【課題】めっき引出線のパッケージ外への露出を防止することができる半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】多数品取りのパッケージ基板（ガラスエポキシ基板の連なったもの）を準備する。このパッケージ基板は、第１めっき引出線４０、第２めっき引出線４２、第３めっき引出線４４が表面または／および内部を延び、かつ、表面に複数の半導体チップ搭載位置を有する。このパッケージ基板に対して、複数の半導体チップ搭載位置のそれぞれに半導体チップを搭載する。第１めっき引出線４０、第２めっき引出線４２、第３めっき引出線４４が分断される程度の深さを有する溝を設けるハーフカット工程を行う。ハーフカット工程を行った後、溝内に樹脂が入り込むように、モールド樹脂封止を行う。封止工程の後、ダイシングを行い、モールド封止樹脂を複数の半導体パッケージに分ける。 （もっと読む）

【課題】垂直に搭載可能な集積回路（ＩＣ）パッケージを製作する方法を提供する。
【解決手段】集積回路は、印刷回路板（ＰＣＢ３６）上に搭載され、ＰＣＢ３６上のボンドパッドに電気的に連結されている。ボンドパッドは、ＰＣＢ３６に埋め込まれているビアに連結されている。ＩＣ、ボンドパッド、ビア及びＰＣＢ３６の一部分は、垂直に搭載可能なＩＣパッケージを作るために分断される。ビアは、分断の際に、ビアの一部分が露出するように横断して切断され、ＩＣパッケージに搭載可能な領域を提供する。ＩＣパッケージは、誘電性材料内に封入又は収納される。更に、ビアは、酸化を防ぎ、はんだ付け適性を促進する保存剤又は他の適した無電解金属めっき堆積物で処理される。 （もっと読む）

【課題】電子部品２を搭載する多層基板１０における電子部品２と導電パターン１２１との間における接続信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】熱可塑性樹脂をフィルム基材とする第２樹脂フィルム１３、および熱硬化性樹脂をフィルム基材とし、片面に導電パターン１２１が形成された第１樹脂フィルム１２を交互に積層した積層体１０ａと、電子部品２を搭載するベースフィルム１１とを加熱プレスすることで形成される多層基板において、ベースフィルム１１には、導電パターン１２１と電子部品２の電極端子２ａとを接続するための端子接続用貫通穴１１１が形成され、積層体１０ａの積層方向から見たときに電子部品２と重合する部品搭載部位１０１は、端子接続用貫通穴１１１と重合しない非重合部位１０１ｂよりも、端子接続用貫通穴１１１と重合する重合部位１０１ａに、積層方向における導電パターン１２１の数が多くなるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とサーマルビアとの界面におけるクラックの抑制および発光素子で発生した熱の放熱性の向上。
【解決手段】配線基板２０は、外部接続用電極層１２０、セラミックス層１３０および配線層１４０を備える。セラミックス層１３０は、アルミナとホウ珪酸ガラスを材料として形成されており、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。セラミックス層１３０は、複数の第１のサーマルビア１３２、および、第１のサーマルビア１３２より小さい直径を有する第２のサーマルビア１３４を配置することにより、熱伝導率の低いセラミックス層１３０を用いた配線基板２０において、発光素子１５０で生じる熱の放熱性能を向上している。第１のサーマルビア１３２は、発光素子搭載領域１５０ａ内に格子状に配置され、第２のサーマルビア１３４は、隣接する全ての第１のサーマルビア１３２から等距離離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、汎用性が高く性能が安定した状態で磁性体デバイスを搭載する配線基板に関する。
【解決手段】配線基板１は、所定の平板状の基板２内にＭＲＡＭ３が埋め込まれており、このＭＲＡＭ３の埋め込まれている位置の基板２の表面２ａには、周辺部品４ａが、また、裏面2ｂには、周辺部品4ｂが配置されている。すなわち、配線基板１は、周辺部品４ａと周辺部品４ｂが、基板２内に埋め込まれているＭＲＡＭ３を挟んだ状態で配置されている。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＰＳ−Ｃ２半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア１００は、基板１１０と複数の独立パッドマスク１２０とを含む。基板１１０は、上表面１１１、および、上表面１１１に設置される複数のパッド１１２を有する。独立パッドマスク１２０は、パッド１１２を覆う。各独立パッドマスク１２０は、対応するパッド１１２と貼り付ける感光性粘着層１２１、及び感光性粘着層１２１上に形成される透光性の取放素子１２２を有する。 （もっと読む）

【課題】チップ側面にスルーホールを設ける場合において、樹脂等の絶縁体が充填されたとしてもマザーシートをチップ毎に分割することができる電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】絶縁体３１を塗布するより前に、スルーホール内に固体材料５２を充填しておき、絶縁体３１がスルーホール内に流れ込まないようにする。固体材料５２は、ワックスや蝋材等の低融点材料（絶縁体３１の硬化温度よりも低い１００℃未満の融点を有するもの）である。そして、絶縁体３１を熱硬化させると、固体材料５２が溶出または揮発し、スルーホールは空洞となる。したがって、上記Ｖ字型のブレイク用溝５５を外側に、矩形状のブレイク用溝５１およびＶ字型のブレイク用溝５７を内側にして曲げることでマザー積層体を各チップにブレイクすると、スルーホールの側壁に端面電極が露出し、分割後のいずれか一方のチップの側壁に絶縁体が付着している、ということはなくなる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤ長を長くすることなく、ワイヤ流れの発生を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム材１の表面側に形成した金属めっき層３，４をレジストマスクとして表面側からリードフレーム材１に所定深さのハーフエッチング加工を行い、外枠の一部又は全部と導体端子６及び中継端子７とを突出させ、リードフレーム材１に半導体素子８を搭載した後、半導体素子８とそれぞれ対応する導体端子６との間を直接、または中継端子７を中継してボンディングワイヤ９によって接続し、半導体素子８、導体端子６、中継端子７、及びボンディングワイヤ９を含むリードフレーム材１の表面側を樹脂封止し、リードフレーム材１の裏面側に、裏面側に形成された金属めっき層３をレジストマスクとしてエッチング加工を行って、外部接続端子部１３を突出させて独立させる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】生産効率を上げて製造コストを低減することが可能な貫通電極基板の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通電極基板の製造方法は、基板１１０の第１面に凹部１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを形成し、基板の第１面上に凹部の開口部を覆うように絶縁性樹脂層１１３を配置し、導電部材２１０上に導電性バンプ２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃを形成し、導電性バンプと凹部とが絶縁性樹脂層を介して対向する位置に基板と導電部材とを配置し、基板と導電部材とを近づけて導電性バンプで絶縁性樹脂層を貫通し、導電性バンプを凹部の底面に接触させ、基板と導電部材とを接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】モジュールの信頼性及び性能が向上し、放熱効果を極大化することができるとともに、生産性が向上し、不良が発生した場合における廃棄量も減少することができる電力モジュールパッケージを提供する。
【解決手段】本発明の実施例による電力モジュールパッケージ５００は、片面及び他面を有する第１基板１１０と、第１基板１１０の片面から他面を貫通するように形成された第１ビア１２０，１３０と、第１基板１１０の片面に形成されたメタル層１４０と、メタル層１４０上に形成された半導体素子１５０，１７０，１８０と、第１基板１１０の他面に形成されるメタルプレート４００と、を含む。 （もっと読む）