶液を含む第１のアルカリ現像液で現像することにより、前記再配線層が露出するように前記層間膜に第１の開口部１０ａを形成するとともに、前記パッド電極が露出するように前記層間膜に第２の開口部１０ｂを形成する。さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドおよび多価アルコールを含む第２のアルカリ現像液で、前記層間膜の残りの露光された部分を現像する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＭＩノイズの悪影響を低減することができる。
【解決手段】 圧電振動素子と、集積回路素子と、絶縁性のベース２と、蓋３とを有する表面実装型圧電発振器１の搭載構造であって、前記ベースの一主面の端部に複数の外部端子電極と、この間に圧電振動素子測定端子が形成され、外部回路基板の一主面には、前記外部端子電極が接続される配線パッドと配線が形成された導電領域５５と、これらが形成されていない他領域５６とを有しており、前記回路基板の配線パッドと前記ベースの外部端子電極を接合した際に、前記圧電振動素子測定端子が対向配置される他領域では、表面の絶縁層の下にグランド電極に接続される導電層５６２が形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】配線のレイアウト設計の自由度が高く、電流リークを防止する。
【解決手段】複数の電極パッド１２、１２ncが設けられた半導体デバイスウエハ１０と、半導体デバイスウエハ１１の電極パッド１２、１２ncが設けられた面を被覆するとともに、一部の電極パッド１２を露出させる開口１４ａ、１４ｂが設けられた絶縁層１４と、開口１４ａ、１４ｂから露出された電極パッド１２及び絶縁層１４の上部に設けられた配線１５と、配線１５の端部に設けられた外部接続用電極２１と、を備える半導体装置１である。絶縁層１４は、少なくとも露出されていない電極パッド１２ncの上部において、複数の絶縁膜１４Ａ、１４Ｂを積層してなる。 （もっと読む）

【課題】フラックスろう付法を適用してもセラミックス基板と金属板との接合部に剥離を生じさせず、接合信頼性の高いヒートシンク付パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】側面１３ａに高酸素濃度部１７を有する金属板１３とセラミックス基板１１とを積層状態にろう付する第１ろう付工程と、金属板１３とヒートシンク１４とをフラックス１６を用いたろう付法により接合する第２ろう付工程とを有し、第２ろう付工程において、金属板１３とヒートシンク１４との間からはみ出したフラックス１６と金属板１３の高酸素濃度部１７とを反応させるヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れて発光動作を安定化でき、かつ光の利用効率も改善できる発光装置用パッケージ、それを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】電気絶縁性を有するセラミック基板１０を設ける。セラミック基板１０の表面に、光の出射口を形成する第１凹部１０ｅをセラミック基板１０の厚さ方向に形成する。第１凹部１０ｅの中に発光素子３を搭載するための第２凹部１０ｄをセラミック基板１０の厚さ方向に形成する。発光素子３に電力を供給するための配線パターン１１ａを第１凹部１０ｅ内に形成する。第２凹部１０ｄ内の発光素子３の搭載位置を挟んで前記出射口の反対側位置の前記セラミック基板１０に、光反射性を備えたメタライズ層１２を配線パターン１１ａとは電気的に絶縁されて形成する。 （もっと読む）

【課題】 外部端子とランドとの間の材料の拡散が防止可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置２００は、基材１３、基材１３の一方の面側に設けられたソルダーレジスト２１ｂ、基材１３の一方の面側に設けられ、外部端子が搭載されるＣｕ等のランド９、ランド９の表面に設けられたメッキ層９ａ、基材１３の他の面に設けられ、ランド９と電気的に接続された半導体チップ５を有し、ソルダーレジスト２１ｂは、ランド９およびメッキ層９ａの外周を覆うように、かつメッキ層９ａの表面の一部が露出するように設けられている。 （もっと読む）